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- ロジック・イン・メモリ
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**ロジック・イン・メモリ（Logic-in-Memory）**は、現在のコンピューターが抱える最大の弱点である「デ…
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- 酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイス
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酸化ガリウム（Ga2O3）は、現在普及が進んでいるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）を超える次世代…
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- 積層プロセスやSamsungの進捗 HBM4
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HBM4における積層プロセスは、従来の限界を突破するための主戦場となっています。特にこれまでSK hynix…
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- BLE SoCを搭載した「技適取得済みモジュール」
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SoC単体ではなく、すでにアンテナや受動部品が実装され、日本国内の「技適」を取得済みのモジュールを紹…
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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成（Spatial Power Combining）技術を用いたSSPA（Solid State Power Amplifier…
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- 永久磁石同期電動機の速度センサレス制御
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永久磁石同期電動機（PMSM）の速度センサレス制御は、回転子の位置や速度を検出するための物理的なセン…
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- PCSELとVCSELの違い
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PCSELとVCSELは、どちらも「チップの表面から垂直に光が出る」という点では似ていますが、その中身（光…
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- アクティブプローブにダンピング抵抗を使う
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アクティブ・プローブの場合、パッシブ・プローブとは内部構造（特に入力容量 C の小ささ）が根本的に異…
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- 28Gbps 高速I/O（SerDes）FPGA 評価ボード
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28Gbpsクラスの高速I/O（SerDes）を評価・開発するためのFPGA評価ボードは、主にハイエンドなネットワー…
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- HFM TDRによるインピーダンス・プロファイル評価
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のような超高速差動伝送では、周波数ドメインのSパラメータ（SDD11）だけ…
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- 低ダイナミック抵抗と超低容量を両立したESD保護ダイオード
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低ダイナミック抵抗（Rdyn）と超低容量（Ct）の両立は、高速信号ライン（USB4, Thunderbolt 4, HDMI 2.1…
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- 車載信頼性規格（AEC-Q101）第5世代SiC
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トラクションインバータやOBCなどの基幹部品に第5世代SiC MOSFETを採用する上で、避けて通れないのが車…
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- ON/OFF型コンバーターの不安定要素
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ON/OFF型コンバーター（スイッチングレギュレータ）において、動作が不安定になる要因は、制御ループの…
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- 10kV超級の超高耐圧SiC MOSFET次世代新幹線 リニア新幹線での…
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10kV〜18kV級の超高耐圧SiC MOSFETは、次世代新幹線（ALFA-X等）やリニア中央新幹線において、「電力変…
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- SOP and QFN/DFN AOI
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表面実装（SMT）基板の実装検査において、有リードパッケージであるSOP（Small Outline Package）と、ノ…
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- SparkLink mmWave（ミリ波）標準化ワーキンググループ
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SparkLink mmWave（星闪ミリ波）標準化ワーキンググループは、国際星閃連盟（iSLA）が策定を進める次世…
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- メモリ不足によりテクノロジー業界でパニック買いが発生
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DigiTimesによると、メモリ調達ブームは2025年第4四半期に激化し、サプライチェーン全体でパニック買いを…
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- ASA Motion Link Automotive SerDes Alliance
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ASA Motion Linkは、Automotive SerDes Alliance (ASA)によって策定された、車載カメラ、センサー、ディ…
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- 2.4GHz/5GHz/6GHzを同時に使う「MLO（マルチリンク・オペレーシ…
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Wi-Fi 7の目玉機能である**MLO（Multi-Link Operation：マルチリンク・オペレーション）**は、これまで…
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