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- IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）
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IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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- 「トラップリッチ層」による高調波抑制（ハーモニクス）
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SoitecのRF-SOI基板、特にRFeSI（RF enhanced Signal Integrity）における**「トラップリッチ層（Trap-R…
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- Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
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**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
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- TLPB（過渡液相接合）高温接合技術 SiC
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**TLPB（Transient Liquid Phase Bonding：過渡液相接合）**は、銀シンター接合と並んで、300°C以上の極…
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- ウェハを極限まで薄く削る技術動向
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ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN（裏面電源供給）や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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- Bluetooth 6.x 系: 「Channel Sounding」
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2026年には本格的な普及が期待されている Bluetooth 6.0 の目玉機能、「Channel Sounding（チャネルサウ…
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- パワー半導体のSiトレンチ
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パワー半導体（IGBTやMOSFET）のSiトレンチ形成では、耐圧特性やオン抵抗に直結する**「トレンチ形状の…
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- 絶縁型Y-Δ結線SR-SAB DC-DC コンバータの回路動作
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）DC-DCコンバータは、高電圧・大電力アプ…
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- 単相3線式連系インバータの自立運転時中性点電圧バランス特性
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単相3線式（単3）連系インバータが停電時などに「自立運転」を行う際、最も大きな課題となるのが中性点…
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- ASA‑ML／10BASE‑T1S 車載ネットワーク
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10BASE-T1S は、近年の自動運転技術や高度な電子制御（E/Eアーキテクチャ）の進化に伴い、非常に注目さ…
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- Wi-Fi 8 (802.11bn) と Bluetooth 7 相互干渉シナリオ
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Wi-Fi 8 (802.11bn) と Bluetooth 7 が FastConnect 8800 のような超高集積チップ内で同時動作する際、…
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- IBERTを使用したリンクテスト
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IBERT（Integrated Bit Error Ratio Tester）を使用したリンクテストは、28Gbps NRZや56Gbps PAM4といっ…
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- Marvell の評価ボードでテストモード（Test Mode 1-6）を起動
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Marvell（マーベル）の車載イーサネットPHY（Brightlaneシリーズ：88Q4364 等）において、IEEE 802.3ch …
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- Thunderbolt 5
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Thunderbolt 5（サンダーボルト 5）は、Intelが開発した最新の次世代通信規格です。従来のThunderbolt 4…
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- クランプダイオード（TVS）SMPS
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クランプダイオード（TVS：Transient Voltage Suppressor）は、静電気放電（ESD）や雷サージ、スイッチ…
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- MITによる「注射可能な」脳コンピューターチップ技術
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💉 MITによる「注射可能な」脳コンピューターチップ技術 マサチューセッツ工科大学（MIT）…
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- 高電圧に耐えるように設計されたコンデンサー
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高電圧（HV）コンデンサーは、数千ボルト（V）以上の電圧に耐え、安定して動作できるように特殊な設計が…
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- USB4 動的な帯域管理の仕組み
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USB4における**動的な帯域管理（Dynamic Bandwidth Allocation）**は、前述の「トンネリング」技術を土…
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- 日本のデータセンターにおけるHDD/SSD採用の現状
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2025年現在の日本国内のデータセンターにおけるHDDとSSDの採用状況は、**「AIインフラへの投資集中」と…
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