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- DC-DCコンバータ GaN/SiCデバイスを用いた最新の設計事例
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GaN（窒素ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）といったワイドバンドギャップ（WBG）半導体の普及により、双方…
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- 全固体電池のインピーダンス解析
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全固体電池のインピーダンス解析（EIS: 電気化学インピーダンス分光法）は、電池を壊さずに内部で何が起…
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- ドーピングプロファイル（Doping Profile）とは
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ドーピングプロファイル（Doping Profile）とは ～半導体中の不純物濃度分布を可視化する重要パラメータ…
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- SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
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この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
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- 高電圧に耐えるように設計された抵抗器
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高電圧抵抗器（高耐圧抵抗器）は、印加される電圧が高くても故障せず、安定した抵抗値を示すように特別…
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- SiC シングルトランジスタ駆動におけるクロストークの原理
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ローム（ROHM）などのパワーデバイス（特にSiC MOSFETやIGBT）における「シングルトランジスタ駆動」と…
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- 車載48Vシステムの具体的な回路設計
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48Vシステムの回路設計は、単に電圧を上げるだけでなく、従来の12V系との「協調」と、高出力化に伴う「…
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- DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画…
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DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画」については、これまでの電池開発の常識…
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- vdW積層材料 電子の動きを1層の中に閉じ込める
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電子を1層（2次元）の中に閉じ込めることは、vdW積層材料の驚異的な物性を生み出す根本的なメカニズムで…
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- 二次元物質のヘテロ構造 実用化（大面積化）の課題
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二次元物質のヘテロ構造、特に「魔法角」のような精密な物性を産業レベルで利用するためには、いくつか…
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- 電子機器内部用二次電池の消耗
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電子機器の電池持ちが急激に悪くなると、本当にストレスですよね。「まだ20%も残っているはずなのに、急…
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- 印加電圧（Test Voltage）とは
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印加電圧（Test Voltage）とは ～試験対象に意図的に加える電圧条件～ ■ 定義 印加電圧（Test Voltag…
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- 酸化膜厚（Oxide Thickness）測定方法は
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酸化膜厚を測定する方法は、対象の膜の厚さや材質、必要な精度によってさまざまな種類があります。主に非…
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- 中国の半導体製造装置の現状(2025)
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中国の半導体製造装置市場は、政府の強力な国家戦略と米国の輸出規制を背景に、国内での自給化を目指し…
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- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
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2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- クロスバアレイ「テンソル演算」
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脳型メモリ素子（ニューロモルフィック素子）で「テンソル」という言葉が出てくる場合、**「多次元的な…
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- 変圧器の損失低減のための深層学習
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変圧器（静止器）の設計において、損失（鉄損・銅損）の低減はエネルギー効率直結の最重要課題です。深…
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