-
- 高電圧に耐えるように設計されたコンデンサー
-
高電圧（HV）コンデンサーは、数千ボルト（V）以上の電圧に耐え、安定して動作できるように特殊な設計が…
-
- 日本のデータセンターにおけるHDD/SSD採用の現状
-
2025年現在の日本国内のデータセンターにおけるHDDとSSDの採用状況は、**「AIインフラへの投資集中」と…
-
- 48V車載パワー・システム
-
48V車載パワー・システム（48V車載電源システム）は、従来の12V電源に代わる、あるいは並列して導入され…
-
- 温度依存C–V特性とは
-
温度依存C–V特性とは ～温度変化によって変動する半導体デバイスのC–V挙動～ ■ 定義 **温度依存C–V特…
-
- グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命
-
⚡ グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命 「グリッドからゲートへ」という表現は、…
-
- ペロブスカイト太陽電池
-
ペロブスカイト太陽電池は、ペロブスカイト構造と呼ばれる特定の結晶構造を持つ化合物を発電層に用いた…
-
- 「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略
-
テスラの「SiC（炭化ケイ素）75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略で…
-
- ストレージ技術とメモリ技術の進化
-
ストレージとメモリの技術は、現在「AI（人工知能）」と「データ爆発」という2つの巨大な波によって、過…
-
- 低消費電力のインテリジェントな電力管理ソリューション
-
低消費電力のインテリジェントな電力管理ソリューションは、主にIoT、ウェアラブルデバイス、およびバッ…
-
- CFET 裏面電源供給（Backside Power）
-
**裏面電源供給（Backside Power Delivery Network: BSPDN）**は、半導体チップの「電源の通り道」を劇…
-
- MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレ…
-
MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレインモルフィック（脳型）システムは、現…
-
- 第7世代以降のIGBTの具体的な特徴
-
第7世代以降のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）が、それまでの世代と何が違い、どのような特…
-
- ドーピングプロファイル（Doping Profile）とは
-
ドーピングプロファイル（Doping Profile）とは ～半導体中の不純物濃度分布を可視化する重要パラメータ…
-
- SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
-
この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
-
- 高電圧に耐えるように設計された抵抗器
-
高電圧抵抗器（高耐圧抵抗器）は、印加される電圧が高くても故障せず、安定した抵抗値を示すように特別…
-
- SiC シングルトランジスタ駆動におけるクロストークの原理
-
ローム（ROHM）などのパワーデバイス（特にSiC MOSFETやIGBT）における「シングルトランジスタ駆動」と…
-
- 車載48Vシステムの具体的な回路設計
-
48Vシステムの回路設計は、単に電圧を上げるだけでなく、従来の12V系との「協調」と、高出力化に伴う「…
-
- 印加電圧（Test Voltage）とは
-
印加電圧（Test Voltage）とは ～試験対象に意図的に加える電圧条件～ ■ 定義 印加電圧（Test Voltag…
-
- 酸化膜厚（Oxide Thickness）測定方法は
-
酸化膜厚を測定する方法は、対象の膜の厚さや材質、必要な精度によってさまざまな種類があります。主に非…
-
- 中国の半導体製造装置の現状(2025)
-
中国の半導体製造装置市場は、政府の強力な国家戦略と米国の輸出規制を背景に、国内での自給化を目指し…