-
- ハンダ接合部の疲労破壊 超音波領域（AEC-Q200-003）
-
ハンダ接合部の疲労破壊において、超音波領域（20kHz以上）の振動が関与するケースは、近年の車載電子機…
-
- 10kV SiC MOSFETを採用したインバータ
-
10kV SiC MOSFETを採用したインバータは、従来のシリコン（Si）ベースのシステムに比べ、高電圧化・高効…
-
- BMS バッテリーシステムとの連携 SparkLink（NearLink）
-
SparkLink（NearLink）をEVのインバータやバッテリーマネジメントシステム（BMS）に連携・統合するとい…
-
- 高周波NVH（Noise, Vibration, Harshness）対策
-
e-Axleの超高回転化（15,000〜20,000 rpm以上）およびインバータのSiC化に伴い、EVの静粛性を脅かす高周…
-
- オシロスコープ 接地と安全
-
1. オシロスコープの接地の基本 ■ 一般的なオシロスコープの接地 多くのベンチトップ型オシロスコ…
-
- PER-DDPGを用いた狭路環境におけるロボット移動
-
PER-DDPG（Prioritized Experience Replay - Deep Deterministic Policy Gradient）を用いた狭路環境に…
-
- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
-
高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
-
- Wi-Fi 7ルーター（親機）側のハードウェア動向
-
最新世代のスマートフォンやゲーム機を最大限に活かすための、Wi-Fi 7ルーター（親機）側のハードウェア…
-
- CFET 裏面電源供給（Backside Power）
-
**裏面電源供給（Backside Power Delivery Network: BSPDN）**は、半導体チップの「電源の通り道」を劇…
-
- 高温対応パッケージ（銀シンター接合など）の技術
-
300°Cという極高温下では、従来の電子機器パッケージングで使われていた材料（ハンダや樹脂）のほとんど…
-
- CFET と BSPDN
-
CFET（相補型FET）とBSPDN（裏面電源供給ネットワーク）は、2nmプロセス以降の「ポストムーア」時代にお…
-
- オシロスコープとプローブシステムの組合せによる利用可能最大…
-
オシロスコープを使用して正確な測定を行う際、システム全体の**利用可能最大帯域幅（合成帯域幅）**は…
-
- パワー半導体のSiトレンチ
-
パワー半導体（IGBTやMOSFET）のSiトレンチ形成では、耐圧特性やオン抵抗に直結する**「トレンチ形状の…
-
- 絶縁型Y-Δ結線SR-SAB DC-DC コンバータの回路動作
-
絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）DC-DCコンバータは、高電圧・大電力アプ…
-
- 単相3線式連系インバータの自立運転時中性点電圧バランス特性
-
単相3線式（単3）連系インバータが停電時などに「自立運転」を行う際、最も大きな課題となるのが中性点…
-
- ASA‑ML／10BASE‑T1S 車載ネットワーク
-
10BASE-T1S は、近年の自動運転技術や高度な電子制御（E/Eアーキテクチャ）の進化に伴い、非常に注目さ…
-
- Wi-Fi 8 (802.11bn) と Bluetooth 7 相互干渉シナリオ
-
Wi-Fi 8 (802.11bn) と Bluetooth 7 が FastConnect 8800 のような超高集積チップ内で同時動作する際、…
-
- IBERTを使用したリンクテスト
-
IBERT（Integrated Bit Error Ratio Tester）を使用したリンクテストは、28Gbps NRZや56Gbps PAM4といっ…
-
- Marvell の評価ボードでテストモード（Test Mode 1-6）を起動
-
Marvell（マーベル）の車載イーサネットPHY（Brightlaneシリーズ：88Q4364 等）において、IEEE 802.3ch …
T&M
即納ストア
