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- 中国の半導体製造装置の現状(2025)
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中国の半導体製造装置市場は、政府の強力な国家戦略と米国の輸出規制を背景に、国内での自給化を目指し…
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- テンソル演算に含まれる大量の並列計算を同時に処理
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はい、GPUがテンソル演算に含まれる大量の並列計算を同時に処理できる具体的な例として、ディープラーニ…
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- パワースピン株式会社の挑戦
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パワースピン株式会社（PowerSpin Inc.）は、東北大学発のスタートアップとして、次世代の半導体メモリ…
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- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
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2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
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- HBM4（第6世代広帯域メモリ）
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HBM4（第6世代広帯域メモリ）は、AIやハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）の爆発的な需要に応…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）
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vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）の面白い点は、原子1層レベルの「レゴブロック」のよう…
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- DC/DCコンバーターの「脳」フィードバック制御
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DC/DCコンバーターの「脳」にあたるのがフィードバック制御です。出力電圧が目標からズレないよう、常に…
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- 特定次数の高調波が削減可能な双方向絶縁型DC-DCコンバータ
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双方向絶縁型DC-DCコンバータ（DABやMABなど）において、**「特定次数の高調波削減（Selective Harmonic…
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- POMの具体的な化学構造（ケギン型など）
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POM（ポリオキソメタレート）は、その構造によって電子の保持能力（蓄電性）や誘電特性が大きく異なりま…
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- パッシブプローブにダンピング抵抗を使う
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オシロスコープのパッシブプローブを使用する際、特に高速な信号や立ち上がりの鋭い波形を観測する場合…
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- T-ブランチ（Tree）トポロジ vs. Fly-byトポロジ
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DDR2や一部のDDR3で主流だったT-ブランチ（Tree）トポロジと、現在のDDR4/5で標準的なFly-byトポロジの…
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- HFM® – High-Speed FAKRA-Miniとは
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**HFM®（High-Speed FAKRA-Mini）**は、ドイツのコネクタメーカーである Rosenberger（ローゼンバーガー…
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- IIP2の確保と回路の平衡度（Balance）
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マルチオクターブ環境において、**IIP2（2次入力インターセプト・ポイント）**の確保は、システムのSFDR…
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- トラクションインバータ 第5世代SiC
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トラクションインバータ（走行用モータを駆動するメインインバータ）は、EVにおいてバッテリーの直流（D…
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- LDO ICメーカー
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LDO（低ドロップアウトレギュレータ）は、電源ICの中でも非常に汎用性が高く、多くの半導体メーカーが取…
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- 中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびインバータ開発状況
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中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびそれを用いたインバータ開発は、国家プロジェクトとしての…
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- i-THOP® Araki, Shinko
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近年注目を集める2.5次元（2.5D）や3次元（3D）の先進パッケージ（アドバンスド・パッケージング）、お…
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- iSLAの展示会参加
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国際星閃連盟（International SparkLink Wireless Short-Range Communication Alliance：iSLA）は、これ…
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- ASIL-Dシステム
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ASIL-D（Automotive Safety Integrity Level D）は、自動車の電気・電子（E/E）システムの機能安全に関…
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