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- vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）
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vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）の面白い点は、原子1層レベルの「レゴブロック」のよう…
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- DC/DCコンバーターの「脳」フィードバック制御
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DC/DCコンバーターの「脳」にあたるのがフィードバック制御です。出力電圧が目標からズレないよう、常に…
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- 特定次数の高調波が削減可能な双方向絶縁型DC-DCコンバータ
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双方向絶縁型DC-DCコンバータ（DABやMABなど）において、**「特定次数の高調波削減（Selective Harmonic…
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- POMの具体的な化学構造（ケギン型など）
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POM（ポリオキソメタレート）は、その構造によって電子の保持能力（蓄電性）や誘電特性が大きく異なりま…
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- パッシブプローブにダンピング抵抗を使う
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オシロスコープのパッシブプローブを使用する際、特に高速な信号や立ち上がりの鋭い波形を観測する場合…
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- T-ブランチ（Tree）トポロジ vs. Fly-byトポロジ
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DDR2や一部のDDR3で主流だったT-ブランチ（Tree）トポロジと、現在のDDR4/5で標準的なFly-byトポロジの…
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- HFM® – High-Speed FAKRA-Miniとは
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**HFM®（High-Speed FAKRA-Mini）**は、ドイツのコネクタメーカーである Rosenberger（ローゼンバーガー…
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- IIP2の確保と回路の平衡度（Balance）
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マルチオクターブ環境において、**IIP2（2次入力インターセプト・ポイント）**の確保は、システムのSFDR…
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- トラクションインバータ 第5世代SiC
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トラクションインバータ（走行用モータを駆動するメインインバータ）は、EVにおいてバッテリーの直流（D…
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- LDO ICメーカー
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LDO（低ドロップアウトレギュレータ）は、電源ICの中でも非常に汎用性が高く、多くの半導体メーカーが取…
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- 中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびインバータ開発状況
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中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびそれを用いたインバータ開発は、国家プロジェクトとしての…
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- i-THOP® Araki, Shinko
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近年注目を集める2.5次元（2.5D）や3次元（3D）の先進パッケージ（アドバンスド・パッケージング）、お…
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- iSLAの展示会参加
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国際星閃連盟（International SparkLink Wireless Short-Range Communication Alliance：iSLA）は、これ…
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- ASIL-Dシステム
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ASIL-D（Automotive Safety Integrity Level D）は、自動車の電気・電子（E/E）システムの機能安全に関…
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- E²AGLE（Electric Aircraft Ground Lab Environment）テストプ…
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泰克が航空機の電気化（Electrification of Aviation）を支援し、特にドイツで進行中の研究プロジェクト…
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- パンクチャリングによる通信効率の改善
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パンクチャリング技術によって得られる通信効率の改善は、特に「電波が混み合っている環境」で劇的な差…
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- チップレット搭載FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）
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チップレット技術を用いた**FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）**は、現代の高性能プロセッサ（AIアク…
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- MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
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MgO-based MTJ（以下、MTJ）を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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- プロセッサインメモリの市場機会
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プロセッサインメモリ（PIM: Processor-In-Memory）は、データ処理をメモリ内部で行うことで、「メモリ…
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