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- 「ペロブスカイト太陽電池」の開発動向、日本の投資戦略
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2026年現在、ペロブスカイト太陽電池（PSC）は「研究開発」から「産業化・社会実装」への歴史的な転換点…
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- QST基板を用た高耐圧GaN HEMTデバイス
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QST基板を用いた高耐圧GaN HEMTデバイスは、従来のシリコン（Si）基板上GaNデバイスが抱えていた課題を…
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- 次世代ヘテロジニアス・インテグレーション・プラットフォーム
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「次世代ヘテロジニアス・インテグレーション・プラットフォーム（次世代HIプラットフォーム）」とは、…
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- 酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイス
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酸化ガリウム（Ga2O3）は、現在普及が進んでいるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）を超える次世代…
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- CFET と BSPDN
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CFET（相補型FET）とBSPDN（裏面電源供給ネットワーク）は、2nmプロセス以降の「ポストムーア」時代にお…
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- BLE SoCを搭載した「技適取得済みモジュール」
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SoC単体ではなく、すでにアンテナや受動部品が実装され、日本国内の「技適」を取得済みのモジュールを紹…
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- トレンチ側壁の保護膜厚の制御
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トレンチ（溝）側壁の保護膜厚の制御は、半導体プロセスにおいて**「垂直なエッチング形状（異方性）」*…
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- 絶縁型Y-Δ SR-SAB 電気自動車（EV）の急速充電器
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）は、EV（電気自動車）の急速充電器におい…
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- ペロブスカイト太陽電池 IV特性 電流の過渡応答
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）のIV特性において、電流の過渡応答は非常に重要なテーマです。シリコンと…
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- GaN 電力変換効率 向上方法
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GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の電力変換効率を向上させるには、オン抵抗の低減とスイッチング損失の…
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- Chip-to-Wafer（C2W）のCu-Cuハイブリッドボンディング
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「チップ・トゥ・ウエハー（Chip-to-Wafer: C2W）」のCu-Cuハイブリッドボンディングは、現在のAI半導体…
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- UEC（Ultra Ethernet）の技術仕様
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2025年6月に正式リリースされた「UEC Specification 1.0」に基づき、その詳細な技術仕様を解説します。 …
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- 「第8世代IGBT」で具体的にどれくらい小型化が進むのか
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三菱電機が2025年1月に発表し、2月にサンプル提供を開始した最新の**「第8世代IGBT」**は、従来の第7世…
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- EEPROMは成熟した不揮発性メモリ（NVM）今後は？
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EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は、1980年代の普及開始から約40年が経…
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- サファイア基板上AlGaN系レーザーダイオードの318 nm室温CW発振
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サファイア基板を用いたAlGaN系深紫外レーザーダイオード（UV-LD）における318 nmでの室温連続波（CW）…
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- 磁性流体を用いた可変インダクタ
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磁性流体（磁性ナノ粒子をベースオイルに分散させた液体）を用いた可変インダクタは、従来の可動部を持…
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- 再生型レドックス媒介亜鉛空気二次電池
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再生型レドックス媒介亜鉛空気二次電池（RM-ZAB）の概要 再生型レドックス媒介亜鉛空気二次電池（Redox…
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- 界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは
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界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは ～MOS界面の電気的品質を左右する重要パラメータ～ …
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- PER-DDPGを用いた狭路環境におけるロボット移動
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PER-DDPG（Prioritized Experience Replay - Deep Deterministic Policy Gradient）を用いた狭路環境に…
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