SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）

2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わってGaN（窒化ガリウム）を採用する可能性は、「メインのインバータ以外」から現実味を帯びています。

両者は「ワイドバンドギャップ半導体」という大きな括りでは同じですが、得意分野が明確に分かれています。

1. SiC vs GaN：物理特性と使い分け

「どちらを選ぶか」は、その部品に求められる電圧と周波数で決まります。

なぜインバータはSiCなのか？

電気自動車のメインモーターを動かすインバータには、数百度の高温に耐え、数百kWの電力を流すタフさが求められます。SiCは熱を逃がす能力（熱伝導率）がGaNの約3倍高いため、過酷な環境のインバータでは依然としてSiCが圧倒的に有利です。

2. テスラなどがGaNを採用する可能性が高い箇所

テスラがSiCの使用量を削減する一方で、GaNを導入すると見られているのは以下の領域です。

① 車載充電器（OBC）とDC/DCコンバータ

これらの部品はインバータほどの大電力は扱いませんが、「小型化」が強く求められます。

• GaNのメリット: 超高速でスイッチングできるため、周辺のコイルやコンデンサを極限まで小さくでき、ユニット全体のサイズを半分以下にできます。

• テスラの狙い: 車体の軽量化とスペース確保のため、次世代モデル（モデル2等）ではGaNベースの統合電力ユニットを採用する可能性が極めて高いです。

② 48V低圧システムへの移行

テスラは「Cybertruck」以降、車内の配線システムを12Vから48Vへ移行させています。

• 48V系はGaNが最も効率を発揮できる電圧帯であり、車内の電子機器向け電源にGaNを採用することで、さらなる省電力化を狙っています。

3. 2026年時点の予測：共存の時代へ

テスラが次に取る戦略は「SiCをGaNに置き換える」ことではなく、「適材適所の使い分け」です。

• メイン駆動（インバータ）: SiC（トレンチ構造等でチップ数を削減）。

• 周辺機器（OBC/コンバータ）: GaN（高速スイッチングで超小型化）。

• 低価格モデル: 前述の「SiC＋Si（シリコン）」のハイブリッド構造。

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