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- UEC（Ultra Ethernet）の技術仕様
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2025年6月に正式リリースされた「UEC Specification 1.0」に基づき、その詳細な技術仕様を解説します。 …
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- パワー半導体の電力損失を低減できる仕組み 「第8世代IGBT」
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2026年1月14日、三菱電機、東京科学大学（旧 東工大）、筑波大学、Quemix（ケミックス）の研究グループ…
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- I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）
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「I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）」は、EEPROMやセンサーの分野で、これまで主流だった I2C…
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- PCSELの開発 社会実装
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PCSELの開発は、京都大学の野田進教授を中心とした産学連携プロジェクトにより、日本企業が世界を大きく…
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- DC-DC（双方向・多相） 4ポート磁気結合コンバータの位相差
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DC-DC（双方向・多相）4ポート磁気結合コンバータにおいて、**「位相差（Phase Shift）」**は、各ポート…
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- ANNベースの正弦波変調低速センサレス制御
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「ANN（人工ニューラルネットワーク）ベースの正弦波変調低速センサレス制御」は、モータ制御における非…
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- 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度
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FIP制度（フィード・イン・プレミアム）の仕組み 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度は、従…
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- AMD RFSoCを用いた4.5 GHz系の評価におけるアップコンバート後…
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AMD RFSoC（Gen3以降など）を使用して4.5 GHz帯の信号を生成し、それを110 GHzクラスの超広帯域システム…
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- GCLのパラメータ（Time Interval）
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GCL（Gate Control List）のTime Intervalパラメータは、TSNスイッチの各出力キューが「どの状態（開/閉…
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- RFSoC 側での DDC（デジタル・ダウン・コンバート）のチャネル…
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RFSoC（Zynq UltraScale+ RFSoCなど）を用いた4.5GHz帯デバイスの評価において、DDC（Digital Down Conv…
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- オシロスコープ 入門
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オシロスコープ 入門 オシロスコープは、電気信号の波形を時間軸上に可視化するための計測器です。電子回…
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- Bladepoint Intel XeSS 2.1 サポート
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Bladepoint（中国語名：永劫無間）は、Intel XeSS 2.1のサポートを実装しています。 このサポートによ…
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- Foxconn (鴻海精密工業) USB4
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Foxconn（鴻海精密工業）は、世界最大の電子機器受託製造サービス（EMS）企業として知られていますが、U…
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- SiCパワーデバイスの劣化抑制に用いられる「MeV（メガ電子ボル…
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SiCパワーデバイスの劣化抑制（ピン留め効果）に用いられる「MeV（メガ電子ボルト）級」のエネルギーを…
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- 車載規格（AEC-Q100など）
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車載規格、特に AEC-Q100 は、半導体が自動車という過酷な環境で「10年・15万キロ」使い続けられること…
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- トレンチ型SiC-MOSFET、プレーナ型が抱えていた物理的な限界打破
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トレンチ型SiC-MOSFETは、従来のプレーナ型が抱えていた物理的な限界（JFET抵抗やセル密度の制約）を打…
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- α-Ga2O3（アルファ型）
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β-Ga2O3（ベータ型）が安定相であるのに対し、**α-Ga2O3（アルファ型）**は「コランダム構造」を持つメ…
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- 部分放電（PD）インパルス巻き線試験機
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インパルス試験機（衝撃電圧・電流発生装置）は、雷や開閉サージといった**「異常電圧」に対する電気機…
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