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  • レクテナの高効率化
    レクテナ(Rectenna: Rectifying Antenna、整流アンテナ)の高効率化は、ワイヤレス電力伝送(WPT)シス…
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  • Arm vs. RISC-V
      💻 Arm vs. RISC-V: 命令セットアーキテクチャの比較   ArmとRISC-Vは、現代のデジタルデバイ…
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  • パイソン パイトーチ
    PyTorch(パイトーチ)は、Pythonで書かれたオープンソースの機械学習ライブラリで、特に**ディープラー…
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  • 車載向けに特化したUSB4の耐久性基準
    車載環境は、家庭やオフィスとは比較にならないほど過酷です。そのため、車載向けUSB4デバイスやコネク…
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  • SiC MOSFET、プレーナー型からトレンチ型へ
    最新のSiC MOSFETは、これまで主流だったプレーナー型から、より高効率なトレンチ型へと移行が進んでい…
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  • 車載48Vシステムの具体的な回路設計
    48Vシステムの回路設計は、単に電圧を上げるだけでなく、従来の12V系との「協調」と、高出力化に伴う「…
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  • トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
    2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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  • GNU Radio「Ubuntu」Linux
    UbuntuでRadioconda(Condaベースの環境)を使用するのは、開発環境として最高に安定した選択です。Linu…
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  • ドーパント原⼦配列解析
    ドーパント原子配列解析(Dopant Atomic Configuration Analysis)は、半導体デバイスの微細化に伴い、…
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  • 表面磁石形同期モータ
    表面磁石形同期モータ(SPMSM: Surface Permanent Magnet Synchronous Motor)は、ローター(回転子)の…
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  • 電圧ドロップ/サグを見逃さないパワーレールプローブの設定・…
    「瞬間的な電圧降下(電圧ドロップ/サグ)」を見逃さないためには、パワーレールプローブの性能を最大…
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  • マトリックスコンバータを用いたDAB
    マトリックスコンバータを用いたDAB (Dual Active Bridge) DAB(Dual Active Bridge)コンバータは、2…
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  • キラル対称性の破れを伴う分子性結晶の構造転移
    分子性結晶における**キラル対称性の破れ(Chiral Symmetry Breaking)**を伴う構造転移は、物質科学と…
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  • Android 13/14 Automotive
    Android 13/14 Automotive(AAOS)環境において、Qualcomm SA8155PとUSB PD 3.2コントローラを連携させ…
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  • PyTorchやTensorFlowで学習したノイズ除去モデル(RNN, CNN, LS…
    2026年現在、PyTorchやTensorFlowで学習したモデルを、ドローン中継のような超低遅延環境(ターゲット:…
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  • メモリデバイスの試験対象となる不良 セル間干渉
    メモリデバイスの試験において、セル間干渉(Cell-to-Cell Interference, CCI)によって生じる不良は、…
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  • 六フッ化タングステン:半導体製造における「隠れたヒーロー」
    六フッ化タングステン(Tungsten Hexafluoride, WF6)は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
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  • Broadcom の「FBAR フィルター」がなぜ Wi-Fi 7 で重要なのか
    Broadcomの FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator:空隙型バルク弾性波)フィルター が Wi-Fi 7 で決定的…
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  • CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
    IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート(GAA)構造」の次に控える2030年前後の…
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  • 300°CにおけるSiCの物理的な特性変化
    300°Cという極限環境において、4H-SiC MOSFETの物理特性は常温時とは大きく異なります。設計や運用にお…
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