GLOSSARY用語集

• VNA　2cmの変換アダプタ(N-SMAなど)を使用する場合の誤差 4.5GHz

  4.5 GHzで2cmのアダプタとなると、RFの観点からは「無視できない領域」に突入しています。「ただのコネ…

  • VNA

• Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）

  **Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…

  • Scope
  • SEM

• 組紐技術とミリ波導波管の融合

  日本の伝統技術である「組紐（くみひも）」と、ミリ波技術の融合は、次世代の通信インフラや精密計測に…

  • SA
  • SG
  • VNA

• ペロブスカイト量子ドットを添加したプラスチックシンチレータ

  ペロブスカイト量子ドット（PQD）を添加したプラスチックシンチレータは、次世代の放射線計測デバイスと…

  • Scope

• AiP (Antenna in Package)

  AiP（Antenna in Package）は、高周波IC（RFIC）とそのアンテナを一つの半導体パッケージ内に統合する実…

  • SA
  • SG
  • VNA

• H-MTD, RosenbergerからSMA/3.5mmへ変換するフィクスチャ

  IEEE 802.3ch (MultiGBASE-T1) のような高速通信（最大10Gbps）では、10GHzを超える帯域での測定が必要…

  • Scope
  • VNA

• 1.8VレールのノイズがRFサンプリング精度（EVM）に与える影響

  RFSoC（特にAvnet XRFシリーズのようなSOM）において、1.8V電源レールはADC/DACのアナログ供給（VDDA）…

  • SA
  • Scope
  • SG

• μsとは

  時間の単位で、0.000001秒

  • ま行

• プローブ補正とは

   受動プローブの調整で、プローブとオシロスコープのキャパシタンスの整合をとること

  • は行

• 電子計測器のLCRの重要の指標とは

  電子計測器のLCR（インダクタンス、キャパシタンス、抵抗）測定において重要な指標やパラメータは、正確な…

  • た行

• 電磁波の基本

  電磁波は、電場（電気的な力場）と磁場（磁気的な力場）が相互に影響し合いながら空間を伝搬する波動です…

  • た行

• オシロスコープ　入門

  オシロスコープ入門：はじめての波形観測ガイド   オシロスコープ（Oscilloscope）とは、時間によ…

  • あ行

• テスターの使い方

  テスターの使い方 **テスター（マルチメーター）**は、電圧・電流・抵抗などを測定できる基本的な計測器…

  • た行

• オシロスコープ 波形とは？

  オシロスコープ 波形とは？ ― 電気信号の“かたち”を見て判断する基本ツール ― **オシロスコープで表示さ…

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  • あ行

• 電源の使い方

  電源の使い方 （直流安定化電源の基本操作と注意点） **電源（直流電源装置）**は、電子回路や機器に安…

  • た行

• Sパラメータ（Scattering Parameters）とは

  Sパラメータ（Scattering Parameters）とは ～高周波回路・部品の入出力特性を表す基礎パラメータ～ ■…

  • VNA
  • あ行

• マスター波形（Master Waveform）とは

  マスター波形（Master Waveform）とは ～良品基準として使用される“正常な波形データ”～ ■ 定義 **マ…

  • あ行

• GaN 電力変換効率　向上方法　寄生インダクタンス

  GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…

  • SEM
  • Z_LCR

• 4chコヒーレント信号発生器 MIMO

  承知いたしました。4chコヒーレント信号発生器が、高速無線通信技術であるMIMO (Multiple-Input Multipl…

  • SA
  • Scope
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• Snapdragon 8 Gen 4 vs. Dimensity 9400

  QualcommのSnapdragon 8 Gen 4（またはSnapdragon 8 Elite）とMediaTekのDimensity 9400は、2025年のフ…

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