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- トレンチ型SiC-MOSFETチップ
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トレンチ型SiC-MOSFET(Silicon Carbide MOSFET)チップは、従来のシリコン(Si)製パワー半導体に比べ…
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- α-Ga2O3(アルファ型)
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β-Ga2O3(ベータ型)が安定相であるのに対し、**α-Ga2O3(アルファ型)**は「コランダム構造」を持つメ…
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- 部分放電(PD)インパルス巻き線試験機
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インパルス試験機(衝撃電圧・電流発生装置)は、雷や開閉サージといった**「異常電圧」に対する電気機…
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- 電源1.8Vのラインでの3%ノイズ測定
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1.8Vラインで「±3%」というと、許容範囲は上下にわずか54mV(1.746V〜1.854Vの間)ですね。この電圧帯は…
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- PC内部の時計の正確さ
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PC内部の時計(RTC:Real-Time Clock)の正確さについてですね。結論から言うと、PC単体の時計は決して…
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- マイクロ波磁場励起によるプラズマ発生
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マイクロ波磁場励起(特に電子サイクロトロン共鳴:ECR)によるプラズマ発生は、現代の半導体製造や材料…
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- 車載グレード(AEC-Q100)
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車載インフォテインメント(IVI)やADAS、パワートレインなどの電子設計において、AEC-Q100は単なる「推…
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- 1.8VレールのノイズがRFサンプリング精度(EVM)に与える影響
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RFSoC(特にAvnet XRFシリーズのようなSOM)において、1.8V電源レールはADC/DACのアナログ供給(VDDA)…
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- ダイヤモンド (Diamond) 「究極の半導体」
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ダイヤモンドが「究極の半導体」と呼ばれる理由は、半導体としての物理的特性のすべてにおいて、現行の…
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- SparkLink SIGLENT 計測器
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SIGLENTの計測器(VNAやスペクトラムアナライザ)を使ってSparkLink(NearLink)デバイスやモジュールを…
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- CHAdeMO 3.0
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CHAdeMO 3.0(開発コード名:ChaoJi / チャオジ)の日本国内における本格的な社会実装(商用運用)は、2…
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- ハンドヘルド オシロスコープとは?
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ハンドヘルド オシロスコープとは? ハンドヘルド・オシロスコープ(Handheld Oscilloscope)とは、片手…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- 200G/レーン SerDesの技術成熟
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🚀 200G/レーン SerDesの技術成熟度 200G/レーン (200G/lane) のシリアライザ/デシリアライザ(SerDes…
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- ロジック・イン・メモリ
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**ロジック・イン・メモリ(Logic-in-Memory)**は、現在のコンピューターが抱える最大の弱点である「デ…
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- 酸化ガリウム(α-Ga2O3)パワー半導体デバイス
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酸化ガリウム(Ga2O3)は、現在普及が進んでいるSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を超える次世代…

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