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「単分子誘電体（Single-Molecule Dielectrics）」としての**POM（ポリオキソメタレート）**は、極限ま…
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- Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）
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**Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…
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- DDR4 Fly-byトポロジ
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DDR4メモリ設計において、Fly-by（フライバイ）トポロジは信号の品質を保ち、高速なデータ転送を実現す…
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- HFM から2.92ｍｍ変換アダプタ
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）の評価において、Rosenbergerの**HFM（High-Speed FAKRA-Mini）から2.92m…
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- マルチオクターブ環境では2次相互変調歪み（IMD2）がノイズフロ…
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マルチオクターブ環境では、2次相互変調歪み（IMD2）がノイズフロアを大きく上回り、システム性能を支配…
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ローム（ROHM）の第5世代SiC MOSFET（開発中・順次投入）は、車載充電器（OBC）の次世代スタンダードを…
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MRI（磁気共鳴画像法）システムは、極低ノイズのRF信号処理と、大電力のRF送信、そして精密な磁場制御が…
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ノースカロライナ州立大学（NC State University）の Subhashish Bhattacharya 教授は、パワーエレクト…
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- CoWoP（Chip on Wafer on PCB）
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CoWoP（Chip on Wafer on PCB）とは、次世代のAI半導体やHPC（ハイパフォーマンス・コンピューティング…
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HiSilicon（海思半導体）とTriductor（創耀科技）は、SparkLink（星闪）エコシステムにおいて、それぞれ…
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自動運転（Level 3以上）や高度な運転支援システムにおいて、安全担保の決定打となるのがMRM（Minimum R…
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AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…
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- 「Soitec以外の競合技術（バルクSiでの補正など）」
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SoitecのRF-SOI（およびRFeSI）は、Wi-Fi 7や5Gミリ波の市場において圧倒的なシェアを持っていますが、…
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MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレインモルフィック（脳型）システムは、現…
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- DRAMとNANDフラッシュ最新スマホへの影響
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2026年現在の最新スマートフォン市場において、DRAM（メモリ）とNANDフラッシュ（ストレージ）の価格高…
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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フォトニック結晶面発光レーザー（PCSEL: Photonic-Crystal Surface-Emitting Laser）は、次世代の光技…
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- 共振インダクタとトランスの統合設計（磁気統合）
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磁気統合（Magnetic Integration）は、EV急速充電器のような高出力・高密度な電源設計において、**「部…
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