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- デマンドレスポンス（DR）VPP
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デマンドレスポンス（DR: Demand Response）について、詳しくご説明します。 DRは、電力の需要側（消費…
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- 経済成長の新エンジン「低空経済」の現状
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「国際低高度経済産業」は、一般的に「低空経済」（ていくうけいざい、Low-altitude Economy）と呼ばれ、…
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- STT-MRAMやロジック・イン・メモリは「GPU（AI用チップ）」をど…
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現在のGPUは、AIブームにより需要が爆発していますが、同時に「消費電力の増大」と「メモリの壁」という…
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- α型 vs β型-Ga2O3の具体的な違い
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酸化ガリウム（Ga2O3）には複数の結晶構造（多形）がありますが、パワーデバイスとして研究が進んでいる…
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- 積層プロセスやMicronの進捗 HBM4
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最新の2026年の状況を踏まえ、HBM4の積層プロセスの技術的課題と、米国**Micron（マイクロン）**の驚異…
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- BLE SoC 開発環境（SDKやコンパイラ）
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前述した主要な2つのプラットフォーム（NordicとRenesas）は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成（Spatial Power Combining）技術を用いたSSPA（Solid State Power Amplifier…
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- 永久磁石同期電動機の速度センサレス制御
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永久磁石同期電動機（PMSM）の速度センサレス制御は、回転子の位置や速度を検出するための物理的なセン…
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- PCSELとVCSELの違い
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PCSELとVCSELは、どちらも「チップの表面から垂直に光が出る」という点では似ていますが、その中身（光…
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- アクティブプローブにダンピング抵抗を使う
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アクティブ・プローブの場合、パッシブ・プローブとは内部構造（特に入力容量 C の小ささ）が根本的に異…
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- 28Gbps 高速I/O（SerDes）FPGA 評価ボード
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28Gbpsクラスの高速I/O（SerDes）を評価・開発するためのFPGA評価ボードは、主にハイエンドなネットワー…
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- HFM TDRによるインピーダンス・プロファイル評価
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のような超高速差動伝送では、周波数ドメインのSパラメータ（SDD11）だけ…
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- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
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スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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- 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術
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🚗 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術の技術分析 SerDes (Serializer/Deserializer)…
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- ASA Motion Linkの物理層
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ASA Motion Link (ASA-ML)の**物理層（PHY）は、非対称通信と時分割多重（TDD）**を採用し、車載環境の…
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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI（Fully Depleted Silicon On Insulator）は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- ガラスコア基板におけるABFの役割
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次世代のパッケージ基板として注目されている**「ガラスコア基板（Glass Core Substrate）」**において…
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- UEC（Ultra Ethernet）の技術仕様
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2025年6月に正式リリースされた「UEC Specification 1.0」に基づき、その詳細な技術仕様を解説します。 …
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