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- 高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術、MOSFETとPiNダイオ…
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高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術を、MOSFETとPiNダイオードという2つの代表的なデバイスに適…
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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術(水素による電子生成メカニズムの解明)が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- 量子ビットの位相(Phase)が変化することでビットの値(0 と 1…
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量子ビットの位相(Phase)が変化することでビットの値(0 と 1)が入れ替わる現象は、波の**「干渉(In…
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- パスロス係数(Path Loss Exponent: PLE)
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原田博司教授の研究グループが105 GHz帯(サブテラヘルツ帯)で行った測定において、**パスロス係数(Pa…
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- DVB-S2Xの「スループット(伝送効率)」が具体的にどう変化する…
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大気ゆらぎ(ガンマ・ガンマ分布)とポインティングロス(ベックマン分布)が複合する環境下で、DVB-S2X…
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- LoRa ー Wi-Fiゲートウェイ
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LoRa(Long Range)無線とWi-Fiの変換、つまりLoRa-Wi-Fiゲートウェイの構築や導入について。 この2つ…
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- PCSELにおける電子スキャン(ビーム走査)技術
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PCSELにおける電子スキャン(ビーム走査)技術は、可動部(モーターやミラー)を一切排除しながら、光の…
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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所(産総研)の研究チームによる**「高感度なCNT(…
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- 相互相関(Cross-correlation)
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相互相関(Cross-correlation)法は、測定器自体のノイズフロアよりも低い位相雑音を測定するための「魔…
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- 「アクティブ・バランサ」技術
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「アクティブ・バランサ」は、単相3線式システムの自立運転において、不平衡な負荷によって生じる中性点…
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- VNA 誤差補正のアプリーションノートを紹介
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VNAの誤差補正やディエンベディングはRF計測の「定石」であり、主要な測定器メーカーは非常に優れた教育…
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- 電解コンデンサの下には、回路パターンを配線しない
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電子回路の基板設計(PCBレイアウト)において、**「電解コンデンサの真下にパターンを通さない」**とい…
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- 「組紐(くみひも)」技術の導波管 メーカー
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「ミリ波帯(V-Band)」と「日本の伝統・組紐技術」を融合させたフレキシブル導波管を実現している具体…
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- マイクロ波磁場励起によるプラズマ発生
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マイクロ波磁場励起(特に電子サイクロトロン共鳴:ECR)によるプラズマ発生は、現代の半導体製造や材料…
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- AiC (Antenna in Chip)
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AiC(Antenna in Chip)は、アンテナ素子を半導体パッケージ(AiP)の中に収めるだけでなく、さらに進ん…
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- HFM から2.92mm変換アダプタ
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MultiGBASE-T1(IEEE 802.3ch)の評価において、Rosenbergerの**HFM(High-Speed FAKRA-Mini)から2.92m…
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- AIノイズ除去の低遅延化
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スポーツ中継、特にFPVドローンのように高速なレスポンスが求められる現場では、音声や映像のAIノイズ除…

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