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- 2次元材料（TMDなど）が持つ「光」の性質
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二次元半導体、特に**遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD：MoS2, WSe2など）**の光学的性質は、従来のバル…
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- 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度
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FIP制度（フィード・イン・プレミアム）の仕組み 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度は、従…
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- YMTCのXtacking®技術の詳細
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YMTCのXtacking®（エクスタッキング）技術は、従来の3D NANDフラッシュメモリの構造的な制約を打破し、…
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- ロジック・イン・メモリ
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**ロジック・イン・メモリ（Logic-in-Memory）**は、現在のコンピューターが抱える最大の弱点である「デ…
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- 300°CにおけるSiCの物理的な特性変化
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300°Cという極限環境において、4H-SiC MOSFETの物理特性は常温時とは大きく異なります。設計や運用にお…
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- エクストリーム・レーザー・リフトオフ (XLO)
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エクストリーム・レーザー・リフトオフ（XLO）は、東京エレクトロン（TEL）が提唱・開発した、**「削ら…
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- TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計
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TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計は、単に配線をつなぐだけでなく、「寄生抵抗」と「熱」の影響をい…
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- Radical/Ion switch機能
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「Radical/Ion switch（ラジカル/イオン・スイッチ）」機能について。これは主に、**LC-MS（液体クロマ…
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- 回転機・静止器設計におけるAI活用
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回転機（モータ・発電機）や静止器（変調器・受動素子）の設計現場では、従来の「熟練者の経験と勘」に…
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- スイープ機能・ロギング機能とは
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スイープ機能・ロギング機能とは ～電源・SMU・測定器を使いこなすための基礎知識～ スイープ機能（S…
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- WBG半導体とともに使用するコンデンサ
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ワイドバンドギャップ（WBG）半導体であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のシリコン（…
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- チップレット構造基板向け絶縁材料
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チップレット搭載のFC-BGA基板において、世界シェアを独占し、事実上の業界標準となっているのが**「味…
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- EMIB-Tで採用されるHBM4（次世代メモリ）との連携
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2025年に詳細が発表されたEMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）は、次世代メモリ…
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- Si（シリコン）、SiO2（酸化膜）、および低誘電率（Low-k）膜
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極低温でのHF（フッ化水素）プラズマエッチングは、材料ごとに異なるユニークな反応特性を示します。 S…
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- EVにおいて、I3C EEPROMの役割
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EV（電気自動車）の設計において、I3C EEPROMがデファクトスタンダード（事実上の標準）になりつつある…
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- PCSELにおける電子スキャン（ビーム走査）技術
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PCSELにおける電子スキャン（ビーム走査）技術は、可動部（モーターやミラー）を一切排除しながら、光の…
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- DC-DCコンバータ GaN/SiCデバイスを用いた最新の設計事例
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GaN（窒素ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）といったワイドバンドギャップ（WBG）半導体の普及により、双方…
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- CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは
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CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは ～半導体デバイスのC–V測定に特化した専用測定モジュール～ ■ …
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- 公共の急速充電器（スーパーチャージャー）
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公共の急速充電器（一般にDC急速充電器または「スーパーチャージャー」と呼ばれます）は、電気自動車（E…