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- ベクトルネットワークで校正後にアダプタを使用してDUTと接続し…
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ベクトルネットワークで校正後にアダプタを使用してDUTと接続して測定する場合、アダプタの誤差要因の取り…
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- デバイ・リラクゼーションの連続体
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「デバイ・リラクゼーション（Debye Relaxation）の連続体」という考え方は、全固体電池のような複雑な…
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- Bluetooth 7 HDT の物理層パケット構造
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Bluetooth 7 で導入が予定されている HDT (High Data Throughput) モードは、従来の Bluetooth LE (Low …
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- 光の準粒子とキラル物質科学
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光の準粒子（主にポラリトン）とキラル物質科学の融合は、次世代の光子工学や材料科学において極めて重…
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- アイ・スキャン（Eye Scan）の見方
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IBERTなどのツールで表示される**アイ・スキャン（Eye Scan）**の結果は、高速信号がどれだけ「健全に」…
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- 10Gリンク確立後のSQI（信号品質）評価
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10Gリンクが確立された後、通信が安定しているかを判断する最も重要な指標が SQI (Signal Quality Indic…
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- CNT薄膜トランジスタ（TFT）のCV測定（容量-電圧測定）
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CNT薄膜トランジスタ（TFT）の**CV測定（容量-電圧測定）**は、チャネル形成のプロセス、界面準位、そし…
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- DC Bias-Tの付いていないVNAに外付けでバイアスTを使用する場合…
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DCバイアスティー（Bias-T）を外付けで使用する場合、VNA単体では見えてこない「回路としての振る舞い」…
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- 920MHz帯の電波法（ARIB STD-T108）
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日本国内で920MHz帯を利用する無線機器を設計・評価する際、ARIB STD-T108（特定小電力無線局）の遵守は…
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- PCI Express6.0／CXL3.0 とは
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PCI Express (PCIe) 6.0 と CXL (Compute Express Link) 3.0 は、データセンターや AI 基盤のパフォーマ…
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- EV用車載充電器（OBC）: 800Vシステム 事例 第5世代SiC
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800Vシステムを採用するEV（電気自動車）において、第5世代SiC MOSFETと平面トランスを組み合わせた車載…
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- 原子層堆積（ALD）
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原子層堆積（ALD: Atomic Layer Deposition）は、ナノシートFETやCFETといった、ナノメートル単位の立体…
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- デジタル・アシスト 補正
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デジタル・アシスト（Digital-Assist）技術は、アナログ回路の物理的な限界や不完全性を、後段のDSP（デ…
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- SiC（シリコンカーバイド）SBD SMPS
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SiC-SBD（シリコンカーバイド・ショットキーバリアダイオード）は、次世代パワー半導体素材であるSiCを…
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- 中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびインバータ開発状況
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中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびそれを用いたインバータ開発は、国家プロジェクトとしての…
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- CoWoP（Chip on Wafer on PCB）
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CoWoP（Chip on Wafer on PCB）とは、次世代のAI半導体やHPC（ハイパフォーマンス・コンピューティング…
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- SparkLink 国際アライアンス名：iSLA
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SparkLink（中国名：星闪 / 星閃、国際アライアンス名：iSLA）は、「NearLink」の国際的な正式呼称およ…
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- PsiQuantum（サイ・クアンタム）
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PsiQuantum（サイ・クアンタム）は、イリノイ量子マイクロエレクトロニクスパーク（IQMP）の総本山とも…
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- 保護中: 欧州計測器メーカーの半導体事情
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