赤沢正道教授（北海道大学）は、GaN（窒化ガリウム）の界面制御や表面パッシベーションにおける第一人者として知られています。
特に、次世代の低消費電力・高出力デバイスに不可欠なGaN MOSFETやMIS-HEMTの性能向上において、極めて重要な研究成果を多数発表されています。
赤沢教授の主な研究成果と専門領域
赤沢教授の研究は、GaNデバイスの最大の課題の一つである「絶縁膜とGaNの界面」の高品質化に焦点を当てています。
界面準位密度（Dit）の低減
GaNと絶縁膜（Al2O3やSiO2など）の間に生じる欠陥（界面準位）をいかに減らすかという研究で知られています。これにより、電子の動きを妨げる要因を取り除き、デバイスの動作速度と安定性を向上させています。
Mgイオン注入GaNの活性化と界面制御
p型GaNを形成するためのMg（マグネシウム）イオン注入後の熱処理プロセスにおいて、表面の劣化を防ぐ保護膜（AlNなど）の研究や、その後の絶縁膜形成プロセスを最適化し、高性能な反転層型nチャネルGaN MOSFETを実現するための基盤技術を確立しています。
表面パッシベーション技術
デバイス表面のトラップ（電子を捕まえてしまう欠陥）を抑制することで、高周波動作時の電流コラプス現象（出力が低下する現象）を防ぐためのパッシベーションプロセスを開発しています。
技術的な注目ポイント
エンジニア・研究者の方にとって特に関心が高いと思われるトピックは以下の通りです：
研究トピック | 概要・重要性 |
Al2O3/GaN 界面 | 原子層堆積（ALD）法を用いた酸化アルミ膜の形成と、その界面特性の精密評価。 |
キャリア移動度の向上 | MOS界面における散乱要因を特定し、実効チャネル移動度を高めるためのプロセス開発。 |
XPSによる物性評価 | X線光電子分光法（XPS）を駆使し、界面の化学結合状態やバンドオフセットを物理的に解析。 |
現在も、窒化物半導体における異種界面の制御や、マルチチャネル構造を用いたさらなる高周波化に向けた研究を精力的に進められています。
特定の論文の内容や、特定のデバイス（MOSFETやHEMT）に関する詳細な設計パラメータなどについてお知りになりたい場合は、さらにお調べすることも可能です。
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