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  • AUTO TECH China 2025 で最新の車載 AI
    AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…
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  • 半侵襲性BCI
    半侵襲性BCI(Partially Invasive BCI、または低侵襲型BCI/Minimally Invasive BCI)とは、ブレイン・コ…
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  • 「Soitec以外の競合技術(バルクSiでの補正など)」
    SoitecのRF-SOI(およびRFeSI)は、Wi-Fi 7や5Gミリ波の市場において圧倒的なシェアを持っていますが、…
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  • 傳田精一先生
    傳田精一(でんだ せいいち)先生は、日本の半導体産業の黎明期から発展期にかけて多大な貢献をされた、…
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  • MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレ…
    MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレインモルフィック(脳型)システムは、現…
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  • DRAMとNANDフラッシュ最新スマホへの影響
    2026年現在の最新スマートフォン市場において、DRAM(メモリ)とNANDフラッシュ(ストレージ)の価格高…
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  • MicroVFD(可変周波数ドライブ)メリット
    QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD(可変周波数ドライブ)は、EV(電気自動車)と産業用…
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  • ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池
    「ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池(PVK/OSC Tandem)」は、現在太陽電池の研究開発において**「最…
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  • ソフトスイッチング(ZVS/ZCS)が成立する条件
    絶縁型Y-Δ SR-SABにおいて、ソフトスイッチング(ZVS: ゼロ電圧スイッチング、ZCS: ゼロ電流スイッチン…
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  • 高速電流検出レス電流三角波モード制御法
    「高速電流検出レス電流三角波モード制御法」について、その仕組みと利点を分かりやすく解説します。 …
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  • PCIe用の絶縁技術 産業機器
    産業機器においてPCIE(PCI Express)の通信を絶縁することは、高電圧からのシステム保護、ノイズ耐性の…
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  • 3GPP Release 19における5G NTN(NR-NTN)の物理層(PHY)の変…
    3GPP Release 19における5G NTN(NR-NTN)の物理層(PHY)の変更点は、単なる通信維持の段階から、**「…
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  • CC-Link IE TSN
    CC-Link IE TSNは「リアルタイム性」と「情報系ネットワークの統合」を担う重要な産業用オープンネット…
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  • PyTorch(hls4ml)を用いた通信路推定の自動化
    PyTorchとhls4ml(High-Level Synthesis for Machine Learning)を組み合わせた通信路推定(Channel Est…
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  • USB PD (Power Delivery) アダプタ フライバックIC
    USB PD(Power Delivery)アダプタは、USB Type-Cコネクタを利用して最大240W(最新のUSB PD 3.1規格)…
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  • Thunderbolt 5, USB4はなぜPAM4ではないのか?
    なぜより高効率なPAM4(4値パルス振幅変調)ではなく、PAM3がThunderbolt 5やUSB4 Version 2.0に採用さ…
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  • SiC(シリコンカーバイド)SBD SMPS
    SiC-SBD(シリコンカーバイド・ショットキーバリアダイオード)は、次世代パワー半導体素材であるSiCを…
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  • オシロスコープ GaN測定対応
    オシロスコープ GaN測定対応とは?   GaN(窒化ガリウム)は、近年注目されている高効率・高速スイ…
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  • アクティブプリチャージ 降圧トポロジのスイッチングコンバータ
    アクティブプリチャージ(Active Pre-Charge)回路で、降圧(Buck)トポロジのスイッチングコンバータを…
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  • ダイ・トゥ・ウェーハ・ハイブリッド接合(Die-to-Wafer Hybrid…
    「ダイ・トゥ・ウェーハ・ハイブリッド接合(Die-to-Wafer Hybrid Bonding)」は、主に半導体の**3次元…
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