-
- ダブルゲート構造IEGT技術
-
ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
-
- 酸化膜厚（Oxide Thickness）とは
-
酸化膜厚（Oxide Thickness）とは ～MOS構造や絶縁膜評価における基本指標～ ■ 定義 酸化膜厚（Oxide…
-
- チップレットパッケージ基板とは
-
チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
-
- 複素オールパスフィルタによるPMSMのトルクリプル抑制制御
-
PMSM（永久磁石同期モータ）のトルクリプル抑制制御に複素オールパスフィルタを用いる手法は、近年研究…
-
- TOLT (TO-leadless top-side cooling) TSPAK (TO-leaded small…
-
TOLT (TO-Leadless Top-side Cooling)とTSPAK (TO-Leaded Small-outline Package)は、主にSiC（炭化ケイ…
-
- QST基板を用た高耐圧GaN HEMTデバイス
-
QST基板を用いた高耐圧GaN HEMTデバイスは、従来のシリコン（Si）基板上GaNデバイスが抱えていた課題を…
-
- GaN 電力変換効率 向上方法
-
GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の電力変換効率を向上させるには、オン抵抗の低減とスイッチング損失の…
-
- 界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは
-
界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは ～MOS界面の電気的品質を左右する重要パラメータ～ …
-
- PER-DDPGを用いた狭路環境におけるロボット移動
-
PER-DDPG（Prioritized Experience Replay - Deep Deterministic Policy Gradient）を用いた狭路環境に…
-
- SiC 超低VF 低Rds(on)
-
SiC（炭化ケイ素）が持つ超低VF（順方向電圧）と低RDS(on)（オン抵抗）は、シリコン（Si）半導体に対す…
-
- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
-
スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
-
- QST (Qromis Substrate Technology) 基板
-
QST (Qromis Substrate Technology) 基板は、GaN（窒化ガリウム）デバイスの成長に特化して開発された複…
-
- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
-
GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
-
- 高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは
-
高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
-
- パワーデバイスのウエハプロセスは論理チップと何が違う？
-
パワーデバイスのウェハプロセスは、スマートフォンやPCに使われる論理チップ（ロジックIC）やメモリチ…
-
- TSC packages MOSFET diode circuits
-
TSC (Top-Side Cooling)パッケージをMOSFETとダイオードを組み合わせた回路で使用することの主な目的は…
-
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.（YMTC）
-
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (長江存儲科技有限責任公司, YMTC) は、中国の国有半導体統合デ…
-
- MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）
-
MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）は、光を扱うためのMEMS（微小電気機械システム）技術…