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温度依存C–V特性とは ～温度変化によって変動する半導体デバイスのC–V挙動～ ■ 定義 **温度依存C–V特…
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- グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命
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⚡ グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命 「グリッドからゲートへ」という表現は、…
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- ペロブスカイト太陽電池
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ペロブスカイト太陽電池は、ペロブスカイト構造と呼ばれる特定の結晶構造を持つ化合物を発電層に用いた…
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- 「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略
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テスラの「SiC（炭化ケイ素）75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略で…
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- ストレージ技術とメモリ技術の進化
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ストレージとメモリの技術は、現在「AI（人工知能）」と「データ爆発」という2つの巨大な波によって、過…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- 中谷真人先生 科学技術振興機構（JST）のERATOプロジェクト
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中谷真人先生が名古屋大学に着任される前に携わっていたJST ERATO（戦略的創造研究推進事業）プロジェク…
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- α-Ga2O3（アルファ型）
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β-Ga2O3（ベータ型）が安定相であるのに対し、**α-Ga2O3（アルファ型）**は「コランダム構造」を持つメ…
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- 低消費電力のインテリジェントな電力管理ソリューション
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低消費電力のインテリジェントな電力管理ソリューションは、主にIoT、ウェアラブルデバイス、およびバッ…
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- CFET 裏面電源供給（Backside Power）
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**裏面電源供給（Backside Power Delivery Network: BSPDN）**は、半導体チップの「電源の通り道」を劇…
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- MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレ…
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MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレインモルフィック（脳型）システムは、現…
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- 第7世代以降のIGBTの具体的な特徴
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第7世代以降のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）が、それまでの世代と何が違い、どのような特…
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- AIモデル（YOLOv8など）NVIDIA vs. Hailo
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AIモデル（特にYOLOv8など）をこれら2つのプラットフォームで動かした場合、そのパフォーマンス特性は対…
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- 無輻射再結合の抑制による発光可能な有機太陽電池
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有機太陽電池（OPV）の分野において、**「無輻射再結合（Non-radiative recombination）の抑制」**は、…
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- ドーピングプロファイル（Doping Profile）とは
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ドーピングプロファイル（Doping Profile）とは ～半導体中の不純物濃度分布を可視化する重要パラメータ…
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- SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
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この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
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- 高電圧に耐えるように設計された抵抗器
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高電圧抵抗器（高耐圧抵抗器）は、印加される電圧が高くても故障せず、安定した抵抗値を示すように特別…
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- SiC シングルトランジスタ駆動におけるクロストークの原理
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ローム（ROHM）などのパワーデバイス（特にSiC MOSFETやIGBT）における「シングルトランジスタ駆動」と…
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- 車載48Vシステムの具体的な回路設計
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48Vシステムの回路設計は、単に電圧を上げるだけでなく、従来の12V系との「協調」と、高出力化に伴う「…
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- DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画…
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DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画」については、これまでの電池開発の常識…