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- SiC 超低VF 低Rds(on)
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SiC（炭化ケイ素）が持つ超低VF（順方向電圧）と低RDS(on)（オン抵抗）は、シリコン（Si）半導体に対す…
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- 高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術、MOSFETとPiNダイオ…
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高エネルギーイオン注入による劣化抑制技術を、MOSFETとPiNダイオードという2つの代表的なデバイスに適…
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- 48V車載システム 冗長電源系での回路構成
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48Vシステム、特に自動運転（AD）や電子制御ブレーキ（brakes-by-wire）などの安全に関わるシステムでは…
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- トレンチ型SiC-MOSFET、プレーナ型が抱えていた物理的な限界打破
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トレンチ型SiC-MOSFETは、従来のプレーナ型が抱えていた物理的な限界（JFET抵抗やセル密度の制約）を打…
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- vdW積層材 モアレ光学
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「モアレ光学（Moiré Optics）」は、vdW積層材料の物理学において現在最もエキサイティングなフロンティ…
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- 酸化ガリウム（β-Ga2O3）デバイスへの応用例（SBDやMOSFETなど）
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β-Ga2O3（酸化ガリウム）の150 mm基板が実現することで、パワーデバイスへの応用はいよいよ実用化のフェ…
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- 一相PWM変調方式三相インバータ
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「一相PWM変調方式」は、別名**「二相変調（Two-phase Modulation）」や「不連続PWM（DPWM: Discontinuo…
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- CNT ペロブスカイト
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カーボンナノチューブ（CNT）とペロブスカイト（特にペロブスカイト太陽電池：PSC）の組み合わせは、次…
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- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
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スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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- QST (Qromis Substrate Technology) 基板
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QST (Qromis Substrate Technology) 基板は、GaN（窒化ガリウム）デバイスの成長に特化して開発された複…
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- ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
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次世代ヘテロジニアス・インテグレーション（HI）を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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- α型 vs β型-Ga2O3の具体的な違い
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酸化ガリウム（Ga2O3）には複数の結晶構造（多形）がありますが、パワーデバイスとして研究が進んでいる…
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- ウェハを極限まで薄く削る技術動向
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ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN（裏面電源供給）や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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- BLE SoC 開発環境（SDKやコンパイラ）
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前述した主要な2つのプラットフォーム（NordicとRenesas）は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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- パワー半導体のSiトレンチ
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パワー半導体（IGBTやMOSFET）のSiトレンチ形成では、耐圧特性やオン抵抗に直結する**「トレンチ形状の…
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- ソフトスイッチング（ZVS/ZCS）が成立する条件
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絶縁型Y-Δ SR-SABにおいて、ソフトスイッチング（ZVS: ゼロ電圧スイッチング、ZCS: ゼロ電流スイッチン…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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