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- ASIL-Dシステム
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ASIL-D（Automotive Safety Integrity Level D）は、自動車の電気・電子（E/E）システムの機能安全に関…
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- SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
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この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）
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IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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- 「Soitec以外の競合技術（バルクSiでの補正など）」
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SoitecのRF-SOI（およびRFeSI）は、Wi-Fi 7や5Gミリ波の市場において圧倒的なシェアを持っていますが、…
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- MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
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MgO-based MTJ（以下、MTJ）を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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- プロセッサインメモリの市場機会
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プロセッサインメモリ（PIM: Processor-In-Memory）は、データ処理をメモリ内部で行うことで、「メモリ…
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- EEPROMは成熟した不揮発性メモリ（NVM）今後は？
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EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は、1980年代の普及開始から約40年が経…
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- LiDAR（ライダー）向けのPCSEL
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LiDAR（ライダー）向けのPCSELは、自動運転やロボットの「目」として、現在の主流であるVCSELや端面発光…
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- SR-SAB 損失解析（コア損と銅損の配分）
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磁気統合されたトランスを用いるSR-SABでは、通常のトランスとは異なり**「漏れ磁束を積極的に利用する…
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- デュアルパスハイブリッドDC-DCコンバータ
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デュアルパスハイブリッドDC-DCコンバータ（Dual-path Hybrid DC-DC Converter）は、従来のインダクタベ…
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- PCIe over Fiber（光ファイバー伝送）
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PCIe over Fiber（光ファイバーによるPCIe延長）は、電気信号を光信号に変換して伝送する技術です。PCIe…
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- 10 MHz to 110 GHz Ultra-Wideband Distributed Amplifier メ…
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10 MHzから110 GHzという超広帯域をカバーする分散増幅器（Distributed Amplifier）は、テラヘルツ波や6…
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- IEEE 802.1Qbv（スケジューリング）
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IEEE 802.1Qbv（Time-Aware Shaper: TAS）は、TSN規格群の中でも**「通信の確定性」**を担保する最も核…
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- Wi-SUN 周波数拡大
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Wi-SUN、特に Wi-SUN FAN 1.1 における周波数拡大は、従来の 920MHz帯（サブギガ帯）の枠を超え、より広…
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- SST（Solid State Transformer）
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SST（Solid State Transformer：半導体変圧器）は、従来の重くて巨大な鉄芯と銅線を用いた電磁トランス…
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- NVIDIA DGX Spark
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NVIDIA DGX Sparkは、2025年10月に発表・発売された、世界初の「パーソナルAIスーパーコンピューター」…
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- USB Type-C ケーブルの仕様情報をホスト側に通信する仕組み
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USB Type-Cケーブルが自身の性能（電力許容値や転送速度）をホスト機器に伝える仕組みは、物理層の専用…
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