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- プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
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プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI（磁気共鳴画像法）の分野において、主に超軽量でフレキ…
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- Doherty増幅器 包絡線追跡方式（Envelope Tracking, ET）
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Doherty増幅器と包絡線追跡方式（Envelope Tracking, ET）は、どちらも無線通信において、電力増幅器（P…
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- Huaweiの1.6T市場における立ち位置
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HuaweiとQSFP-DD1600を含む1.6T技術への取り組みについてご説明します。 1. Huaweiの1.6T市場におけ…
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- 帯域密度 1 Tbps/mmを達成するための光チップレットの設計
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**帯域密度 1 Tbps/mmを達成するための光チップレットの設計は、「光電変換機能の極限的な高密度化」と…
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- 富士通オプティカルコンポーネンツ（FOC）、古河電気工業の子会…
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富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社（FOC）の全株式が、古河電気工業株式会社に譲渡され、子会社…
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- ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
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次世代ヘテロジニアス・インテグレーション（HI）を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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- 日本のデータセンターにおけるHDD/SSD採用の現状
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2025年現在の日本国内のデータセンターにおけるHDDとSSDの採用状況は、**「AIインフラへの投資集中」と…
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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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- 「105 GHz / 4 GHz帯域幅」を用いた視通（LoS: Line-of-Sight）…
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京都大学の原田博司教授の研究グループは、6G（第6世代移動通信システム）およびそれ以降を見据え、100 …
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- ADL5961 IC内部の自己診断（BIST）
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ADL5961のような高度なVNAフロントエンドを**BIST（Built-In Self-Test：内蔵自己診断）**として組み込…
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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成（Spatial Power Combining）技術を用いたSSPA（Solid State Power Amplifier…
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- キラル物質科学 ペロブスカイト
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「キラル物質科学」は、鏡に映した像（鏡像）が元の自分自身と重なり合わない性質、すなわち**「対掌性…
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- Bias-Tの挿入位置、VNA側か、DUT側か？ Bias-Tの付いていないVNA
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DCバイアスティー（Bias-T）を挿入する位置は、「可能な限りDUT（デバイス）に近い場所」に配置するのが…
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- 6Gの期待 産業への影響
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6Gの「超低遅延（1ミリ秒以下、あるいは0.1ミリ秒レベル）」や「多接続（1平方キロメートルあたり1,000…
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- サミュエル・ジェファーソン・メイソン（Samuel Jefferson Maso…
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「Mason（メイソン）」の語源は、この利得の定義を提唱したアメリカの電気工学者 サミュエル・ジェファ…
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- DPDによるバックオフの削減
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デジタル事前歪み補正（DPD）によるバックオフの削減は、超小型SAR衛星や10GHz/24GHz帯の高速レーダーの…
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- VNA機種ごとの接続例や推奨校正キットの選定表
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以下は、T&Mコーポレーション取扱のVNA機種別の接続コネクタ仕様と推奨校正キット（Cal Kit）の一覧表…
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- Power Dividers vs Power Splitters
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「Power Divider (パワーディバイダー)」と「Power Splitter (パワースプリッター)」は、RF（高周波）シ…
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