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- LoRa ー Wi-Fiゲートウェイ
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LoRa(Long Range)無線とWi-Fiの変換、つまりLoRa-Wi-Fiゲートウェイの構築や導入について。 この2つ…
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- FPGA用の通信クロック
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FPGAで高速通信(SerDes)を行う際、リファレンスクロックの品質は通信の成否を分ける非常に重要な要素…
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- 位置推定感度と高推力を両立する単相リニアモータ
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「単相リニアモータ」において、**「位置推定感度(センサレス制御の精度)」と「高推力」**を両立させ…
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- 静電センサの感度が不安定
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静電センサの感度が不安定な場合、原因は「センサ自身のノイズ」か「電源(1.8V)からのノイズ・変動」…
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- DPWM1 (Discontinuous PWM 1)
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DPWM1 (Discontinuous PWM 1) は、一相PWM変調(二相変調)の中でも、特に**「電力変換効率の最大化」**…
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- キラル物質科学 放射線検出
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「キラル物質科学」と「放射線検出」という、一見異なる二つの専門領域が交差する地点には、非常に高度…
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- MultiGBASE-T1 (IEEE 802.3ch) コンプライアンステスト
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MultiGBASE-T1 (IEEE 802.3ch) コンプライアンステストの概要 IEEE 802.3ch (MultiGBASE-T1) は、車載…
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- I3C(Improved Inter-Integrated Circuit)
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I3C(Improved Inter-Integrated Circuit)は、MIPI Allianceによって策定された、次世代のモバイル、Io…
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- トランスの劇的な小型化(高出力密度化)SiC(Gen 5)
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SiC MOSFETの第5世代(Gen 5)化によって実現される「トランスの劇的な小型化」は、パワーエレクトロニ…
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- ハンダ接合部の疲労破壊 超音波領域(AEC-Q200-003)
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ハンダ接合部の疲労破壊において、超音波領域(20kHz以上)の振動が関与するケースは、近年の車載電子機…
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- 10kV SiC MOSFETを採用したインバータ
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10kV SiC MOSFETを採用したインバータは、従来のシリコン(Si)ベースのシステムに比べ、高電圧化・高効…
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- BMS バッテリーシステムとの連携 SparkLink(NearLink)
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SparkLink(NearLink)をEVのインバータやバッテリーマネジメントシステム(BMS)に連携・統合するとい…
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- 高周波NVH(Noise, Vibration, Harshness)対策
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e-Axleの超高回転化(15,000〜20,000 rpm以上)およびインバータのSiC化に伴い、EVの静粛性を脅かす高周…
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- オシロスコープ 接地と安全
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1. オシロスコープの接地の基本 ■ 一般的なオシロスコープの接地 多くのベンチトップ型オシロスコ…
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- PER-DDPGを用いた狭路環境におけるロボット移動
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PER-DDPG(Prioritized Experience Replay - Deep Deterministic Policy Gradient)を用いた狭路環境に…
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- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
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高スイッチング周波数での整流器(レクティファイア)用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
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- Wi-Fi 7ルーター(親機)側のハードウェア動向
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最新世代のスマートフォンやゲーム機を最大限に活かすための、Wi-Fi 7ルーター(親機)側のハードウェア…
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- CFET 裏面電源供給(Backside Power)
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**裏面電源供給(Backside Power Delivery Network: BSPDN)**は、半導体チップの「電源の通り道」を劇…
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- 高温対応パッケージ(銀シンター接合など)の技術
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300°Cという極高温下では、従来の電子機器パッケージングで使われていた材料(ハンダや樹脂)のほとんど…

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