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- 窒化ガリウム（GaN）高品質な結晶成長
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赤﨑先生の「3つの大きな壁」の突破 赤﨑先生の功績は、窒化ガリウム（GaN）という非常に扱いにくい材…
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- リッツ線の採用や平角線の最適配置 第5世代SiC
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第5世代SiC MOSFETの採用によりスイッチング周波数が高まると、トランスの巻線設計において「交流抵抗（…
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- RFSoC パワーモジュール 積層セラミックコンデンサ
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RFSoC（Radio Frequency System on Chip）やパワーモジュールの設計において、積層セラミックコンデンサ…
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- 18kV SiC MOSFETを採用したインバータ
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18kV SiC MOSFETを採用したインバータは、現在パワーエレクトロニクスにおける世界最先端の技術領域であ…
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- 「MultiSynth」分数分周器
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Si5351Aのコアテクノロジーである「MultiSynth（マルチシンセ）」は、分数分周（Fractional-N Division…
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- BYD, Triductor等のサプライチェーン エコシステム SparkLinkア…
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中国の自動車産業、特にEV（電気自動車）およびSDV（Software Defined Vehicle：ソフトウェア定義自動車…
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- 低NV制御技術（キャリア位相シフト制御）
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インバータのSiC化やモータの超高回転化が進むe-Axleにおいて、制御面からアプローチする低NV（騒音・振…
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- チップレットパッケージ基板とは
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チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）
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IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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- 「トラップリッチ層」による高調波抑制（ハーモニクス）
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SoitecのRF-SOI基板、特にRFeSI（RF enhanced Signal Integrity）における**「トラップリッチ層（Trap-R…
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- Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
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**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
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- TLPB（過渡液相接合）高温接合技術 SiC
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**TLPB（Transient Liquid Phase Bonding：過渡液相接合）**は、銀シンター接合と並んで、300°C以上の極…
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- ウェハを極限まで薄く削る技術動向
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ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN（裏面電源供給）や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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- Bluetooth 6.x 系: 「Channel Sounding」
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2026年には本格的な普及が期待されている Bluetooth 6.0 の目玉機能、「Channel Sounding（チャネルサウ…
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- Y6誘導体などの化学構造
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有機太陽電池（OPV）の歴史を塗り替えた革新的な分子、**Y6（BTP-4F）**とその誘導体について解説します…
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- 絶縁型Y-Δ SR-SAB 電気自動車（EV）の急速充電器
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）は、EV（電気自動車）の急速充電器におい…
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- 「アクティブ・バランサ」技術
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「アクティブ・バランサ」は、単相3線式システムの自立運転において、不平衡な負荷によって生じる中性点…
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- 10BASE-T1S 対応の主要な PHY チップ 比較
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10BASE-T1S の PHY チップ選定は、**「既存のマイコンに MAC（Media Access Controller）が内蔵されてい…
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- ５G NTN MWC2026 最新情報
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2026年3月にバルセロナで開催された MWC 2026 では、5G NTN（非地上系ネットワーク）が「技術検証」の段…
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