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- TDR測定における出力パワーの影響
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TDR(タイムドメイン)測定における出力パワーの設定は、**「S/N比(信号対雑音比)」と「DUTの線形性(…
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- LSTC 光電融合チップレット(Optical I/O Chiplet)
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**光電融合チップレット(Optical I/O Chiplet)**は、チップ間のデータ伝送を従来の「電気信号」から「…
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- 2026 IEEE International MTT Symposia トピックス
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2026年の IEEE International Microwave Symposium (IMS 2026) は、2026年6月7日から12日まで、米国マサ…
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- 畳み込みニューラルネットワーク(CNN)
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マイクロ波工学やRFレイアウト設計において、畳み込みニューラルネットワーク(CNN)の導入は非常に強力…
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- スパイラルダイポール形送電素子
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スパイラルダイポール形送電素子による伝送路を構築し、共鳴型ワイヤレス電力伝送技術による道路走行中の…
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- AI-Centric Network
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「AI-Centric Network」(AIセントリック・ネットワーク)とは、AIの能力を最大限に引き出し、同時にAI…
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- GaN電力増幅器の最新開発動向
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🚀 GaN電力増幅器の最新開発動向 GaN(窒化ガリウム)電力増幅器(PA: Power Amplifier)は…
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- 1060nm MMFのモード分散
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📉 MMFのモード分散と1060nm波長 マルチモードファイバー (MMF) のモード分散は、信号の伝送速度と距離…
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- 帯域密度:1 Tbps/mm、エネルギー効率:2 pJ/bitの性能
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帯域密度:1 Tbps/mm、エネルギー効率:2 pJ/bitという性能目標は、主にNTTが提唱するIOWN(Innovative …
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- データセンター相互接続 (DCI) 向け専用システムの世界シェア
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データセンター相互接続(DCI)向け専用システムの市場シェアは、光伝送機器市場の中でも特に成長著しい…
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- 次世代ヘテロジニアス・インテグレーション・プラットフォーム
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「次世代ヘテロジニアス・インテグレーション・プラットフォーム(次世代HIプラットフォーム)」とは、…
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- AI業界の焦点が学習から推論へと移行 記憶媒体への影響
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2024年から2025年にかけて、AI業界のパラダイムは「巨大モデルをいかに作るか(学習)」から、**「作っ…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向
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トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向(2026年初頭時点)をまとめます。 現在、業界は「第1世代トレン…
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- VHF Band for IoT and V2X
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原田博司教授の研究グループ(京都大学)による、IEEE Open Journal of Vehicular Technology (2023年9…
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- ADL5961 高速差動信号の配線(PCIe, USB4, HDMI 2.1など)
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高速差動信号(PCIe, USB4, HDMI 2.1など)の配線インピーダンス管理において、ADL5961のような広帯域VN…
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- Q/Vバンドにおける**デジタル・プリディストーション(DPD)**…
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Q/Vバンド(40/50GHz)において、GaN増幅器から最大出力を引き出しつつ、通信品質(信号のきれいさ)を…
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- DC/DCコンバータのスイッチング周波数と信号帯域の干渉
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DC/DCコンバータのスイッチング周波数($f_{sw}$)とその高調波は、広帯域なデータ・コンバータ・システ…
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- 光メタマテリアルの応用技術
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光メタマテリアルは、自然界の物質では不可能な「負の屈折率」や「誘電率・透磁率の自在な制御」をナノ…
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- MultiGBASE-T1 TC15 PHY試験
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MultiGBASE-T1(IEEE 802.3ch)における「TCxx」とは、車載イーサネットの標準化団体である OPEN Allian…
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- DC Bias-Tの付いていないVNAに外付けでバイアスTを使用する場合…
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DCバイアスティー(Bias-T)を外付けで使用する場合、VNA単体では見えてこない「回路としての振る舞い」…

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