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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- ガラスコア基板におけるABFの役割
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次世代のパッケージ基板として注目されている**「ガラスコア基板(Glass Core Substrate)」**において…
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- 「UEC対応チップ」の性能
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2026年現在、UEC(Ultra Ethernet Consortium) Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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- 第7世代以降のIGBTの具体的な特徴
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第7世代以降のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)が、それまでの世代と何が違い、どのような特…
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- EVにおいて、I3C EEPROMの役割
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EV(電気自動車)の設計において、I3C EEPROMがデファクトスタンダード(事実上の標準)になりつつある…
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- フラッシュLiDAR
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「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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- EPS (Extended Phase Shift) / DPS (Dual Phase Shift)
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4ポート磁気結合コンバータ(MAB)において、単純な位相差制御(SPS: Single Phase Shift)の弱点を克服…
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- スナバレスZCS E級、LLC、Buck型準共振
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MHz駆動のスナバレスZCS(零電流スイッチング)を実現する上で、代表的な3つのトポロジーについて、それ…
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- LEDを光センサーとして使い照明強度を計測
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LEDを光センサー(フォトダイオードモード)として利用するのは、非常に賢く面白いアプローチです。実は…
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- ダイヤモンド量子センサを用いた高周波デバイスの磁界分布
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高周波デバイス(RF ICや高速信号ライン)における磁界分布の可視化は、EMI(電磁干渉)の特定やパワー…
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- DGX Spark NVIDIA
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NVIDIA DGX Sparkは、2025年後半から2026年初頭にかけて登場した、Blackwellアーキテクチャを採用した世…
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- FPGA上でのデジタル干渉キャンセラーのロジック実装
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FPGA(特にRFSoC)上で実装する**デジタル干渉キャンセラー(Digital Interference Canceller)**は、Wi…
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- PCIe 6.0 は 64 GT/s
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PCIe 6.0 の 64 GT/s という数字は、単なるスピードアップ以上の技術的限界への挑戦を意味しています。 …
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- USB PD 3.1 ERP
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「USB PD 3.1 EPR(Extended Power Range)」について。 従来のUSB PD 3.0では最大100W(20V/5A)が限…
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- 高周波マルチレベルSSTのトポロジ
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高周波マルチレベルSST(ソリッドステート変圧器)のトポロジは、電力インフラ(13.8kV〜35kVクラスのグ…
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- 分散型増幅器(DA)最新動向
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分散型増幅器(DA: Distributed Amplifier、または進行波増幅器)は、トランジスタの寄生容量を疑似伝送…
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- Gogoro(ゴゴロ)
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Gogoro(ゴゴロ / 睿能創意)は、台湾を拠点とする電動二輪車メーカーであり、世界最大規模のバッテリー…
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- オシロスコープ GaN測定対応
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オシロスコープ GaN測定対応とは? GaN(窒化ガリウム)は、近年注目されている高効率・高速スイ…

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