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- IOWNとNVIDIAの技術連携 AIデータセンター
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IOWNとNVIDIAの技術連携は、AIデータセンターが直面する二大課題、すなわち「爆発的な電力消費」と「デー…
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- OptiX OSN 9800
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華為技術（HUAWEI）がコヒーレント変調器やその関連技術を搭載している主要な光伝送システムは、主に以…
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- 「トラップリッチ層」による高調波抑制（ハーモニクス）
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SoitecのRF-SOI基板、特にRFeSI（RF enhanced Signal Integrity）における**「トラップリッチ層（Trap-R…
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- STT-MRAM（スピン注入メモリ）と「ロジック・イン・メモリ」
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パワースピン株式会社が核とする2つの革新的技術、STT-MRAMとロジック・イン・メモリについて、その仕組…
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- 高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術、MOSFETとPiNダイオ…
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高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術を、MOSFETとPiNダイオードという2つの代表的なデバイスに適…
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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- 量子ビットの位相（Phase）が変化することでビットの値（0 と 1…
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量子ビットの位相（Phase）が変化することでビットの値（0 と 1）が入れ替わる現象は、波の**「干渉（In…
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- パスロス係数（Path Loss Exponent: PLE）
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原田博司教授の研究グループが105 GHz帯（サブテラヘルツ帯）で行った測定において、**パスロス係数（Pa…
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- ポインティングロス（衛星の揺れによる光軸ズレ）
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地上-衛星間光通信において、**ポインティングロス（Pointing Loss）**は、大気ゆらぎと並んで通信品質…
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- ADL5961から出力されるデータの信号処理方法
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ADL5961から出力されるデータは、最終的にはデジタル信号としてFPGAやCPUに渡されますが、その間には**…
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- Y6誘導体などの化学構造
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有機太陽電池（OPV）の歴史を塗り替えた革新的な分子、**Y6（BTP-4F）**とその誘導体について解説します…
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- カーコム（Kerr Comb）電気光学コム（EO Comb）性能比較
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薄膜ニオブ酸リチウム（TFLN）において、**カーコム（Kerr Comb）と電気光学コム（EO Comb）**は、いわ…
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- ミリ波 Network-Controlled Repeater
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ミリ波（mmWave）帯の通信において、**Network-Controlled Repeater（NCR：ネットワーク制御リピータ）*…
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- 絶縁型Y-Δ結線SR-SAB DC-DC コンバータの回路動作
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）DC-DCコンバータは、高電圧・大電力アプ…
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- 永久磁石同期電動機の速度センサレス制御
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永久磁石同期電動機（PMSM）の速度センサレス制御は、回転子の位置や速度を検出するための物理的なセン…
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- POMの具体的な化学構造（ケギン型など）
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POM（ポリオキソメタレート）は、その構造によって電子の保持能力（蓄電性）や誘電特性が大きく異なりま…
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- Wi-Fi7 AFC SPモード 製品比較
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2026年現在、Wi-Fi 7とAFC（自動周波数調整）によるSP（Standard Power：標準電力）モードに対応した製…
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