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- 高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで細かく可変できる製…
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高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで可変できる製品はあります。 特定の製品として、Techmize TH…
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- Co-Packaged Optics（CPO）光電融合とは
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Co-Packaged Optics（CPO）光電融合は、半導体チップ（ASIC、CPU、GPUなど）と光通信用の光学コンポーネ…
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- GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点
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GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点。GaNとSiの異なる物理的特性に起因するも…
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- GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧でも測定できる計測器はあ…
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はい、GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧で測定できる計測器は存在します。 「TECHMIZE社 TH51xシリ…
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- 光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）とは
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光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）は、今後重要性が増していくと考えられています。これは、…
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- SiCの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンの発生リ…
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SiC-MOSFETの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンのリスクは、ゲート駆動回路の工夫と、Crs…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 （サムスン）
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サムスンは、Co-Packaged Optics (CPO) に関する特許を複数保有しています。これらの特許は、主に光と電…
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- 半導体ドーピングプロファイル（Doping Profile）測定方法
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半導体のドーピングプロファイル（ドーパント濃度分布）を測定する方法には、用途や求められる精度に応…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 (Intel)
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IntelはCo-Packaged Optics (CPO)に関する特許を多数保有しています。 これらの特許は、同社のシリコン…
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- 固体タンタル・コンデンサはdV/dt が高過ぎると短絡を起こす
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固体タンタルコンデンサは、dV/dt（時間あたりの電圧変化率）が急峻すぎると、短絡（ショート）を起こす…
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- MOSキャパシタ（MOS Capacitor）測定方法
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MOSキャパシタの測定は、主にその静電容量-電圧（C-V）特性と電流-電圧（I-V）特性を評価することで行わ…
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- 高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）とは
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高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）は、複数のDRAMチップを垂直に積み重ねることで、従来…
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- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
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スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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- QST (Qromis Substrate Technology) 基板
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QST (Qromis Substrate Technology) 基板は、GaN（窒化ガリウム）デバイスの成長に特化して開発された複…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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- 高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは
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高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
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- パワーデバイスのウエハプロセスは論理チップと何が違う？
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パワーデバイスのウェハプロセスは、スマートフォンやPCに使われる論理チップ（ロジックIC）やメモリチ…
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- TSC packages MOSFET diode circuits
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TSC (Top-Side Cooling)パッケージをMOSFETとダイオードを組み合わせた回路で使用することの主な目的は…