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- マトリックスコンバータを用いたDAB
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マトリックスコンバータを用いたDAB (Dual Active Bridge) DAB（Dual Active Bridge）コンバータは、2…
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- 「ペロブスカイト太陽電池」の基礎知識と政策動向
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）は、シリコン太陽電池に代わる、あるいはそれを補完する「次世代太陽電池…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- セレン化インジウム（In2Se3）
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セレン化インジウム（Indium(III) selenide、In2Se3）は、インジウム（In）とセレン（Se）からなる半導…
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- BMWやベンツなどがGaNをどう車載に組み込もうとしているか？
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2026年現在、BMWやメルセデス・ベンツといった欧州メーカーも、テスラとは異なるアプローチで**GaN（窒…
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- 次世代半導体技術（Emerging semiconductor technologies）
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2026年現在、半導体技術は「生成AIの爆発的普及」と「微細化の物理的限界」という2つの大きな転換点に直…
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- コイン電池で駆動する低電圧な小型BLE SoC
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低電圧・コイン電池（CR2032など）での駆動を前提とした小型BLE（Bluetooth Low Energy）SoCは、現在のI…
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- Radical/Ion switch機能
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「Radical/Ion switch（ラジカル/イオン・スイッチ）」機能について。これは主に、**LC-MS（液体クロマ…
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- 絶縁型Y-Δ結線SR-SAB DC-DC コンバータの回路動作
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）DC-DCコンバータは、高電圧・大電力アプ…
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- SMUのシンクとしての使用方法
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太陽電池の測定において、ソースメジャーユニット（SMU）を「シンク（電子負荷）」として使用するのは、…
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- 半導体CV特性測定器とは
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半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
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- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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- ダブルゲート構造IEGT技術
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
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- Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
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**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
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- HPC/AIインターコネクトの技術動向
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2026年現在、HPC（高性能計算）とAIの境界はほぼ消滅し、インターコネクト技術は「単なる通信路」から「…
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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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- フラッシュLiDAR
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「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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- キャリアレスハイブリッドインバータの高効率化
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キャリアレス（トランスレス）ハイブリッドインバータの高効率化は、近年の再生可能エネルギーシステム…
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- デバイ・リラクゼーションの連続体
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「デバイ・リラクゼーション（Debye Relaxation）の連続体」という考え方は、全固体電池のような複雑な…
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