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- LoRa ー Wi-Fiゲートウェイ 農地や工場での用途
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農地や工場での利用は、まさにLoRaの強みが最も活きるシナリオです。 それぞれの環境に合わせた具体的…
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- 半導体CNT用いた高感度赤外線センサー
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CNT（カーボンナノチューブ）を用いた赤外線センサーは、次世代の光子工学において非常に注目されている…
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- 線形EMSDトランスデューサ
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「線形EMSDトランスデューサ（EMSD: Electromagnetic Soft Device / Electromagnetic Smart Device）」…
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- 電源電圧変動除去比（PSRR）
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「感度が不安定」という問題において、**PSRR（Power Supply Rejection Ratio）**は非常に重要なキーワ…
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- スプリットリング共振器
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スプリットリング共振器（Split-Ring Resonator: SRR）は、メタマテリアル（自然界には存在しない電磁気…
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- MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）4port VNA
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のコンプライアンステストにおいて、**4ポート VNA（ベクトル・ネットワ…
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- FS（Field Stop）-IGBT
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🛡️ FS-IGBT (Field Stop IGBT) とは FS-IGBTは、従来のIGBT（Non-Punch Through IGBT: NPT-IGB…
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- ダブルゲート構造IEGT技術
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
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- 高調波抑制が5Gのミリ波（mmWave）通信にどう貢献しているか
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5Gのミリ波（mmWave：28GHz帯など）通信において、Soitecのトラップリッチ層による高調波抑制は、「通信…
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- Chip-to-Wafer（C2W）のCu-Cuハイブリッドボンディング
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「チップ・トゥ・ウエハー（Chip-to-Wafer: C2W）」のCu-Cuハイブリッドボンディングは、現在のAI半導体…
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- MgO-based magnetic tunnel junctions とは
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MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) とは、スピン（電子の磁気的性質）を利用した次世代デ…
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- DRAMとNANDフラッシュメモリの動向
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2026年現在、DRAMとNANDフラッシュメモリの市場は、AI（人工知能）向け需要の爆発的な増加と、それに伴…
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- QPTのMicroDynoソリューション、コギングトルクとトルクリップ…
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イギリスの技術スタートアップ、QPT（Quantum Power Transformation）社が提供する「MicroDyno」ソリュ…
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- Y6誘導体などの化学構造
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有機太陽電池（OPV）の歴史を塗り替えた革新的な分子、**Y6（BTP-4F）**とその誘導体について解説します…
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- 絶縁型Y-Δ SR-SAB 電気自動車（EV）の急速充電器
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）は、EV（電気自動車）の急速充電器におい…
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- 「アクティブ・バランサ」技術
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「アクティブ・バランサ」は、単相3線式システムの自立運転において、不平衡な負荷によって生じる中性点…
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- 10BASE-T1S 対応の主要な PHY チップ 比較
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10BASE-T1S の PHY チップ選定は、**「既存のマイコンに MAC（Media Access Controller）が内蔵されてい…
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- ５G NTN MWC2026 最新情報
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2026年3月にバルセロナで開催された MWC 2026 では、5G NTN（非地上系ネットワーク）が「技術検証」の段…
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- アイ・スキャン（Eye Scan）の見方
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IBERTなどのツールで表示される**アイ・スキャン（Eye Scan）**の結果は、高速信号がどれだけ「健全に」…
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