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- シミュレーション（AGDの設計等）
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アクティブ・ゲートドライブ（AGD）の設計におけるシミュレーションは、前述の CMTI（ドライバの誤動作…
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- バックスキャッター通信（後方散乱通信）を統合したワイヤレス…
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バックスキャッター通信（後方散乱通信）を統合したワイヤレス電力伝送（WPT）サブシステムは、バッテリ…
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- 400V/800Vといった高電圧（HV：High Voltage）ライン
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400Vおよび800Vの高電圧（HV）ラインは、「すでに完全な実用化（量産）フェーズにあり、現在はハイエン…
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- オシロスコープで電流を測定するには？
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オシロスコープで電流を測定するには？ オシロスコープは本来、電圧波形を観測する装置ですが、電流測定…
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- スパイラルダイポール形送電素子
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スパイラルダイポール形送電素子による伝送路を構築し、共鳴型ワイヤレス電力伝送技術による道路走行中の…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- GPUとCNNの関係
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GPUとCNNの関係は、「GPUの並列計算能力」が「CNNの膨大な演算」を可能にするという、切っても切れない…
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- パワースピン株式会社の挑戦
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パワースピン株式会社（PowerSpin Inc.）は、東北大学発のスタートアップとして、次世代の半導体メモリ…
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- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
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2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
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- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- LoRa 土壌水分計や電流センサーなどを繋ぐ
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「土壌水分計」と「電流センサー」は、農地と工場の管理において最も実用的な組み合わせです。 ESP32を…
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- インジウムリン（InP） 格子定数やバンドギャップ
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インジウムリン（InP）の物理的特性、特に格子定数とバンドギャップは、この材料が光通信の「王者」と呼…
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- MAB ポート間の干渉をデカップリング（非干渉化）する制御
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MAB（マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータにおいて、最大の技術的ハードルは「ポートAからBへ電…
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- 単分子誘電体（Single-Molecule Dielectrics）
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「単分子誘電体（Single-Molecule Dielectrics）」としての**POM（ポリオキソメタレート）**は、極限ま…
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- Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）
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**Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…
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- DDR4 Fly-byトポロジ
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DDR4メモリ設計において、Fly-by（フライバイ）トポロジは信号の品質を保ち、高速なデータ転送を実現す…
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- HFM から2.92ｍｍ変換アダプタ
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）の評価において、Rosenbergerの**HFM（High-Speed FAKRA-Mini）から2.92m…
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- マルチオクターブ環境では2次相互変調歪み（IMD2）がノイズフロ…
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マルチオクターブ環境では、2次相互変調歪み（IMD2）がノイズフロアを大きく上回り、システム性能を支配…
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- 第5世代SiC OBC Crss ローム
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ローム（ROHM）の第5世代SiC MOSFET（開発中・順次投入）は、車載充電器（OBC）の次世代スタンダードを…
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