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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI（Fully Depleted Silicon On Insulator）は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- ガラスコア基板におけるABFの役割
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次世代のパッケージ基板として注目されている**「ガラスコア基板（Glass Core Substrate）」**において…
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- UEC（Ultra Ethernet）の技術仕様
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2025年6月に正式リリースされた「UEC Specification 1.0」に基づき、その詳細な技術仕様を解説します。 …
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- パワー半導体の電力損失を低減できる仕組み 「第8世代IGBT」
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2026年1月14日、三菱電機、東京科学大学（旧 東工大）、筑波大学、Quemix（ケミックス）の研究グループ…
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- I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）
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「I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）」は、EEPROMやセンサーの分野で、これまで主流だった I2C…
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- ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池
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「ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池（PVK/OSC Tandem）」は、現在太陽電池の研究開発において**「最…
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- オシロスコープ 入門
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オシロスコープ 入門 オシロスコープは、電気信号の波形を時間軸上に可視化するための計測器です。電子回…
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- Bladepoint Intel XeSS 2.1 サポート
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Bladepoint（中国語名：永劫無間）は、Intel XeSS 2.1のサポートを実装しています。 このサポートによ…
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- Foxconn (鴻海精密工業) USB4
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Foxconn（鴻海精密工業）は、世界最大の電子機器受託製造サービス（EMS）企業として知られていますが、U…
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- SiCパワーデバイスの劣化抑制に用いられる「MeV（メガ電子ボル…
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SiCパワーデバイスの劣化抑制（ピン留め効果）に用いられる「MeV（メガ電子ボルト）級」のエネルギーを…
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- 車載規格（AEC-Q100など）
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車載規格、特に AEC-Q100 は、半導体が自動車という過酷な環境で「10年・15万キロ」使い続けられること…
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- トレンチ型SiC-MOSFET、プレーナ型が抱えていた物理的な限界打破
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トレンチ型SiC-MOSFETは、従来のプレーナ型が抱えていた物理的な限界（JFET抵抗やセル密度の制約）を打…
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- 二次元物質のヘテロ構造 実用化（大面積化）の課題
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二次元物質のヘテロ構造、特に「魔法角」のような精密な物性を産業レベルで利用するためには、いくつか…
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- オシロスコープ 接地と安全
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1. オシロスコープの接地の基本 ■ 一般的なオシロスコープの接地 多くのベンチトップ型オシロスコ…
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- 複素オールパスフィルタによるPMSMのトルクリプル抑制制御
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PMSM（永久磁石同期モータ）のトルクリプル抑制制御に複素オールパスフィルタを用いる手法は、近年研究…
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- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.（YMTC）
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Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (長江存儲科技有限責任公司, YMTC) は、中国の国有半導体統合デ…
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- wi-fi7 ゲーム機におけるユースケース
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Wi-Fi 7（IEEE 802.11be）は、超低遅延、超高速通信、そして高い接続安定性を備えた次世代規格です。IoT…
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- 次世代の光・磁性技術がAIチップのエネルギー効率をいかに劇的…
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次世代の光・磁性技術がAIチップのエネルギー効率をいかに劇的に向上させるか 次世代のAIチップがエ…