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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成（Spatial Power Combining）技術を用いたSSPA（Solid State Power Amplifier…
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- 永久磁石同期電動機の速度センサレス制御
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永久磁石同期電動機（PMSM）の速度センサレス制御は、回転子の位置や速度を検出するための物理的なセン…
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- PCSELとVCSELの違い
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PCSELとVCSELは、どちらも「チップの表面から垂直に光が出る」という点では似ていますが、その中身（光…
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- アクティブプローブにダンピング抵抗を使う
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アクティブ・プローブの場合、パッシブ・プローブとは内部構造（特に入力容量 C の小ささ）が根本的に異…
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- 28Gbps 高速I/O（SerDes）FPGA 評価ボード
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28Gbpsクラスの高速I/O（SerDes）を評価・開発するためのFPGA評価ボードは、主にハイエンドなネットワー…
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- HFM TDRによるインピーダンス・プロファイル評価
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のような超高速差動伝送では、周波数ドメインのSパラメータ（SDD11）だけ…
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- 低ダイナミック抵抗と超低容量を両立したESD保護ダイオード
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低ダイナミック抵抗（Rdyn）と超低容量（Ct）の両立は、高速信号ライン（USB4, Thunderbolt 4, HDMI 2.1…
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- 車載信頼性規格（AEC-Q101）第5世代SiC
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トラクションインバータやOBCなどの基幹部品に第5世代SiC MOSFETを採用する上で、避けて通れないのが車…
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- ON/OFF型コンバーターの不安定要素
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ON/OFF型コンバーター（スイッチングレギュレータ）において、動作が不安定になる要因は、制御ループの…
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- 10kV超級の超高耐圧SiC MOSFET次世代新幹線 リニア新幹線での…
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10kV〜18kV級の超高耐圧SiC MOSFETは、次世代新幹線（ALFA-X等）やリニア中央新幹線において、「電力変…
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- SOP and QFN/DFN AOI
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表面実装（SMT）基板の実装検査において、有リードパッケージであるSOP（Small Outline Package）と、ノ…
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- SparkLink mmWave（ミリ波）標準化ワーキンググループ
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SparkLink mmWave（星闪ミリ波）標準化ワーキンググループは、国際星閃連盟（iSLA）が策定を進める次世…
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- 保護中: 米計測器会社におけるレガシーラインの整理
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- チップレットパッケージ基板とは
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チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
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- FS（Field Stop）-IGBT
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🛡️ FS-IGBT (Field Stop IGBT) とは FS-IGBTは、従来のIGBT（Non-Punch Through IGBT: NPT-IGB…
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- ダブルゲート構造IEGT技術
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
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- パンクチャリングによる通信効率の改善
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パンクチャリング技術によって得られる通信効率の改善は、特に「電波が混み合っている環境」で劇的な差…
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- チップレット搭載FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）
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チップレット技術を用いた**FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）**は、現代の高性能プロセッサ（AIアク…
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- HPC/AIインターコネクトの技術動向
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2026年現在、HPC（高性能計算）とAIの境界はほぼ消滅し、インターコネクト技術は「単なる通信路」から「…
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- SCM（ストレージクラスメモリ）「ストレージ化する半導体メモリ…
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ストレージクラスメモリ（SCM: Storage Class Memory） 「ストレージ化する半導体メモリ」 これは、従…
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