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  • DC-DCコンバータ GaN/SiCデバイスを用いた最新の設計事例
    GaN(窒素ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)といったワイドバンドギャップ(WBG)半導体の普及により、双方…
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  • 全固体電池のインピーダンス解析
    全固体電池のインピーダンス解析(EIS: 電気化学インピーダンス分光法)は、電池を壊さずに内部で何が起…
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    • Z_LCR
  • ドーピングプロファイル(Doping Profile)とは
    ドーピングプロファイル(Doping Profile)とは ~半導体中の不純物濃度分布を可視化する重要パラメータ…
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  • SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
    この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
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  • 高電圧に耐えるように設計された抵抗器
    高電圧抵抗器(高耐圧抵抗器)は、印加される電圧が高くても故障せず、安定した抵抗値を示すように特別…
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  • SiC シングルトランジスタ駆動におけるクロストークの原理
    ローム(ROHM)などのパワーデバイス(特にSiC MOSFETやIGBT)における「シングルトランジスタ駆動」と…
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  • 車載48Vシステムの具体的な回路設計
    48Vシステムの回路設計は、単に電圧を上げるだけでなく、従来の12V系との「協調」と、高出力化に伴う「…
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  • DONUT LAB(ドーナツラボ)の全固体電池の「価格」と「供給計画…
    DONUT LAB(ドーナツラボ)の全固体電池の「価格」と「供給計画」については、これまでの電池開発の常識…
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  • vdW積層材料 電子の動きを1層の中に閉じ込める
    電子を1層(2次元)の中に閉じ込めることは、vdW積層材料の驚異的な物性を生み出す根本的なメカニズムで…
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  • 二次元物質のヘテロ構造 実用化(大面積化)の課題
    二次元物質のヘテロ構造、特に「魔法角」のような精密な物性を産業レベルで利用するためには、いくつか…
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  • 電子機器内部用二次電池の消耗
    電子機器の電池持ちが急激に悪くなると、本当にストレスですよね。「まだ20%も残っているはずなのに、急…
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  • 印加電圧(Test Voltage)とは
    印加電圧(Test Voltage)とは ~試験対象に意図的に加える電圧条件~ ■ 定義 印加電圧(Test Voltag…
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  • 酸化膜厚(Oxide Thickness)測定方法は
    酸化膜厚を測定する方法は、対象の膜の厚さや材質、必要な精度によってさまざまな種類があります。主に非…
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  • 中国の半導体製造装置の現状(2025)
    中国の半導体製造装置市場は、政府の強力な国家戦略と米国の輸出規制を背景に、国内での自給化を目指し…
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  • 水電解装置
    **水電解装置(エレクトロライザー)**は、水に電気エネルギーを流すことで水を分解し、**水素(H2)と…
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  • SiC vs GaN(窒化ガリウム)(車載)
    2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC(炭化ケイ素)に代わって**GaN(窒化ガリウム)を…
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  • CXLの仕組み
    CXL(Compute Express Link)を一言で言えば、**「CPU、アクセラレータ(GPU等)、メモリを、まるで一つ…
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  • 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」SiC
    富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会(…
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  • クロスバアレイ「テンソル演算」
    脳型メモリ素子(ニューロモルフィック素子)で「テンソル」という言葉が出てくる場合、**「多次元的な…
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  • 変圧器の損失低減のための深層学習
    変圧器(静止器)の設計において、損失(鉄損・銅損)の低減はエネルギー効率直結の最重要課題です。深…
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最初…5678910111213…最後
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