-
- 印加電圧（Test Voltage）とは
-
印加電圧（Test Voltage）とは ～試験対象に意図的に加える電圧条件～ ■ 定義 印加電圧（Test Voltag…
-
- ファンクションジェネレータ入門（４）高機能波形：パルス・ラ…
-
ファンクションジェネレータ入門（４）高機能波形：パルス・ランプ・ノイズ・任意波形 ■はじめに…
-
- メモリデバイスの試験対象となる不良 セル間干渉
-
メモリデバイスの試験において、セル間干渉（Cell-to-Cell Interference, CCI）によって生じる不良は、…
-
- 経済成長の新エンジン「低空経済」の現状
-
「国際低高度経済産業」は、一般的に「低空経済」（ていくうけいざい、Low-altitude Economy）と呼ばれ、…
-
- 公共の急速充電器（スーパーチャージャー）
-
公共の急速充電器（一般にDC急速充電器または「スーパーチャージャー」と呼ばれます）は、電気自動車（E…
-
- 空間伝送型ワイヤレス電力伝送システム
-
📡 空間伝送型ワイヤレス電力伝送システム（WPT）の概要 空間伝送型ワイヤレス電力伝送シス…
-
- Rogers Corporation社 低tan δ基板材料
-
🌐 Rogers Corporation の低 tan δ 基板材料 Rogers Corporation（ロジャース・コーポレーション）は、…
-
- 100Gbps コヒーレント変調器(SFF)
-
100Gbpsコヒーレント変調器（SFF: Small Form-factor）について これは、光ファイバー通信において、大…
-
- wi-fi7 高調波抑制技術
-
Wi-Fi 7（IEEE 802.11be）は、最大46Gbpsという超高速通信を実現するために、320MHzの広帯域利用や4096-…
-
- STT-MRAMやロジック・イン・メモリは「GPU（AI用チップ）」をど…
-
現在のGPUは、AIブームにより需要が爆発していますが、同時に「消費電力の増大」と「メモリの壁」という…
-
- SiC MOSFET、プレーナー型からトレンチ型へ
-
最新のSiC MOSFETは、これまで主流だったプレーナー型から、より高効率なトレンチ型へと移行が進んでい…
-
- 48VシステムにおけるDC/DCコンバータ
-
48VシステムにおけるDC/DCコンバータ、およびその周辺を構成する主要な部品の選定基準について、より実…
-
- 極低温HFプラズマエッチング技術 東京エレクトロン社の最新動向
-
東京エレクトロン（TEL）の最新動向として、極低温（クライオジェニック）エッチング技術は、同社の成長…
-
- 透明なスマホ 発電OLED
-
「発電もできる透明なスマホ」は、SF映画に出てくるような**「向こう側が透けて見える板なのに、画面が…
-
- Bluetooth Asia 2026
-
2026年のアジアにおけるBluetooth関連の主要なイベント情報についてまとめました。 最も大きな注目は、…
-
- 米PsiQuantum（サイクォンタム）
-
米国のスタートアップ PsiQuantum（サイクォンタム） とオーストラリアの関係は、現在（2026年）、量子…
-
- 雑音指数測定における直線性の高いディテクタ、SSBレシーバ・ア…
-
雑音指数（NF: Noise Figure）の測定は、微小な信号を取り扱うため、システムの精度が非常に重要です。…
-
- 「魔法角」でなぜ超伝導が起きるのか
-
「なぜ、ただの炭素シートを1.1度ひねるだけで超伝導になるのか？」 これは現代物理学でも最も熱い問い…
-
- Q/Vバンド周波数コンバータの市場
-
Q/Vバンド周波数コンバータの市場で主要なプレイヤーであるWORK Microwaveに加え、注目度の高いJersey M…
-
- ソフトスイッチング（ZVS/ZCS）が成立する条件
-
絶縁型Y-Δ SR-SABにおいて、ソフトスイッチング（ZVS: ゼロ電圧スイッチング、ZCS: ゼロ電流スイッチン…
T&M
即納ストア
