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- DDSやADPLLでのデジタル間引き・量子化処理「スプリアス」不要…
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FCXOやADPLLを搭載した最新のRF/SDRシステムを設計する上で、最大の障壁となるのがこの「デジタル起源の…
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- CHAdeMO規格 800V（高電圧）システム
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日本の急速充電規格であるCHAdeMO（チャデモ）と、800V（高電圧）システムの対応状況について、規格のロ…
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- DSOオシロスコープとは？
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DSOオシロスコープとは？ DSO（Digital Storage Oscilloscope／デジタル・ストレージ・オシロスコープ）…
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- パワー半導体はリチウムイオン電池の再来? 中国勢台頭
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「パワー半導体はリチウムイオン電池の再来、中国勢台頭」という論点は、現在のエレクトロニクス業界に…
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- GPUとCNNの関係
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GPUとCNNの関係は、「GPUの並列計算能力」が「CNNの膨大な演算」を可能にするという、切っても切れない…
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- STT-MRAM（スピン注入メモリ）と「ロジック・イン・メモリ」
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パワースピン株式会社が核とする2つの革新的技術、STT-MRAMとロジック・イン・メモリについて、その仕組…
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- BMWやベンツなどがGaNをどう車載に組み込もうとしているか？
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2026年現在、BMWやメルセデス・ベンツといった欧州メーカーも、テスラとは異なるアプローチで**GaN（窒…
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- 積層プロセスやSamsungの進捗 HBM4
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HBM4における積層プロセスは、従来の限界を突破するための主戦場となっています。特にこれまでSK hynix…
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- BLE SoCを搭載した「技適取得済みモジュール」
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SoC単体ではなく、すでにアンテナや受動部品が実装され、日本国内の「技適」を取得済みのモジュールを紹…
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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成（Spatial Power Combining）技術を用いたSSPA（Solid State Power Amplifier…
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- 永久磁石同期電動機の速度センサレス制御
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永久磁石同期電動機（PMSM）の速度センサレス制御は、回転子の位置や速度を検出するための物理的なセン…
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- PCSELとVCSELの違い
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PCSELとVCSELは、どちらも「チップの表面から垂直に光が出る」という点では似ていますが、その中身（光…
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- アクティブプローブにダンピング抵抗を使う
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アクティブ・プローブの場合、パッシブ・プローブとは内部構造（特に入力容量 C の小ささ）が根本的に異…
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- 28Gbps 高速I/O（SerDes）FPGA 評価ボード
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28Gbpsクラスの高速I/O（SerDes）を評価・開発するためのFPGA評価ボードは、主にハイエンドなネットワー…
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- HFM TDRによるインピーダンス・プロファイル評価
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のような超高速差動伝送では、周波数ドメインのSパラメータ（SDD11）だけ…
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- 低ダイナミック抵抗と超低容量を両立したESD保護ダイオード
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低ダイナミック抵抗（Rdyn）と超低容量（Ct）の両立は、高速信号ライン（USB4, Thunderbolt 4, HDMI 2.1…
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- 車載信頼性規格（AEC-Q101）第5世代SiC
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トラクションインバータやOBCなどの基幹部品に第5世代SiC MOSFETを採用する上で、避けて通れないのが車…
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- ON/OFF型コンバーターの不安定要素
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ON/OFF型コンバーター（スイッチングレギュレータ）において、動作が不安定になる要因は、制御ループの…
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- 10kV超級の超高耐圧SiC MOSFET次世代新幹線 リニア新幹線での…
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10kV〜18kV級の超高耐圧SiC MOSFETは、次世代新幹線（ALFA-X等）やリニア中央新幹線において、「電力変…
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