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CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、次世代の半導体微細化における切り札として…
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- TLPB（過渡液相接合）高温接合技術 SiC
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**TLPB（Transient Liquid Phase Bonding：過渡液相接合）**は、銀シンター接合と並んで、300°C以上の極…
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- SCM（ストレージクラスメモリ）「ストレージ化する半導体メモリ…
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ストレージクラスメモリ（SCM: Storage Class Memory） 「ストレージ化する半導体メモリ」 これは、従…
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- AI業界の焦点が学習から推論へと移行 記憶媒体への影響
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2024年から2025年にかけて、AI業界のパラダイムは「巨大モデルをいかに作るか（学習）」から、**「作っ…
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- 車載規格（AEC-Q100など）
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車載規格、特に AEC-Q100 は、半導体が自動車という過酷な環境で「10年・15万キロ」使い続けられること…
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- 酸化膜電荷（Oxide Charge）とは
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酸化膜電荷（Oxide Charge）とは ～MOS構造における電気的特性に大きく影響する固定電荷～ ■ 定義 **…
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- メモリ不足によりテクノロジー業界でパニック買いが発生
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DigiTimesによると、メモリ調達ブームは2025年第4四半期に激化し、サプライチェーン全体でパニック買いを…
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- 800VシステムのEV SiC MOSFET
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ポルシェ・タイカンやヒョンデ・アイオニック5などが採用する**「800Vシステム」**は、EVの歴史における大…
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- NVIDIAは次世代AIプラットフォーム「Rubin（ルービン）」を正式…
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2026年1月、NVIDIAは次世代AIプラットフォーム**「Rubin（ルービン）」を正式に発表しました。HBM4は単…
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- 電力管理チップ（PMIC）
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PMICとは、Power Management IC（パワーマネジメントIC）の略で、電子機器における電源の制御と分配を一…
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- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
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IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート（GAA）構造」の次に控える2030年前後の…
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MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) とは、スピン（電子の磁気的性質）を利用した次世代デ…
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- パワー半導体の電力損失を低減できる仕組み 「第8世代IGBT」
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2026年1月14日、三菱電機、東京科学大学（旧 東工大）、筑波大学、Quemix（ケミックス）の研究グループ…
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- MOSキャパシタ（MOS Capacitor）とは
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MOSキャパシタ（MOS Capacitor）とは ～金属‐酸化膜‐半導体構造を持つ基本的なC–V測定用デバイス～ ■ …
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- 高電圧に耐えるように設計されたコンデンサー
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高電圧（HV）コンデンサーは、数千ボルト（V）以上の電圧に耐え、安定して動作できるように特殊な設計が…
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- 日本のデータセンターにおけるHDD/SSD採用の現状
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2025年現在の日本国内のデータセンターにおけるHDDとSSDの採用状況は、**「AIインフラへの投資集中」と…
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- 48V車載パワー・システム
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48V車載パワー・システム（48V車載電源システム）は、従来の12V電源に代わる、あるいは並列して導入され…
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- 温度依存C–V特性とは
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温度依存C–V特性とは ～温度変化によって変動する半導体デバイスのC–V挙動～ ■ 定義 **温度依存C–V特…