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  • 高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで細かく可変できる製…
    高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで可変できる製品はあります。 特定の製品として、Techmize TH…
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  • Co-Packaged Optics(CPO)光電融合とは
    Co-Packaged Optics(CPO)光電融合は、半導体チップ(ASIC、CPU、GPUなど)と光通信用の光学コンポーネ…
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  • GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点
    GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点。GaNとSiの異なる物理的特性に起因するも…
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  • SEM5000A & SSU5000A & SSM5000A From Microwave Jo…
    SEM5000A & SSU5000A & SSM5000A Series Extend SIGLENT Solutions into complex RF Applications…
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  • GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧でも測定できる計測器はあ…
    はい、GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧で測定できる計測器は存在します。 「TECHMIZE社 TH51xシリ…
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  • 光電融合分野におけるOSAT(後工程受託企業)とは
    光電融合分野におけるOSAT(後工程受託企業)は、今後重要性が増していくと考えられています。これは、…
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  • SiCの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンの発生リ…
    SiC-MOSFETの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンのリスクは、ゲート駆動回路の工夫と、Crs…
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  • Co-Packaged Optics(CPO)特許 (サムスン)
    サムスンは、Co-Packaged Optics (CPO) に関する特許を複数保有しています。これらの特許は、主に光と電…
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  • 半導体ドーピングプロファイル(Doping Profile)測定方法
    半導体のドーピングプロファイル(ドーパント濃度分布)を測定する方法には、用途や求められる精度に応…
    • SEM
  • Co-Packaged Optics(CPO)特許 (Intel)
    IntelはCo-Packaged Optics (CPO)に関する特許を多数保有しています。 これらの特許は、同社のシリコン…
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    • VNA
  • 固体タンタル・コンデンサはdV/dt が高過ぎると短絡を起こす
    固体タンタルコンデンサは、dV/dt(時間あたりの電圧変化率)が急峻すぎると、短絡(ショート)を起こす…
    • SEM
    • Z_LCR
  • MOSキャパシタ(MOS Capacitor)測定方法
    MOSキャパシタの測定は、主にその静電容量-電圧(C-V)特性と電流-電圧(I-V)特性を評価することで行わ…
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  • 高帯域幅メモリ(HBM: High Bandwidth Memory)とは
    高帯域幅メモリ(HBM: High Bandwidth Memory)は、複数のDRAMチップを垂直に積み重ねることで、従来…
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  • スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
    スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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  • QST (Qromis Substrate Technology) 基板
    QST (Qromis Substrate Technology) 基板は、GaN(窒化ガリウム)デバイスの成長に特化して開発された複…
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  • ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
    次世代ヘテロジニアス・インテグレーション(HI)を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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  • α型 vs β型-Ga2O3の具体的な違い
    酸化ガリウム(Ga2O3)には複数の結晶構造(多形)がありますが、パワーデバイスとして研究が進んでいる…
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  • ウェハを極限まで薄く削る技術動向
    ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN(裏面電源供給)や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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  • BLE SoC 開発環境(SDKやコンパイラ)
    前述した主要な2つのプラットフォーム(NordicとRenesas)は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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  • クロスバアレイの原理
    クロスバアレイ(Crossbar Array)は、脳型メモリ素子を並べて**「行列演算(積和演算)」を回路レベル…
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