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- 高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで細かく可変できる製…
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高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで可変できる製品はあります。 特定の製品として、Techmize TH…
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- Co-Packaged Optics（CPO）光電融合とは
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Co-Packaged Optics（CPO）光電融合は、半導体チップ（ASIC、CPU、GPUなど）と光通信用の光学コンポーネ…
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- GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点
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GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点。GaNとSiの異なる物理的特性に起因するも…
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- GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧でも測定できる計測器はあ…
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はい、GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧で測定できる計測器は存在します。 「TECHMIZE社 TH51xシリ…
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- 光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）とは
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光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）は、今後重要性が増していくと考えられています。これは、…
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- SiCの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンの発生リ…
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SiC-MOSFETの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンのリスクは、ゲート駆動回路の工夫と、Crs…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 （サムスン）
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サムスンは、Co-Packaged Optics (CPO) に関する特許を複数保有しています。これらの特許は、主に光と電…
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- 半導体ドーピングプロファイル（Doping Profile）測定方法
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半導体のドーピングプロファイル（ドーパント濃度分布）を測定する方法には、用途や求められる精度に応…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 (Intel)
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IntelはCo-Packaged Optics (CPO)に関する特許を多数保有しています。 これらの特許は、同社のシリコン…
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- 固体タンタル・コンデンサはdV/dt が高過ぎると短絡を起こす
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固体タンタルコンデンサは、dV/dt（時間あたりの電圧変化率）が急峻すぎると、短絡（ショート）を起こす…
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- MOSキャパシタ（MOS Capacitor）測定方法
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MOSキャパシタの測定は、主にその静電容量-電圧（C-V）特性と電流-電圧（I-V）特性を評価することで行わ…
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- 高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）とは
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高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）は、複数のDRAMチップを垂直に積み重ねることで、従来…
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- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
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スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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- QST (Qromis Substrate Technology) 基板
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QST (Qromis Substrate Technology) 基板は、GaN（窒化ガリウム）デバイスの成長に特化して開発された複…
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- ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
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次世代ヘテロジニアス・インテグレーション（HI）を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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- α型 vs β型-Ga2O3の具体的な違い
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酸化ガリウム（Ga2O3）には複数の結晶構造（多形）がありますが、パワーデバイスとして研究が進んでいる…
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- ウェハを極限まで薄く削る技術動向
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ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN（裏面電源供給）や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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- BLE SoC 開発環境（SDKやコンパイラ）
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前述した主要な2つのプラットフォーム（NordicとRenesas）は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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- クロスバアレイの原理
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クロスバアレイ（Crossbar Array）は、脳型メモリ素子を並べて**「行列演算（積和演算）」を回路レベル…