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- LoRa ー Wi-Fiゲートウェイ 農地や工場での用途
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農地や工場での利用は、まさにLoRaの強みが最も活きるシナリオです。 それぞれの環境に合わせた具体的…
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- 半導体CNT用いた高感度赤外線センサー
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CNT（カーボンナノチューブ）を用いた赤外線センサーは、次世代の光子工学において非常に注目されている…
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- 線形EMSDトランスデューサ
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「線形EMSDトランスデューサ（EMSD: Electromagnetic Soft Device / Electromagnetic Smart Device）」…
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- 電源電圧変動除去比（PSRR）
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「感度が不安定」という問題において、**PSRR（Power Supply Rejection Ratio）**は非常に重要なキーワ…
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- スプリットリング共振器
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スプリットリング共振器（Split-Ring Resonator: SRR）は、メタマテリアル（自然界には存在しない電磁気…
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- MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）4port VNA
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のコンプライアンステストにおいて、**4ポート VNA（ベクトル・ネットワ…
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- 窒化ガリウム（GaN）高品質な結晶成長
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赤﨑先生の「3つの大きな壁」の突破 赤﨑先生の功績は、窒化ガリウム（GaN）という非常に扱いにくい材…
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- リッツ線の採用や平角線の最適配置 第5世代SiC
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第5世代SiC MOSFETの採用によりスイッチング周波数が高まると、トランスの巻線設計において「交流抵抗（…
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- RFSoC パワーモジュール 積層セラミックコンデンサ
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RFSoC（Radio Frequency System on Chip）やパワーモジュールの設計において、積層セラミックコンデンサ…
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- 18kV SiC MOSFETを採用したインバータ
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18kV SiC MOSFETを採用したインバータは、現在パワーエレクトロニクスにおける世界最先端の技術領域であ…
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- 「MultiSynth」分数分周器
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Si5351Aのコアテクノロジーである「MultiSynth（マルチシンセ）」は、分数分周（Fractional-N Division…
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- BYD, Triductor等のサプライチェーン エコシステム SparkLinkア…
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中国の自動車産業、特にEV（電気自動車）およびSDV（Software Defined Vehicle：ソフトウェア定義自動車…
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- 低NV制御技術（キャリア位相シフト制御）
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インバータのSiC化やモータの超高回転化が進むe-Axleにおいて、制御面からアプローチする低NV（騒音・振…
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- チップレットパッケージ基板とは
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チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）
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IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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- 「トラップリッチ層」による高調波抑制（ハーモニクス）
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SoitecのRF-SOI基板、特にRFeSI（RF enhanced Signal Integrity）における**「トラップリッチ層（Trap-R…
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- Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
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**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
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- TLPB（過渡液相接合）高温接合技術 SiC
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**TLPB（Transient Liquid Phase Bonding：過渡液相接合）**は、銀シンター接合と並んで、300°C以上の極…
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