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- MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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- トレンチ側壁の保護膜厚の制御
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トレンチ（溝）側壁の保護膜厚の制御は、半導体プロセスにおいて**「垂直なエッチング形状（異方性）」*…
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- 回転機・静止器設計におけるAI活用
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回転機（モータ・発電機）や静止器（変調器・受動素子）の設計現場では、従来の「熟練者の経験と勘」に…
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- キャリアレスハイブリッドインバータ
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「キャリアレスハイブリッドインバータ」について、その仕組みとメリットを整理して解説します。 簡単…
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- 光工学業績賞・功績賞（高野榮一賞）
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「光工学業績賞・功績賞（高野榮一賞）」について。 この賞は、日本の光学機器産業や光工学の発展に多…
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- オシロスコープ GaN測定対応
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オシロスコープ GaN測定対応とは？ GaN（窒化ガリウム）は、近年注目されている高効率・高速スイ…
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- アクティブプリチャージ 降圧トポロジのスイッチングコンバータ
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アクティブプリチャージ（Active Pre-Charge）回路で、降圧（Buck）トポロジのスイッチングコンバータを…
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- ダイ・トゥ・ウェーハ・ハイブリッド接合（Die-to-Wafer Hybrid…
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「ダイ・トゥ・ウェーハ・ハイブリッド接合（Die-to-Wafer Hybrid Bonding）」は、主に半導体の**3次元…
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- USB4を導入している企業
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USB4（および最新のUSB4 Version 2.0）は、現在、パソコンメーカーから周辺機器メーカー、さらには内部…
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- RHOM 4ピンパッケージ（ケルビン接続）
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ローム（ROHM）が提供する4ピンパッケージ（TO-247-4Lなど）は、**「ケルビン接続（Kelvin Connection）…
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- Intelの製造プロセス（18A/14A）
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Intelの製造プロセスにおける**18A（1.8nmクラス）と14A（1.4nmクラス）**は、単なる微細化のステップで…
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- DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画…
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DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画」については、これまでの電池開発の常識…
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- FTQCによる暗号解読や新材料の発見など
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PsiQuantumがブリスベンで建設中の「100万量子ビット機」が完成すると、計算の世界は「予測」から「シミ…
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- HTA技術のプロセス詳細
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名城大学の三宅教授らが確立したHTA（High-Temperature Annealing：高温熱処理）技術は、サファイア基板…
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- DC-DCコンバータ GaN/SiCデバイスを用いた最新の設計事例
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GaN（窒素ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）といったワイドバンドギャップ（WBG）半導体の普及により、双方…
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- 小容量キャパシタによる位相シフトコンバータを用いたAC-DCコン…
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小容量キャパシタ（低容量平滑コンバータ）と位相シフトフルブリッジ（PSFB）コンバータを組み合わせたA…
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- 100TB HDD ロードマップ
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100TB HDD（ハードディスク）の実現に向けた動きは、現在（2026年2月）非常に具体的な段階に入っていま…
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- オシロスコープでの波形観測方法とは？
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オシロスコープでの波形観測方法とは？ オシロスコープは、電気信号の電圧の時間的変化（波形）を視覚的…
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- 4chコヒーレント信号発生器 MIMO
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承知いたしました。4chコヒーレント信号発生器が、高速無線通信技術であるMIMO (Multiple-Input Multipl…
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- QST基板を用た高耐圧GaN HEMTデバイス
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QST基板を用いた高耐圧GaN HEMTデバイスは、従来のシリコン（Si）基板上GaNデバイスが抱えていた課題を…
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