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- Qualcomm vs. MediaTek
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Qualcomm(クアルコム)とMediaTek(メディアテック)は、スマートフォンやタブレット、IoTデバイスなど…
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- 三菱電機モビリティ USB4
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三菱電機モビリティ(2024年4月に三菱電機の自動車機器事業が分社化して発足)におけるUSB4への取り組み…
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- 800VシステムのEV SiC MOSFET
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ポルシェ・タイカンやヒョンデ・アイオニック5などが採用する**「800Vシステム」**は、EVの歴史における大…
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- テスラのCybertruckで採用された48V冗長システム
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テスラが「サイバートラック(Cybertruck)」で導入した48V冗長システムは、単なる電圧の変更を超えた、…
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- 富士電機とボッシュ、互換性あるSiC車載モジュール開発
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富士電機とドイツのボッシュ(Robert Bosch)は、電動車(xEV)向けSiC(炭化ケイ素)パワー半導体モジ…
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- LoRa ESP32」マイコンボード
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ESP32は、Arduino IDEで開発できるマイコンの中でもWi-FiとBluetoothが標準搭載されており、LoRa-Wi-Fi…
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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所(産総研)の研究チームによる**「高感度なCNT(…
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- DC-DC MAB型コンバータ
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MAB(Multi-Active Bridge:マルチ・アクティブ・ブリッジ)型コンバータは、DAB(Dual Active Bridge)…
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- 低電力ニューロモルフィック実装
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「低電力ニューロモルフィック実装」は、現在のAIが直面している「電力の壁」を打破する鍵として、非常…
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- LEDドライバICの寄生パラメータ
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LEDドライバを統合回路(IC)化し、高密度・高周波で動作させる際に避けて通れないのが**「寄生パラメー…
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- ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング
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ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束(磁界)**を利用したエネルギーハーベスティングは、…
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- H-MTD, RosenbergerからSMA/3.5mmへ変換するフィクスチャ
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IEEE 802.3ch (MultiGBASE-T1) のような高速通信(最大10Gbps)では、10GHzを超える帯域での測定が必要…
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- 広帯域デジタル・レシーバー設計におけるSFDRの要点
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広帯域デジタル・レシーバーの設計において、**SFDR(Spurious-Free Dynamic Range:自由ダイナミック・…
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- EV用車載充電器(OBC): 800Vシステム 事例 第5世代SiC
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800Vシステムを採用するEV(電気自動車)において、第5世代SiC MOSFETと平面トランスを組み合わせた車載…
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- Joint Communications and Sensing (JCAS)
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Joint Communications and Sensing (JCAS)、あるいはISAC (Integrated Sensing and Communications) と…
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- 10kV超級のSiC MOSFETを用いたインバータ・コンバータ技術 論文
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10kV〜18kV級のSiC MOSFETを用いたインバータ・コンバータ技術に関しては、IEEE(特にPELS: Power Elect…
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- HP3325A/35A シンセサイザ
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HP 3325A(のちにアジレント/キーサイト)は、1970年代後半(1978年頃)にHewlett-Packard社が発売した…
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- 国内メーカーの対応 SparkLink
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トヨタ自動車やホンダをはじめとする日本の主要自動車メーカーおよびTier 1サプライヤー(デンソー、パ…

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