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- Phase Coherency and Alignment
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「Phase Coherency and Alignment」(位相コヒーレンシーとアライメント)は、複数の信号やシステム間で…
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- ディープラーニングの学習と推論のほとんどは、浮動小数点数の…
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ディープラーニングの学習と推論のほとんどは、浮動小数点数(小数点を含む数値)の演算で行われます。 …
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- 低α(アルファ)線材料
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低α線とは、主に半導体素子の誤作動(ソフトエラー)を防ぐ目的で、α線の放出量を極限まで低く抑えた材…
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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- HAMRの次、将来技術HDMR(ドット記録)
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HDDの将来技術は、現在主流になりつつある**HAMR(熱補助磁気記録)**を基礎とし、そこに「ディスクの表…
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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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- 「105 GHz / 4 GHz帯域幅」を用いた視通(LoS: Line-of-Sight)…
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京都大学の原田博司教授の研究グループは、6G(第6世代移動通信システム)およびそれ以降を見据え、100 …
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- ADL5961 IC内部の自己診断(BIST)
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ADL5961のような高度なVNAフロントエンドを**BIST(Built-In Self-Test:内蔵自己診断)**として組み込…
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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成(Spatial Power Combining)技術を用いたSSPA(Solid State Power Amplifier…
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- キラル物質科学 ペロブスカイト
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「キラル物質科学」は、鏡に映した像(鏡像)が元の自分自身と重なり合わない性質、すなわち**「対掌性…
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- Bias-Tの挿入位置、VNA側か、DUT側か? Bias-Tの付いていないVNA
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DCバイアスティー(Bias-T)を挿入する位置は、「可能な限りDUT(デバイス)に近い場所」に配置するのが…
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- 6Gの期待 産業への影響
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6Gの「超低遅延(1ミリ秒以下、あるいは0.1ミリ秒レベル)」や「多接続(1平方キロメートルあたり1,000…
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- サミュエル・ジェファーソン・メイソン(Samuel Jefferson Maso…
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「Mason(メイソン)」の語源は、この利得の定義を提唱したアメリカの電気工学者 サミュエル・ジェファ…
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- DPDによるバックオフの削減
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デジタル事前歪み補正(DPD)によるバックオフの削減は、超小型SAR衛星や10GHz/24GHz帯の高速レーダーの…
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- メタサーフェス Reconfigurable Intelligent Surface (RIS)
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メタサーフェス(Metasurface)とReconfigurable Intelligent Surface (RIS)は、電磁波を操作するための…
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- Isola TerraGreen 低tan δ基板材料
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🌿 Isola TerraGreen の概要と tan δ 特性 Isola TerraGreen は、Isola Group が製造する高性能なプリ…
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- クロスメッシュ構造を用いた透明メタサーフェスの反射位相特性
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クロスメッシュ構造を用いた透明メタサーフェスの反射位相特性について。 これは、透明なフィルム上で…
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- 三菱電機モビリティ USB4
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三菱電機モビリティ(2024年4月に三菱電機の自動車機器事業が分社化して発足)におけるUSB4への取り組み…

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