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- 2000 V整流器とは
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2000 V整流器とは、交流（AC）を直流（DC）に変換する電子部品であり、2000ボルト（V）という高い電圧に…
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- HAMRの次、将来技術HDMR（ドット記録）
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HDDの将来技術は、現在主流になりつつある**HAMR（熱補助磁気記録）**を基礎とし、そこに「ディスクの表…
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- DONUT LABの全固体電池
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フィンランドのテクノロジー企業 DONUT LAB（ドーナツラボ） は、2026年1月に開催されたCES 2026にて、*…
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- 米Allegro MicroSystems社のACSシリーズ
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完全統合型ホール電流センサーは、米Allegro MicroSystems社のACSシリーズが事実上の世界標準（業界標準…
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- 原子1層という極限の薄さで「1.1度」というピンポイントな角度…
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原子1層という極限の薄さで「1.1度」というピンポイントな角度を狙うのは、まさに神業に近い世界です。…
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- MAB ポート間の干渉をデカップリング（非干渉化）する制御
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MAB（マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータにおいて、最大の技術的ハードルは「ポートAからBへ電…
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- C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは
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C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは ～半導体中のドーピング分布や拡散深さを非破壊で評価する解…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…
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- AUTO TECH China 2025 で最新の車載 AI
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AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…
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- サブテラヘルツ帯光電融合技術
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サブテラヘルツ帯光電融合技術は、エレクトロニクス（無線）技術とフォトニクス（光）技術の知見や要素…
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- SiC MOSFET「二重トレンチ（Double Trench）」や「電界緩和層」
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SiC MOSFETの最新技術である**「二重トレンチ（Double Trench）」や「電界緩和層（シールド層）」**は、…
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- 積層プロセスやMicronの進捗 HBM4
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最新の2026年の状況を踏まえ、HBM4の積層プロセスの技術的課題と、米国**Micron（マイクロン）**の驚異…
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- 透明なスマホ 発電OLED
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「発電もできる透明なスマホ」は、SF映画に出てくるような**「向こう側が透けて見える板なのに、画面が…
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- 強誘電体薄膜 脳型メモリ素子
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強誘電体薄膜を用いた**「脳型メモリ素子（ニューロモルフィック素子）」**は、現在の計算機の限界（フ…
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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所（産総研）の研究チームによる**「高感度なCNT（…
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- Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）
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**Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…
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- 六フッ化タングステン：半導体製造における「隠れたヒーロー」
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六フッ化タングステン（Tungsten Hexafluoride, WF6）は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
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- CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）
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CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、次世代の半導体微細化における切り札として…
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- TLPB（過渡液相接合）高温接合技術 SiC
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**TLPB（Transient Liquid Phase Bonding：過渡液相接合）**は、銀シンター接合と並んで、300°C以上の極…
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