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ダイヤモンド中のスズ空孔（SnV⁻: Tin-Vacancy）センターを用いたマイクロ波–光インターフェイスは、量…
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- AI インフラ時代のキーポイント
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AIインフラの爆発的普及（特に2026年現在の状況）において、装置・材料メーカーの勝敗を分ける境界線は…
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- スポーツ中継 TVカメラ 無線方式
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2026年ミラノ・コルティナ冬季オリンピックは、スポーツ中継における**「ドローン革命」**の転換点とな…
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- 電力品質(PQ)の規格 IEC 61000-4-30
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IEC 61000-4-30: 電力品質（PQ）測定手法の概要 IEC 61000-4-30は、交流電源系統における**電力品質（P…
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- 100V Nチャンネル車載グレードMOSFET
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Diodes Incorporated社のDMTH10H1M7SPGWQは、48V車載システム（マイルドハイブリッド等）の電源管理やDC…
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- 次世代パワー半導体 「期待の5材料」
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次世代パワー半導体における「期待の5材料」は、現在主流のシリコン（Si）の限界を超えるワイドバンドギ…
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- シミュレーション（AGDの設計等）
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アクティブ・ゲートドライブ（AGD）の設計におけるシミュレーションは、前述の CMTI（ドライバの誤動作…
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- バックスキャッター通信（後方散乱通信）を統合したワイヤレス…
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バックスキャッター通信（後方散乱通信）を統合したワイヤレス電力伝送（WPT）サブシステムは、バッテリ…
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- 400V/800Vといった高電圧（HV：High Voltage）ライン
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400Vおよび800Vの高電圧（HV）ラインは、「すでに完全な実用化（量産）フェーズにあり、現在はハイエン…
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- オシロスコープで電流を測定するには？
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オシロスコープで電流を測定するには？ オシロスコープは本来、電圧波形を観測する装置ですが、電流測定…
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- スパイラルダイポール形送電素子
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スパイラルダイポール形送電素子による伝送路を構築し、共鳴型ワイヤレス電力伝送技術による道路走行中の…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- GPUとCNNの関係
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GPUとCNNの関係は、「GPUの並列計算能力」が「CNNの膨大な演算」を可能にするという、切っても切れない…
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- パワースピン株式会社の挑戦
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パワースピン株式会社（PowerSpin Inc.）は、東北大学発のスタートアップとして、次世代の半導体メモリ…
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- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
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2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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「土壌水分計」と「電流センサー」は、農地と工場の管理において最も実用的な組み合わせです。 ESP32を…
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インジウムリン（InP）の物理的特性、特に格子定数とバンドギャップは、この材料が光通信の「王者」と呼…
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- MAB ポート間の干渉をデカップリング（非干渉化）する制御
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MAB（マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータにおいて、最大の技術的ハードルは「ポートAからBへ電…
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