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  • 水電解装置
    **水電解装置(エレクトロライザー)**は、水に電気エネルギーを流すことで水を分解し、**水素(H2)と…
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  • SiC vs GaN(窒化ガリウム)(車載)
    2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC(炭化ケイ素)に代わって**GaN(窒化ガリウム)を…
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  • CXLの仕組み
    CXL(Compute Express Link)を一言で言えば、**「CPU、アクセラレータ(GPU等)、メモリを、まるで一つ…
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  • IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)
    IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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  • FEOL/BEOL CMP
    CMP(化学的機械研磨)は、半導体製造の「前工程の前半(FEOL)」と「前工程の後半(BEOL)」の両方で不…
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  • MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
    MgO-based MTJ(以下、MTJ)を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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  • 第8世代IGBT EVの航続距離
    EV(電気自動車)の航続距離に対する影響は、**「非常に大きい」**と言えます。 パワー半導体の電力損…
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  • 平坦バンド電圧(Flat Band Voltage, Vfb)とは
    平坦バンド電圧(Flat Band Voltage, Vfb)とは ~MOS構造の基準電位を示す、界面特性評価の鍵~ ■ 定…
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  • Chipletに代表されるHeterogeneous Integration
    チップレット(Chiplet)に代表されるHeterogeneous Integration(異種統合)は、半導体の微細化(ムー…
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  • デマンドレスポンス(DR)VPP
    デマンドレスポンス(DR: Demand Response)について、詳しくご説明します。 DRは、電力の需要側(消費…
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  • SiCコンポーネント 上面冷却(TSC)パッケージ
    SiC(炭化ケイ素)コンポーネントの上面冷却(TSC: Top Side Cooling)パッケージについて。 TSCパッケ…
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  • RHOM 4ピンパッケージ(ケルビン接続)
    ローム(ROHM)が提供する4ピンパッケージ(TO-247-4Lなど)は、**「ケルビン接続(Kelvin Connection)…
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  • 48VシステムにおけるDC/DCコンバータ
    48VシステムにおけるDC/DCコンバータ、およびその周辺を構成する主要な部品の選定基準について、より実…
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  • CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
    ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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  • セレン化インジウム(In2Se3)
    セレン化インジウム(Indium(III) selenide、In2Se3)は、インジウム(In)とセレン(Se)からなる半導…
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  • BMWやベンツなどがGaNをどう車載に組み込もうとしているか?
    2026年現在、BMWやメルセデス・ベンツといった欧州メーカーも、テスラとは異なるアプローチで**GaN(窒…
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  • 次世代半導体技術(Emerging semiconductor technologies)
    2026年現在、半導体技術は「生成AIの爆発的普及」と「微細化の物理的限界」という2つの大きな転換点に直…
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  • 半導体CV特性測定器とは
    半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
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  • GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
    GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスは、従来のSi(シリコン)に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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  • ダブルゲート構造IEGT技術
    ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT(シングルゲート構造)が抱えていた、導通損失(オン電圧)と…
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