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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成（Spatial Power Combining）技術を用いたSSPA（Solid State Power Amplifier…
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- 永久磁石同期電動機の速度センサレス制御
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永久磁石同期電動機（PMSM）の速度センサレス制御は、回転子の位置や速度を検出するための物理的なセン…
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- PCSELとVCSELの違い
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PCSELとVCSELは、どちらも「チップの表面から垂直に光が出る」という点では似ていますが、その中身（光…
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- アクティブプローブにダンピング抵抗を使う
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アクティブ・プローブの場合、パッシブ・プローブとは内部構造（特に入力容量 C の小ささ）が根本的に異…
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- 28Gbps 高速I/O（SerDes）FPGA 評価ボード
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28Gbpsクラスの高速I/O（SerDes）を評価・開発するためのFPGA評価ボードは、主にハイエンドなネットワー…
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- HFM TDRによるインピーダンス・プロファイル評価
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のような超高速差動伝送では、周波数ドメインのSパラメータ（SDD11）だけ…
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- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
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スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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- 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術
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🚗 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術の技術分析 SerDes (Serializer/Deserializer)…
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- ASA Motion Linkの物理層
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ASA Motion Link (ASA-ML)の**物理層（PHY）は、非対称通信と時分割多重（TDD）**を採用し、車載環境の…
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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI（Fully Depleted Silicon On Insulator）は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- ガラスコア基板におけるABFの役割
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次世代のパッケージ基板として注目されている**「ガラスコア基板（Glass Core Substrate）」**において…
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- UEC（Ultra Ethernet）の技術仕様
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2025年6月に正式リリースされた「UEC Specification 1.0」に基づき、その詳細な技術仕様を解説します。 …
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- パワー半導体の電力損失を低減できる仕組み 「第8世代IGBT」
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2026年1月14日、三菱電機、東京科学大学（旧 東工大）、筑波大学、Quemix（ケミックス）の研究グループ…
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- I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）
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「I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）」は、EEPROMやセンサーの分野で、これまで主流だった I2C…
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- PCSELの開発 社会実装
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PCSELの開発は、京都大学の野田進教授を中心とした産学連携プロジェクトにより、日本企業が世界を大きく…
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- DC-DC（双方向・多相） 4ポート磁気結合コンバータの位相差
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DC-DC（双方向・多相）4ポート磁気結合コンバータにおいて、**「位相差（Phase Shift）」**は、各ポート…
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- ANNベースの正弦波変調低速センサレス制御
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「ANN（人工ニューラルネットワーク）ベースの正弦波変調低速センサレス制御」は、モータ制御における非…
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- 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度
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FIP制度（フィード・イン・プレミアム）の仕組み 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度は、従…
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- AMD RFSoCを用いた4.5 GHz系の評価におけるアップコンバート後…
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AMD RFSoC（Gen3以降など）を使用して4.5 GHz帯の信号を生成し、それを110 GHzクラスの超広帯域システム…
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