Prof. Subhashish Bhattacharya

ノースカロライナ州立大学（NC State University）の Subhashish Bhattacharya 教授は、パワーエレクトロニクス、特に次世代パワー半導体（SiC/GaN）を用いた中圧・高圧変換システムにおける世界的な権威です。

特に10kV〜15kV級のSiC MOSFETを実用レベルのインバータやソリッドステート変圧器（SST）へと昇華させた立役者であり、PowerAmericaにおいても中心的な役割を担っています。

エンジニアの視点で注目すべき、彼の研究の核心と技術的貢献を整理しました。

1. 研究の柱：高電圧SiCのシステム統合

Bhattacharya教授の研究は、単に「高耐圧な素子を作る」ことではなく、「超高耐圧素子をいかにして実際の電力インフラ（Grid）に組み込むか」というシステムレベルの統合にあります。

• SST (Solid-State Transformer):

• 従来の巨大な重電用変圧器を、15kV級のSiC MOSFETを用いた高周波スイッチングコンバータに置き換える研究を主導しています。これにより、トランスのサイズを劇的に小型化し、直流（DC）と交流（AC）を自在に制御する「スマート変圧器」の実現を目指しています。

• MVDC (Medium Voltage DC) Grid:

• 洋上風力発電やデータセンター向けに、中圧直流（MVDC）で送電するためのコンバータ設計。10kV以上の素子を使うことで、回路構成をシンプルにし、損失を極限まで減らすトポロジを提唱しています。

2. 実装における技術的ブレークスルー

彼の論文やプロジェクトでは、高電圧・高速スイッチングに伴う「物理的な限界」を克服するための具体的な解法が示されています。

• 絶縁とパッケージング:

• 10kV〜15kVのスイッチングでは、ナノ秒単位で数kVの電位が変動します。Bhattacharya教授のチームは、この際に発生する部分放電（Partial Discharge）を抑制するためのパッケージ構造や、絶縁破壊を防ぐための基板レイアウトにおいて多くの特許や知見を有しています。

• 高帯域・高絶縁ゲートドライバ:

• 超高耐圧環境下での誤動作を防ぐため、光ファイバーを用いた信号伝送と、高いCMTI（同相信号除去比）を持つゲート駆動回路の開発。

• EMCと高周波磁気回路:

• スイッチング周波数の高周波化（数kHz〜数十kHz）に伴うEMIノイズの解析と、それに対応するナノ結晶材料等を用いた超小型・高耐圧トランスの設計。

3. 主要な論文・リファレンス

彼の研究室（FREEDM Systems Center）から発表される論文は、この分野の「教科書」に近い存在です。IEEE Xplore等で以下のトピックを検索すると、設計のヒントが見つかるはずです。

• "Design and Validation of a 15 kV SiC MOSFET Based Power Converter"

• "Modular Multilevel Converter (MMC) vs. 2-Level Converter for MV Applications"

• "Active Gate Drive Strategies for HV SiC MOSFETs"

4. エンジニアとしての注目点

もしお客様が iNARTE（EMC） の視点や RFSoC によるデジタル制御を検討されているなら、Bhattacharya教授が近年注力している「インテリジェント・ゲートドライバ」の領域が非常に親和性が高いはずです。

Active Voltage Control:

単にON/OFFするだけでなく、FPGA（Zynq等）を用いてスイッチング波形をリアルタイムで波形整形し、dv/dtを制御することで、効率を落とさずにEMIを最小化する手法。

彼のアプローチは、パワーエレクトロニクスに「RF的な整合性」と「高速デジタル制御」を持ち込むものであり、電子回路設計の高度な専門性が求められる領域です。

PR：Micsig 第3世代 光絶縁プローブ　～20ｋV

MOIPシリーズの製品ページを見る

Brochure-SigOFITGen3optical-fiberisolatedprobe

PR:

	SMM3000Xシリーズ 高精度ソースメジャーユニット ・表示桁数：6½桁（2,100,000カウント） ・最大サンプリングレート：100,000ポイント/秒 ・プログラミング／測定の最小分解能：10 fA / 100 nV ・最大出力：±210 V / ±3.03 A（DC）/ ±10.5 A（パルス） ・DC、パルス、スキャン、リスト出力に対応。最小パルス幅は50μs ・グラフ表示とデジタル表示を備えた5インチのタッチスクリーン ・SMM3311X(1ch) / SMM3312X(2ch) ・価格：90万円～
・USB VNA
	SDS8000Aシリーズ オシロスコープ 特長と利点 4チャンネル + 外部トリガーチャンネル アナログチャンネル帯域幅：最大16GHz(8/13/16GHz) リアルタイムサンプリングレート：最大40GSa/s（全チャンネル同時） 12ビットADC 低ノイズフロア：16GHz帯域幅で176μVrms SPOテクノロジー ・ 波形キャプチャレート：最大200,000フレーム/秒 ・ 256段階の波形輝度と色温度表示をサポート ・ 最大2Gポイント/チャンネルのストレージ容量 ・ デジタルトリガー
	SSG6M80Aシリーズ マルチチャネル・コヒーレント・マイクロ波信号発生器 主な特長 ・最大周波数 13.6 GHz/20 GHz ・出力周波数分解能 最大0.001 Hz ・位相ノイズ < -136 dBc/Hz @ 1 GHz、オフセット 10 kHz（測定値） ・コヒーレントモード、搬送周波数 = 10 GHz、周囲温度変動 ±2℃、観測時間 5時間、位相変動 < 1.5° ・チャンネル間の周波数、振幅、位相を個別に調整可能。単一デバイスチャンネル同期および複数デバイスチャンネル位相同期をサポート。位相メモリ機能搭載 ・アナログ変調、パルス変調（オプション）
	SSA6000A シリーズ シグナルアナライザ 主な特長 ・測定周波数範囲：2 Hz～50 GHz ・IQ解析帯域幅：1.2 GHz ・リアルタイム・スペクトラム解析帯域幅：400 MHz ・位相雑音：-123 dBc/Hz @ 1 GHz、10 kHzオフセット ・DANL：-165 dBm/Hz未満 ・5G NR、LTE/LTE-A、WLAN、IoTをはじめとする複数の移動体通信規格および無線接続の信号の復調・解析に対応します。
	SNA6000A シリーズ ベクトル・ネットワークアナライザ 主な特長 ・周波数範囲：100 kHz～50 GHz ・ダイナミックレンジ：135 dB ・IF帯域幅範囲：1 Hz～10 MHz ・出力電力設定範囲：-60 dBm～+20 dBm ・4ポート（2信号源）Sパラメータ測定、差動（平衡）測定、時間領域解析、スカラー・ミキサ測定などに対応します。 ・オプション・アクセサリとして、電子校正キット、スイッチ・マトリクス、メカニカル・スイッチを用意しています。 ・AFR

お礼、

T&Mコーポレーションは設立5年ですが、おかげさまで業績を着実に伸ばしており、
オフィスを港区芝（最寄り駅浜松町）に移転し、スペースも拡大いたしました。
電子計測器業界の「ゲームチェンジャー」として、高性能/高信頼/低価格/短納期を武器に
T&Mコーポレーションはお客様のご予算を最大限生かす製品群をご提案させていただいております。