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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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- ペロブスカイト太陽電池「重ね貼り施工」
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ペロブスカイト太陽電池における**「重ね貼り施工」**（またはタンデム構造、既存物への後付け施工）は…
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- カルコゲナイド系化合物半導体光触媒 水素生成
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カルコゲナイド系化合物（硫黄 S、セレン Se、テルル Te を含む化合物）を用いた光触媒および光電極技術…
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- YMTCのXtacking®技術の詳細
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YMTCのXtacking®（エクスタッキング）技術は、従来の3D NANDフラッシュメモリの構造的な制約を打破し、…
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- ロジック・イン・メモリ
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**ロジック・イン・メモリ（Logic-in-Memory）**は、現在のコンピューターが抱える最大の弱点である「デ…
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- 300°CにおけるSiCの物理的な特性変化
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300°Cという極限環境において、4H-SiC MOSFETの物理特性は常温時とは大きく異なります。設計や運用にお…
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- エクストリーム・レーザー・リフトオフ (XLO)
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エクストリーム・レーザー・リフトオフ（XLO）は、東京エレクトロン（TEL）が提唱・開発した、**「削ら…
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- TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計
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TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計は、単に配線をつなぐだけでなく、「寄生抵抗」と「熱」の影響をい…
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- 多重共鳴熱活性化遅延蛍光分子
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「多重共鳴熱活性化遅延蛍光（Multiple Resonance Thermal Activated Delayed Fluorescence, MR-TADF）…
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- SR-SAB 損失解析（コア損と銅損の配分）
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磁気統合されたトランスを用いるSR-SABでは、通常のトランスとは異なり**「漏れ磁束を積極的に利用する…
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- InfineonのCoolMOS vs ロームのPrestoMOS
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インフィニオンの CoolMOS™ とロームの PrestoMOS™ は、どちらもスーパージャンクション（SJ）構造を採…
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- スイープ機能・ロギング機能とは
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スイープ機能・ロギング機能とは ～電源・SMU・測定器を使いこなすための基礎知識～ スイープ機能（S…
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- WBG半導体とともに使用するコンデンサ
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ワイドバンドギャップ（WBG）半導体であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のシリコン（…
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- チップレット構造基板向け絶縁材料
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チップレット搭載のFC-BGA基板において、世界シェアを独占し、事実上の業界標準となっているのが**「味…
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- EMIB-Tで採用されるHBM4（次世代メモリ）との連携
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2025年に詳細が発表されたEMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）は、次世代メモリ…
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- Si（シリコン）、SiO2（酸化膜）、および低誘電率（Low-k）膜
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極低温でのHF（フッ化水素）プラズマエッチングは、材料ごとに異なるユニークな反応特性を示します。 S…
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- EVにおいて、I3C EEPROMの役割
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EV（電気自動車）の設計において、I3C EEPROMがデファクトスタンダード（事実上の標準）になりつつある…
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- 線形EMSDトランスデューサ
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「線形EMSDトランスデューサ（EMSD: Electromagnetic Soft Device / Electromagnetic Smart Device）」…
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