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- SiCパワー半導体とは
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SiCパワー半導体は、Si（シリコン）とC（炭素）の化合物である炭化ケイ素（SiC）を主材料とする半導体で…
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- PFASフリーの電子材料
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PFASフリーの電子材料は、環境規制への対応から開発が進んでいます。特に、高い電気特性が求められる電…
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- 二相変調法 (Two-Phase Modulation, TPM) とは
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二相変調法 (Two-Phase Modulation, TPM) とは モーター駆動において、インバーター…
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- エレクトロマイグレーション測定方法
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エレクトロマイグレーション（EM）の測定方法は、主に加速試験とそれに伴う抵抗値のモニタリングが中心…
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- 半導体進化の主軸「パッケージ技術」
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半導体の進化において、パッケージ技術は微細化の限界を補完し、性能向上とコスト削減を実現する重要な…
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- GaNのミリ波帯領域での期待と課題
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窒化ガリウム（GaN）は、特に5G通信システムやレーダーといったミリ波領域のアプリケーションにおいて、…
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- フライングキャパシター線形増幅回路（FCLA：Flying Capacitor …
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フライングキャパシター線形増幅回路（FCLA）は、高効率なリニア増幅器の一種で、スイッチング技術とフ…
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- 高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで細かく可変できる製…
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高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで可変できる製品はあります。 特定の製品として、Techmize TH…
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- Co-Packaged Optics（CPO）光電融合とは
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Co-Packaged Optics（CPO）光電融合は、半導体チップ（ASIC、CPU、GPUなど）と光通信用の光学コンポーネ…
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- GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点
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GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点。GaNとSiの異なる物理的特性に起因するも…
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- GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧でも測定できる計測器はあ…
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はい、GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧で測定できる計測器は存在します。 「TECHMIZE社 TH51xシリ…
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- 光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）とは
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光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）は、今後重要性が増していくと考えられています。これは、…
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- IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）
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IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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- FEOL/BEOL CMP
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CMP（化学的機械研磨）は、半導体製造の「前工程の前半（FEOL）」と「前工程の後半（BEOL）」の両方で不…
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- MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
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MgO-based MTJ（以下、MTJ）を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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- 第8世代IGBT EVの航続距離
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EV（電気自動車）の航続距離に対する影響は、**「非常に大きい」**と言えます。 パワー半導体の電力損…
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- QPTのMicroDynoソリューション、コギングトルクとトルクリップ…
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イギリスの技術スタートアップ、QPT（Quantum Power Transformation）社が提供する「MicroDyno」ソリュ…
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- Y6誘導体などの化学構造
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有機太陽電池（OPV）の歴史を塗り替えた革新的な分子、**Y6（BTP-4F）**とその誘導体について解説します…
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- SR-SAB 損失解析（コア損と銅損の配分）
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磁気統合されたトランスを用いるSR-SABでは、通常のトランスとは異なり**「漏れ磁束を積極的に利用する…