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- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
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2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
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- IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）
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IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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- FEOL/BEOL CMP
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CMP（化学的機械研磨）は、半導体製造の「前工程の前半（FEOL）」と「前工程の後半（BEOL）」の両方で不…
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- MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
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MgO-based MTJ（以下、MTJ）を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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- 第8世代IGBT EVの航続距離
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EV（電気自動車）の航続距離に対する影響は、**「非常に大きい」**と言えます。 パワー半導体の電力損…
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- 平坦バンド電圧（Flat Band Voltage, Vfb）とは
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平坦バンド電圧（Flat Band Voltage, Vfb）とは ～MOS構造の基準電位を示す、界面特性評価の鍵～ ■ 定…
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- Chipletに代表されるHeterogeneous Integration
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チップレット（Chiplet）に代表されるHeterogeneous Integration（異種統合）は、半導体の微細化（ムー…
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- デマンドレスポンス（DR）VPP
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デマンドレスポンス（DR: Demand Response）について、詳しくご説明します。 DRは、電力の需要側（消費…
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- SiCコンポーネント 上面冷却（TSC）パッケージ
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SiC（炭化ケイ素）コンポーネントの上面冷却（TSC: Top Side Cooling）パッケージについて。 TSCパッケ…
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- RHOM 4ピンパッケージ（ケルビン接続）
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ローム（ROHM）が提供する4ピンパッケージ（TO-247-4Lなど）は、**「ケルビン接続（Kelvin Connection）…
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- 48VシステムにおけるDC/DCコンバータ
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48VシステムにおけるDC/DCコンバータ、およびその周辺を構成する主要な部品の選定基準について、より実…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- セレン化インジウム（In2Se3）
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セレン化インジウム（Indium(III) selenide、In2Se3）は、インジウム（In）とセレン（Se）からなる半導…
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- BMWやベンツなどがGaNをどう車載に組み込もうとしているか？
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2026年現在、BMWやメルセデス・ベンツといった欧州メーカーも、テスラとは異なるアプローチで**GaN（窒…
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- 次世代半導体技術（Emerging semiconductor technologies）
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2026年現在、半導体技術は「生成AIの爆発的普及」と「微細化の物理的限界」という2つの大きな転換点に直…
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- 半導体CV特性測定器とは
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半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
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- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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- ダブルゲート構造IEGT技術
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…