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- NVIDIAのDRIVE Thor（ドライブ・トール）
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NVIDIAのDRIVE Thor（ドライブ・トール）は、自動運転および車載コンピューティングの常識を塗り替える…
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- USB Type-Cケーブル E-Marker
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USB Type-CケーブルにおけるIDチップ（一般的にE-Marker：Electronic Markerと呼ばれます）の搭載につい…
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- 次世代新幹線 フルSiC
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N700Sで「フルSiC（MOSFET＋SBD）を用いた主変換装置（インバータ・コンバータ）」が世界で初めて高速鉄…
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- AIとLLM 電磁システムとRFシステムに変革
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電磁（EM）システムおよび高周波（RF）システムの設計・開発領域は、従来の数値計算シミュレーション（H…
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- NJR4265J 24GHz
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NJR4265J（またはNJR4265R-J1）は、日清紡マイクロデバイス（旧・新日本無線：NJR）が開発した、24GHz帯…
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- MRAM混載（eMRAM）のPDK
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パワースピン社がファウンドリ（半導体製造受託企業）やファブレス設計企業に向けて提供するPDK（Process …
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- オシロスコープのADC指標「ENOB (effective number of bits)」…
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ENOB (Effective Number of Bits)は、オシロスコープのADC（アナログ・デジタル変換器）の実質的な分解…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…
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- 非侵襲性脳コンピュータインターフェース
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🧠 非侵襲性脳コンピュータインターフェース (Non-invasive BCI) 非侵襲性脳コンピュータイ…
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- オルタネートモード（Alt Mode）USB 3.2
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USBの**オルタネートモード（Alt Mode）**は、USB Type-Cコネクタの柔軟性を活かして、USB本来のデータ…
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- SiC シングルトランジスタ駆動におけるクロストークの原理
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ローム（ROHM）などのパワーデバイス（特にSiC MOSFETやIGBT）における「シングルトランジスタ駆動」と…
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- Intelの製造プロセス（18A/14A）
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Intelの製造プロセスにおける**18A（1.8nmクラス）と14A（1.4nmクラス）**は、単なる微細化のステップで…
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- DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画…
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DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画」については、これまでの電池開発の常識…
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- FTQCによる暗号解読や新材料の発見など
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PsiQuantumがブリスベンで建設中の「100万量子ビット機」が完成すると、計算の世界は「予測」から「シミ…
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- EFG法による150 mm β-Ga2O3 単結晶の育成
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酸化ガリウム（β-Ga2O3）は、その広いバンドギャップ（約4.8 eV）と高い絶縁破壊電界により、次世代のパ…
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- 3コイル球面モータ 多自由度ロボット関節
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3コイル球面モータを用いたロボット関節は、まさに「機械的な肩」や「股関節」を実現するための理想的な…
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- アクティブプローブ シングルエンドと差動
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オシロスコープの測定において、**「どこを基準に電圧を測るか」**によって、シングルエンドプローブと…
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- SnVの電子スピン状態の制御手法
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ダイヤモンドSnV（スズ空孔）センターの電子スピン状態を制御する手法は、量子メモリや量子ネットワーク…
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