-
- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
-
2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
-
- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
-
ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
-
- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
-
富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
-
- LoRa 土壌水分計や電流センサーなどを繋ぐ
-
「土壌水分計」と「電流センサー」は、農地と工場の管理において最も実用的な組み合わせです。 ESP32を…
-
- インジウムリン（InP） 格子定数やバンドギャップ
-
インジウムリン（InP）の物理的特性、特に格子定数とバンドギャップは、この材料が光通信の「王者」と呼…
-
- MAB ポート間の干渉をデカップリング（非干渉化）する制御
-
MAB（マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータにおいて、最大の技術的ハードルは「ポートAからBへ電…
-
- 単分子誘電体（Single-Molecule Dielectrics）
-
「単分子誘電体（Single-Molecule Dielectrics）」としての**POM（ポリオキソメタレート）**は、極限ま…
-
- Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）
-
**Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…
-
- DDR4 Fly-byトポロジ
-
DDR4メモリ設計において、Fly-by（フライバイ）トポロジは信号の品質を保ち、高速なデータ転送を実現す…
-
- HFM から2.92ｍｍ変換アダプタ
-
MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）の評価において、Rosenbergerの**HFM（High-Speed FAKRA-Mini）から2.92m…
-
- マルチオクターブ環境では2次相互変調歪み（IMD2）がノイズフロ…
-
マルチオクターブ環境では、2次相互変調歪み（IMD2）がノイズフロアを大きく上回り、システム性能を支配…
-
- 第5世代SiC OBC Crss ローム
-
ローム（ROHM）の第5世代SiC MOSFET（開発中・順次投入）は、車載充電器（OBC）の次世代スタンダードを…
-
- MRIコンポーネント
-
MRI（磁気共鳴画像法）システムは、極低ノイズのRF信号処理と、大電力のRF送信、そして精密な磁場制御が…
-
- Prof. Subhashish Bhattacharya
-
ノースカロライナ州立大学（NC State University）の Subhashish Bhattacharya 教授は、パワーエレクト…
-
- CoWoP（Chip on Wafer on PCB）
-
CoWoP（Chip on Wafer on PCB）とは、次世代のAI半導体やHPC（ハイパフォーマンス・コンピューティング…
-
- HiSilicon（海思半導体）Triductor（創耀科技）SparkLink
-
HiSilicon（海思半導体）とTriductor（創耀科技）は、SparkLink（星闪）エコシステムにおいて、それぞれ…
-
- Minimum Risk Maneuver：ミニマム・リスク・マニューバ
-
自動運転（Level 3以上）や高度な運転支援システムにおいて、安全担保の決定打となるのがMRM（Minimum R…
-
- AUTO TECH China 2025 で最新の車載 AI
-
AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…
-
- 「Soitec以外の競合技術（バルクSiでの補正など）」
-
SoitecのRF-SOI（およびRFeSI）は、Wi-Fi 7や5Gミリ波の市場において圧倒的なシェアを持っていますが、…
T&M
即納ストア