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- SiCの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンの発生リ…
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SiC-MOSFETの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンのリスクは、ゲート駆動回路の工夫と、Crs…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 （サムスン）
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サムスンは、Co-Packaged Optics (CPO) に関する特許を複数保有しています。これらの特許は、主に光と電…
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- 半導体ドーピングプロファイル（Doping Profile）測定方法
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半導体のドーピングプロファイル（ドーパント濃度分布）を測定する方法には、用途や求められる精度に応…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 (Intel)
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IntelはCo-Packaged Optics (CPO)に関する特許を多数保有しています。 これらの特許は、同社のシリコン…
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- 固体タンタル・コンデンサはdV/dt が高過ぎると短絡を起こす
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固体タンタルコンデンサは、dV/dt（時間あたりの電圧変化率）が急峻すぎると、短絡（ショート）を起こす…
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- MOSキャパシタ（MOS Capacitor）測定方法
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MOSキャパシタの測定は、主にその静電容量-電圧（C-V）特性と電流-電圧（I-V）特性を評価することで行わ…
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- 高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）とは
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高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）は、複数のDRAMチップを垂直に積み重ねることで、従来…
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- MOSキャパシタのゲート酸化膜のC-V特性評価 における周波数設定
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MOSキャパシタのゲート酸化膜のC-V特性評価では、高周波数と低周波数の両方で測定を行うのが一般的です。…
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- STT-MRAMとは
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STT-MRAMは、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（Spin-Transfer Torque Magnetic Random-Access M…
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- インピーダンスアナライザの等価回路パラメータとは？
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インピーダンスアナライザの等価回路パラメータとは、測定したインピーダンス（交流における抵抗）の実…
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- MOSFET サブスレッショールド特性
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MOSFETのサブスレ…
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- SOT-MRAM（スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ）とは
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SOT-MRAM（スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ）は、不揮発性メモリであるMRAMの一種です。特に…
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- GaN（窒化ガリウム）半導体とは
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GaN（窒化ガリウム）半導体は、ガリウム（Ga）と窒素（N）から成る化合物半導体です。従来の半導体の主…
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- CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは
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CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは ～半導体デバイスのC–V測定に特化した専用測定モジュール～ ■ …
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- 公共の急速充電器（スーパーチャージャー）
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公共の急速充電器（一般にDC急速充電器または「スーパーチャージャー」と呼ばれます）は、電気自動車（E…
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- SiC MOSFET、プレーナー型からトレンチ型へ
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最新のSiC MOSFETは、これまで主流だったプレーナー型から、より高効率なトレンチ型へと移行が進んでい…
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- HBM4（第6世代広帯域メモリ）
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HBM4（第6世代広帯域メモリ）は、AIやハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）の爆発的な需要に応…
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- 発電もできる有機EL素子
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「発電もできる有機EL素子」という技術は、次世代のエネルギーデバイスとして非常に注目されています。…
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- ペロブスカイト太陽電池（PSC）、応用物理学会（JSAP）での発表
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2026年2月現在**応用物理学会（JSAP）**は、ペロブスカイト太陽電池（PSC）の研究者や企業担当者が一堂…
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