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- パッシブプローブにダンピング抵抗を使う
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オシロスコープのパッシブプローブを使用する際、特に高速な信号や立ち上がりの鋭い波形を観測する場合…
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- T-ブランチ（Tree）トポロジ vs. Fly-byトポロジ
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DDR2や一部のDDR3で主流だったT-ブランチ（Tree）トポロジと、現在のDDR4/5で標準的なFly-byトポロジの…
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- HFM® – High-Speed FAKRA-Miniとは
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**HFM®（High-Speed FAKRA-Mini）**は、ドイツのコネクタメーカーである Rosenberger（ローゼンバーガー…
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- IIP2の確保と回路の平衡度（Balance）
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マルチオクターブ環境において、**IIP2（2次入力インターセプト・ポイント）**の確保は、システムのSFDR…
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- トラクションインバータ 第5世代SiC
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トラクションインバータ（走行用モータを駆動するメインインバータ）は、EVにおいてバッテリーの直流（D…
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- LDO ICメーカー
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LDO（低ドロップアウトレギュレータ）は、電源ICの中でも非常に汎用性が高く、多くの半導体メーカーが取…
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- 中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびインバータ開発状況
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中国における10kV〜18kV級のSiC MOSFETおよびそれを用いたインバータ開発は、国家プロジェクトとしての…
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- i-THOP® Araki, Shinko
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近年注目を集める2.5次元（2.5D）や3次元（3D）の先進パッケージ（アドバンスド・パッケージング）、お…
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- iSLAの展示会参加
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国際星閃連盟（International SparkLink Wireless Short-Range Communication Alliance：iSLA）は、これ…
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- ASIL-Dシステム
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ASIL-D（Automotive Safety Integrity Level D）は、自動車の電気・電子（E/E）システムの機能安全に関…
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- SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
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この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）
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IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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- 「Soitec以外の競合技術（バルクSiでの補正など）」
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SoitecのRF-SOI（およびRFeSI）は、Wi-Fi 7や5Gミリ波の市場において圧倒的なシェアを持っていますが、…
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- MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
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MgO-based MTJ（以下、MTJ）を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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- プロセッサインメモリの市場機会
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プロセッサインメモリ（PIM: Processor-In-Memory）は、データ処理をメモリ内部で行うことで、「メモリ…
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- EEPROMは成熟した不揮発性メモリ（NVM）今後は？
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EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は、1980年代の普及開始から約40年が経…
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- LiDAR（ライダー）向けのPCSEL
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LiDAR（ライダー）向けのPCSELは、自動運転やロボットの「目」として、現在の主流であるVCSELや端面発光…
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- SR-SAB 損失解析（コア損と銅損の配分）
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磁気統合されたトランスを用いるSR-SABでは、通常のトランスとは異なり**「漏れ磁束を積極的に利用する…
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