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- オシロスコープの8ビットと12ビットの違い
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オシロスコープの8ビットと12ビットの最も大きな違いは、垂直分解能です。垂直分解能とは、オシロスコー…
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- 酸化ガリウム(Ga2O3)半導体
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酸化ガリウム(Ga2O3)は、化学式Ga2O3で表される無機化合物で、ワイドギャップ半導体の一種です。…
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- TOI, IP3, 相互変調歪IMD
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相互変調歪み(IMD)とは 相互変調歪み(Intermodulation Distortion:IMD)とは、電子回路に複…
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- ロード・シミュレータ(EMC試験)
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EMC試験におけるロード・シミュレータは、EMC(電磁両立性)試験において、測定対象となる機器(EUT: Eq…
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- オシロスコープとプローブのシステム帯域計算方法
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オシロスコープとプローブのシステム帯域は、それぞれの帯域幅を組み合わせて計算されます。この計算は…
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- デカップリングコンデンサ
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デカップリングコンデンサは、EMC(電磁両立性)対策において非常に重要な役割を果たします。EMC対策と…
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- V2Xを支える通信技術
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V2X(Vehicle-to-Everything)通信技術は、車とあらゆるものがネットワークでつながることで、安全運転…
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- SiCパワー半導体とは
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SiCパワー半導体は、Si(シリコン)とC(炭素)の化合物である炭化ケイ素(SiC)を主材料とする半導体で…
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- アクティブプリチャージ 降圧トポロジのスイッチングコンバータ
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アクティブプリチャージ(Active Pre-Charge)回路で、降圧(Buck)トポロジのスイッチングコンバータを…
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- ダイ・トゥ・ウェーハ・ハイブリッド接合(Die-to-Wafer Hybrid…
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「ダイ・トゥ・ウェーハ・ハイブリッド接合(Die-to-Wafer Hybrid Bonding)」は、主に半導体の**3次元…
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- ASMedia Technology USB4
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ASMedia Technology(祥碩科技)は、台湾を拠点とするUSBコントローラーチップの世界的リーダーです。特…
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- 高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術、MOSFETとPiNダイオ…
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高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術を、MOSFETとPiNダイオードという2つの代表的なデバイスに適…
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- 車載規格(AEC-Q100など)
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車載規格、特に AEC-Q100 は、半導体が自動車という過酷な環境で「10年・15万キロ」使い続けられること…
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- トレンチ型SiC-MOSFET、プレーナ型が抱えていた物理的な限界打破
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トレンチ型SiC-MOSFETは、従来のプレーナ型が抱えていた物理的な限界(JFET抵抗やセル密度の制約)を打…
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- GNU Radio「Radioconda」
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GNU RadioをWindowsで動かす際、かつてはインストール作業が最大の難所でしたが、Radiocondaは「必要な…
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- カルコゲナイド系化合物半導体光触媒 水素生成
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カルコゲナイド系化合物(硫黄 S、セレン Se、テルル Te を含む化合物)を用いた光触媒および光電極技術…
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- 磁性コンポジットリング
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「磁性コンポジットリング」は産業機器やモーター、センサーの分野で非常に重要な役割を果たすコンポー…
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- パワーレールプローブ
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1.8Vラインの±3%(54mV)という厳しい基準を判定する際、最強の武器となるのがパワーレールプローブです…
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- ゼロ電圧スイッチング(Zero-Voltage Switching, ZVS)整流回路
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ゼロ電圧スイッチング(ZVS)とは **ゼロ電圧スイッチング(ZVS)**は、スイッチング素子(MOSFETやIGB…

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