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- テスラのCybertruckで採用された48V冗長システム
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テスラが「サイバートラック（Cybertruck）」で導入した48V冗長システムは、単なる電圧の変更を超えた、…
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- 富士電機とボッシュ、互換性あるSiC車載モジュール開発
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富士電機とドイツのボッシュ（Robert Bosch）は、電動車（xEV）向けSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジ…
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- LoRa ESP32」マイコンボード
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ESP32は、Arduino IDEで開発できるマイコンの中でもWi-FiとBluetoothが標準搭載されており、LoRa-Wi-Fi…
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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所（産総研）の研究チームによる**「高感度なCNT（…
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- DC-DC MAB型コンバータ
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MAB（Multi-Active Bridge：マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータは、DAB（Dual Active Bridge）…
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- 低電力ニューロモルフィック実装
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「低電力ニューロモルフィック実装」は、現在のAIが直面している「電力の壁」を打破する鍵として、非常…
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- LEDドライバICの寄生パラメータ
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LEDドライバを統合回路（IC）化し、高密度・高周波で動作させる際に避けて通れないのが**「寄生パラメー…
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- ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング
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ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束（磁界）**を利用したエネルギーハーベスティングは、…
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- H-MTD, RosenbergerからSMA/3.5mmへ変換するフィクスチャ
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IEEE 802.3ch (MultiGBASE-T1) のような高速通信（最大10Gbps）では、10GHzを超える帯域での測定が必要…
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- 広帯域デジタル・レシーバー設計におけるSFDRの要点
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広帯域デジタル・レシーバーの設計において、**SFDR（Spurious-Free Dynamic Range：自由ダイナミック・…
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- EV用車載充電器（OBC）: 800Vシステム 事例 第5世代SiC
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800Vシステムを採用するEV（電気自動車）において、第5世代SiC MOSFETと平面トランスを組み合わせた車載…
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- Joint Communications and Sensing (JCAS)
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Joint Communications and Sensing (JCAS)、あるいはISAC (Integrated Sensing and Communications) と…
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- 10kV超級のSiC MOSFETを用いたインバータ・コンバータ技術 論文
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10kV〜18kV級のSiC MOSFETを用いたインバータ・コンバータ技術に関しては、IEEE（特にPELS: Power Elect…
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- HP3325A/35A シンセサイザ
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HP 3325A（のちにアジレント/キーサイト）は、1970年代後半（1978年頃）にHewlett-Packard社が発売した…
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- 国内メーカーの対応 SparkLink
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トヨタ自動車やホンダをはじめとする日本の主要自動車メーカーおよびTier 1サプライヤー（デンソー、パ…
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- EPS（Electric Power Steering 電動パワーステアリング）
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EPS（Electric Power Steering：電動パワーステアリング）は、モータの動力によってドライバーのステア…
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- FS（Field Stop）-IGBT
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🛡️ FS-IGBT (Field Stop IGBT) とは FS-IGBTは、従来のIGBT（Non-Punch Through IGBT: NPT-IGB…
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- ダブルゲート構造IEGT技術
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
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- 高調波抑制が5Gのミリ波（mmWave）通信にどう貢献しているか
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5Gのミリ波（mmWave：28GHz帯など）通信において、Soitecのトラップリッチ層による高調波抑制は、「通信…
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- Chip-to-Wafer（C2W）のCu-Cuハイブリッドボンディング
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「チップ・トゥ・ウエハー（Chip-to-Wafer: C2W）」のCu-Cuハイブリッドボンディングは、現在のAI半導体…
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