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- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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- ダブルゲート構造IEGT技術
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
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- Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
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**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
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- HPC/AIインターコネクトの技術動向
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2026年現在、HPC（高性能計算）とAIの境界はほぼ消滅し、インターコネクト技術は「単なる通信路」から「…
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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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- フラッシュLiDAR
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「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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- キャリアレスハイブリッドインバータの高効率化
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キャリアレス（トランスレス）ハイブリッドインバータの高効率化は、近年の再生可能エネルギーシステム…
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- デバイ・リラクゼーションの連続体
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「デバイ・リラクゼーション（Debye Relaxation）の連続体」という考え方は、全固体電池のような複雑な…
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- 酸化膜厚（Oxide Thickness）とは
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酸化膜厚（Oxide Thickness）とは ～MOS構造や絶縁膜評価における基本指標～ ■ 定義 酸化膜厚（Oxide…
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- チップレットパッケージ基板とは
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チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
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- 複素オールパスフィルタによるPMSMのトルクリプル抑制制御
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PMSM（永久磁石同期モータ）のトルクリプル抑制制御に複素オールパスフィルタを用いる手法は、近年研究…
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- TOLT (TO-leadless top-side cooling) TSPAK (TO-leaded small…
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TOLT (TO-Leadless Top-side Cooling)とTSPAK (TO-Leaded Small-outline Package)は、主にSiC（炭化ケイ…
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- 高エネルギーイオン注入によるSiCパワーデバイス劣化抑制
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入を用いた劣化抑制技術は、主に**「バイ…
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- 48V車載システムにおける保護部品（eFuse / 理想ダイオード）
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48V車載システムにおいて、eFuse（電子ヒューズ）と理想ダイオードは、システムの信頼性と安全性を支え…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップ
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トレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）チップは、従来のシリコン（Si）製パワー半導体に比べ…
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- 光子（Photon）＋ 物質の励起（Excitation）＝ ポラリトン
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「光子 ＋ 物質の励起 ＝ ポラリトン」という数式は、現代物理学における**「光と物質の結婚」**を象徴…
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- EFG法による150 mm β-Ga2O3 単結晶の育成
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酸化ガリウム（β-Ga2O3）は、その広いバンドギャップ（約4.8 eV）と高い絶縁破壊電界により、次世代のパ…
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- ソリッドステート・トランス (SST)
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ソリッドステート・トランス (SST) とは ソリッドステート・トランス（Solid State Transformer: SST）…
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- QST基板を用た高耐圧GaN HEMTデバイス
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QST基板を用いた高耐圧GaN HEMTデバイスは、従来のシリコン（Si）基板上GaNデバイスが抱えていた課題を…
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