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4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFETは、従来のシリコン（Si）デバイスが動作限界（一般に150°C〜175°C程度…
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EV（電気自動車）の設計において、I3C EEPROMがデファクトスタンダード（事実上の標準）になりつつある…