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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会(…
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- LoRa 土壌水分計や電流センサーなどを繋ぐ
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「土壌水分計」と「電流センサー」は、農地と工場の管理において最も実用的な組み合わせです。 ESP32を…
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- インジウムリン(InP) 格子定数やバンドギャップ
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インジウムリン(InP)の物理的特性、特に格子定数とバンドギャップは、この材料が光通信の「王者」と呼…
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- MAB ポート間の干渉をデカップリング(非干渉化)する制御
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MAB(マルチ・アクティブ・ブリッジ)型コンバータにおいて、最大の技術的ハードルは「ポートAからBへ電…
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- 単分子誘電体(Single-Molecule Dielectrics)
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「単分子誘電体(Single-Molecule Dielectrics)」としての**POM(ポリオキソメタレート)**は、極限ま…
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- Junction-side Cooling(ジャンクション側冷却)
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**Junction-side Cooling(ジャンクション側冷却)**は、パワー半導体(SiC、GaN、またはLED)のチップ…
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- DDR4 Fly-byトポロジ
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DDR4メモリ設計において、Fly-by(フライバイ)トポロジは信号の品質を保ち、高速なデータ転送を実現す…
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- HFM から2.92mm変換アダプタ
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MultiGBASE-T1(IEEE 802.3ch)の評価において、Rosenbergerの**HFM(High-Speed FAKRA-Mini)から2.92m…
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- マルチオクターブ環境では2次相互変調歪み(IMD2)がノイズフロ…
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マルチオクターブ環境では、2次相互変調歪み(IMD2)がノイズフロアを大きく上回り、システム性能を支配…
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- 第5世代SiC OBC Crss ローム
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ローム(ROHM)の第5世代SiC MOSFET(開発中・順次投入)は、車載充電器(OBC)の次世代スタンダードを…
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- MRIコンポーネント
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MRI(磁気共鳴画像法)システムは、極低ノイズのRF信号処理と、大電力のRF送信、そして精密な磁場制御が…
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- Prof. Subhashish Bhattacharya
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ノースカロライナ州立大学(NC State University)の Subhashish Bhattacharya 教授は、パワーエレクト…
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CoWoP(Chip on Wafer on PCB)とは、次世代のAI半導体やHPC(ハイパフォーマンス・コンピューティング…
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- HiSilicon(海思半導体)Triductor(創耀科技)SparkLink
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HiSilicon(海思半導体)とTriductor(創耀科技)は、SparkLink(星闪)エコシステムにおいて、それぞれ…
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- Minimum Risk Maneuver:ミニマム・リスク・マニューバ
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自動運転(Level 3以上)や高度な運転支援システムにおいて、安全担保の決定打となるのがMRM(Minimum R…
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- SiCやGaNウェハの加工技術
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SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)は、従来のSi(シリコン)よりも優れた特性を持つ**ワイドバン…
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低消費電力のインテリジェントな電力管理ソリューションは、主にIoT、ウェアラブルデバイス、およびバッ…
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- 高調波抑制が5Gのミリ波(mmWave)通信にどう貢献しているか
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5Gのミリ波(mmWave:28GHz帯など)通信において、Soitecのトラップリッチ層による高調波抑制は、「通信…
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- Chip-to-Wafer(C2W)のCu-Cuハイブリッドボンディング
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「チップ・トゥ・ウエハー(Chip-to-Wafer: C2W)」のCu-Cuハイブリッドボンディングは、現在のAI半導体…

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