-
- GaN系材料におけるドーパント原⼦配列解析
-
GaN（窒化ガリウム）はパワーデバイスやLEDとして非常に優れた特性を持ちますが、その性能を最大限に引…
-
- 可変漏れ磁束モータ VLFM
-
「可変漏れ磁束モータ（Variable Leakage Flux Motor, VLFM）」は、これまでのSPMSMやIPMSMの「弱点」を…
-
- 電源ICの応答性能（ロードレギュレーション）
-
「瞬間的な電圧降下を見逃したくない」という目的において、**ロードレギュレーション（負荷変動に対す…
-
- ソリッドステート・トランス (SST)
-
ソリッドステート・トランス (SST) とは ソリッドステート・トランス（Solid State Transformer: SST）…
-
- シリコンメタサーフェスを用いた２次元ナノ材料における光・物…
-
シリコンメタサーフェスと2次元（2D）ナノ材料の組み合わせは、ナノフォトニクスにおける最もホットな領…
-
- ADSP (Sensors/Audio DSP)
-
SA8155Pにおける**ADSP (Audio/Sensors DSP)**は、USB PD 3.2の実装において、特に「オーディオ伝送（US…
-
- 熱によるペロブスカイト太陽電池の性能劣化をゼロにする技術
-
ペロブスカイト太陽電池（PSC）の最大の弱点である「熱安定性」を克服し、理論上劣化を極限まで抑えるた…
-
- 大熊ダイヤモンドデバイス
-
大熊ダイヤモンドデバイス株式会社は、北海道大学出身の星川尚久社長を中心に設立された、ダイヤモンド…
-
- SparkLink 車載
-
SparkLink（NearLink / 星闪）の普及において、PC・スマートフォン周辺機器に続く最大の成長ドライバー…
-
- e-Axleにおけるキーデバイス
-
e-Axleの性能（高効率、小型軽量、高出力、低騒音）を決定づけるキーデバイスは、モータ、インバータ、…
-
- メモリデバイスの試験対象となる不良 セル間干渉
-
メモリデバイスの試験において、セル間干渉（Cell-to-Cell Interference, CCI）によって生じる不良は、…
-
- 六フッ化タングステン：半導体製造における「隠れたヒーロー」
-
六フッ化タングステン（Tungsten Hexafluoride, WF6）は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
-
- Broadcom の「FBAR フィルター」がなぜ Wi-Fi 7 で重要なのか
-
Broadcomの FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator：空隙型バルク弾性波）フィルター が Wi-Fi 7 で決定的…
-
- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
-
IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート（GAA）構造」の次に控える2030年前後の…
-
- 300°CにおけるSiCの物理的な特性変化
-
300°Cという極限環境において、4H-SiC MOSFETの物理特性は常温時とは大きく異なります。設計や運用にお…
-
- TOPS/Wの算出根拠
-
TOPS/Wは、AIチップの「電力効率」を示す最も重要な指標の一つです。この数値の算出根拠は、大きく分け…
T&M
即納ストア