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- 第5世代SiC vs IGBT製品比較
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第5世代SiC MOSFETと、長年パワーエレクトロニクスの主役であった「枯れた技術」である**Si-IGBT（絶縁…
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- ガルウイングリードパッケージ（Gull-wing Lead）
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ガルウイングリード（Gull-wing Lead）パッケージは、表面実装型（SMT）部品の代表的な形状の一つで、カ…
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- オシロスコープで電流を測定するには？
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オシロスコープで電流を測定するには？ オシロスコープは本来、電圧波形を観測する装置ですが、電流測定…
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- スパイラルダイポール形送電素子
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スパイラルダイポール形送電素子による伝送路を構築し、共鳴型ワイヤレス電力伝送技術による道路走行中の…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- GPUとCNNの関係
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GPUとCNNの関係は、「GPUの並列計算能力」が「CNNの膨大な演算」を可能にするという、切っても切れない…
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- パワースピン株式会社の挑戦
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パワースピン株式会社（PowerSpin Inc.）は、東北大学発のスタートアップとして、次世代の半導体メモリ…
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- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
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2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
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- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- LoRa ESP32」マイコンボード
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ESP32は、Arduino IDEで開発できるマイコンの中でもWi-FiとBluetoothが標準搭載されており、LoRa-Wi-Fi…
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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所（産総研）の研究チームによる**「高感度なCNT（…
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- DC-DC MAB型コンバータ
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MAB（Multi-Active Bridge：マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータは、DAB（Dual Active Bridge）…
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- 低電力ニューロモルフィック実装
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「低電力ニューロモルフィック実装」は、現在のAIが直面している「電力の壁」を打破する鍵として、非常…
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- LEDドライバICの寄生パラメータ
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LEDドライバを統合回路（IC）化し、高密度・高周波で動作させる際に避けて通れないのが**「寄生パラメー…
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- ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング
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ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束（磁界）**を利用したエネルギーハーベスティングは、…
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- H-MTD, RosenbergerからSMA/3.5mmへ変換するフィクスチャ
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IEEE 802.3ch (MultiGBASE-T1) のような高速通信（最大10Gbps）では、10GHzを超える帯域での測定が必要…
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- 広帯域デジタル・レシーバー設計におけるSFDRの要点
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広帯域デジタル・レシーバーの設計において、**SFDR（Spurious-Free Dynamic Range：自由ダイナミック・…
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- EV用車載充電器（OBC）: 800Vシステム 事例 第5世代SiC
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800Vシステムを採用するEV（電気自動車）において、第5世代SiC MOSFETと平面トランスを組み合わせた車載…
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- Joint Communications and Sensing (JCAS)
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Joint Communications and Sensing (JCAS)、あるいはISAC (Integrated Sensing and Communications) と…
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