ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッケージング技術における微細化の進展を示すものです。
特に、CD1.6μmという非常に微細な線幅で3層のRDLを形成する技術は、高密度な配線が要求されるファンアウト・ウェハーレベル・パッケージング (FoWLP) や2.5D/3D集積などの先端パッケージングで重要となります。
RDLと微細化の重要性
RDL (再配線層):
半導体チップの入出力端子 (I/O) の配置を再構成し、チップ上の回路をパッケージの外部接続端子 (バンプなど) まで電気的に接続するための配線層です。
複数のRDL層を積層することで、より複雑な配線ルーティングと高密度の接続が可能になります。
CD1.6μm (Critical Dimension 1.6マイクロメートル):
配線パターンの最小加工寸法(線幅や線間隔)が1.6マイクロメートルであることを示します。これは非常に微細であり、従来のパッケージング技術では困難なレベルです。
この微細化により、配線密度が向上し、チップ間の高速信号伝送や省スペース化、高性能化が実現します。
3層RDL:
3つの配線層と、それらを接続するビア(層間接続)層から構成されます。層数が増えるほど、配線経路の自由度が増し、より多くのチップや複雑な機能の集積が可能になります。
実現技術の例
このCD1.6μm、3層RDLの形成は、特にダマシン法 (Damascene Process) を用いたRDL形成技術の進展として注目されています。
ダマシン法:
従来のポリマーを誘電体として用いる方法(ポリマー法)よりも微細な配線の形成に適しています。
絶縁膜(誘電体)に溝(配線パターン)や穴(ビア)を形成した後、Cuなどの金属を埋め込み、余分な金属を化学的機械的研磨 (CMP) で除去して配線を形成します。
このレベルの微細化は、AIチップやHBM (High Bandwidth Memory) といった高性能デバイスを統合する次世代の半導体パッケージングにおいて、不可欠な技術とされています。
 | SSG6M80Aシリーズ マルチチャネル・コヒーレント・マイクロ波信号発生器 主な特長 ・最大周波数 13.6 GHz/20 GHz ・出力周波数分解能 最大0.001 Hz ・位相ノイズ < -136 dBc/Hz @ 1 GHz、オフセット 10 kHz(測定値) ・コヒーレントモード、搬送周波数 = 10 GHz、周囲温度変動 ±2℃、観測時間 5時間、位相変動 < 1.5° ・チャンネル間の周波数、振幅、位相を個別に調整可能。単一デバイスチャンネル同期および複数デバイスチャンネル位相同期をサポート。位相メモリ機能搭載 ・アナログ変調、パルス変調(オプション) |
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