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- MLO Wi-Fi 7 (802.11be)
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MLO（Multi-Link Operation）に関する詳細な情報。 MLOは、Wi-Fi 7 (802.11be) の最も重要な新機能の一…
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- フリース (Friis) の雑音の式
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多段のアンプの場合「初期段のNFノイズ対策が十分でないアンプ」は、全体の雑音指数 (NF: Noise Figure)…
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- Wi-Fi 7ルーター（親機）側のハードウェア動向
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最新世代のスマートフォンやゲーム機を最大限に活かすための、Wi-Fi 7ルーター（親機）側のハードウェア…
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- 三菱電機が強みを持つ「人工衛星・防衛技術」USB4応用
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三菱電機の強みである「人工衛星・防衛技術」は、USB4のような超高速通信を車載化する際、単なるオーデ…
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- RHOM 4ピンパッケージ（ケルビン接続）
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ローム（ROHM）が提供する4ピンパッケージ（TO-247-4Lなど）は、**「ケルビン接続（Kelvin Connection）…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップ
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トレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）チップは、従来のシリコン（Si）製パワー半導体に比べ…
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- BLE SoC 開発環境（SDKやコンパイラ）
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前述した主要な2つのプラットフォーム（NordicとRenesas）は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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- EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新…
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EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新動向とロードマップを整理しました。 202…
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- コグニティブ（認知的）電子戦
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電子戦の最終形態とも言えるのが、この**コグニティブ電子戦（Cognitive Electronic Warfare）**です。 …
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- vdW積層材 モアレ光学
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「モアレ光学（Moiré Optics）」は、vdW積層材料の物理学において現在最もエキサイティングなフロンティ…
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- EFG法による150 mm β-Ga2O3 単結晶の育成
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酸化ガリウム（β-Ga2O3）は、その広いバンドギャップ（約4.8 eV）と高い絶縁破壊電界により、次世代のパ…
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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成（Spatial Power Combining）技術を用いたSSPA（Solid State Power Amplifier…
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- DC-DC（双方向・多相） 4ポート磁気結合コンバータの位相差
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DC-DC（双方向・多相）4ポート磁気結合コンバータにおいて、**「位相差（Phase Shift）」**は、各ポート…
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- 高速電流検出レス電流三角波モード制御法
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「高速電流検出レス電流三角波モード制御法」について、その仕組みと利点を分かりやすく解説します。 …
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- 5G 「他セルからの干渉除去」
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5Gなどのセルラーネットワークにおいて、隣接する基地局（セル）からの電波がノイズとなって通信品質を…
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- VNA 誤差補正のホワイトペーパー、論文
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エンジニアが誤差補正という「深淵」を覗き込むとき、そこには数式と物理の美しい世界が広がっています…
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- パッシブプローブにダンピング抵抗を使う
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オシロスコープのパッシブプローブを使用する際、特に高速な信号や立ち上がりの鋭い波形を観測する場合…
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- 「組紐技術」を応用したフレキシブル導波管 性能指標
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米澤物産の「組紐技術」を応用したフレキシブル導波管（特にV-Band/WR-15対応製品）について、ロボット…
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- マイクロ波を用いたワイドギャップ半導体層シート抵抗の測定
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ワイドギャップ半導体（SiC, GaN, Ga0O3など）のデバイス開発において、エピタキシャル層や注入層の**シ…
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