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- AI デジタル制御による超広帯域GaN増幅器
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AIデジタル制御による超広帯域GaN増幅器の研究は、次世代の無線通信システム（5G基地局、6G、衛星通信、…
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- 200G/レーン SerDesの技術成熟
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🚀 200G/レーン SerDesの技術成熟度 200G/レーン (200G/lane) のシリアライザ/デシリアライザ（SerDes…
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- メンブレン化合物半導体光デバイス
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メンブレン化合物半導体光デバイスは、シリコン（Si）基板上に、インジウムリン（InP）系などの化合物半…
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- OptiX OSN 9800
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華為技術（HUAWEI）がコヒーレント変調器やその関連技術を搭載している主要な光伝送システムは、主に以…
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- 2.4GHz/5GHz/6GHzを同時に使う「MLO（マルチリンク・オペレーシ…
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Wi-Fi 7の目玉機能である**MLO（Multi-Link Operation：マルチリンク・オペレーション）**は、これまで…
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- HDDとSSDの技術的な比較（HAMR vs QLC NANDなど）
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HDD（ハードディスク）とSSD（ソリッドステートドライブ）は、現在どちらも劇的な技術革新の渦中にあり…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップ
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トレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）チップは、従来のシリコン（Si）製パワー半導体に比べ…
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- 評価ボード（NJT-1104等）
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長野日本無線が開発した NJT-1104 は、京都大学（原田博司教授）および日新システムズとの共同開発によ…
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- NanoVNA LiteVNA ADL5961
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NanoVNA や LiteVNA はまさに、ADL5961のような高度な集積チップが登場する前に、「既存の低価格チップ…
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- Q/Vバンドで使われる高効率な GaN（窒化ガリウム）増幅器 の特性
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Q/Vバンド（40/50GHz帯）の衛星通信において、**GaN（窒化ガリウム）を用いた高出力増幅器（SSPA/HPA）*…
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- JESD204Cインターフェース
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JESD204Cは、最新の超高速データ・コンバータ（ADC/DAC）とFPGA/ASIC間を結ぶためのシリアル・インター…
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- マイクロ波磁場励起によるプラズマ発生
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マイクロ波磁場励起（特に電子サイクロトロン共鳴：ECR）によるプラズマ発生は、現代の半導体製造や材料…
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- 10Gリンク確立後のSQI（信号品質）評価
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10Gリンクが確立された後、通信が安定しているかを判断する最も重要な指標が SQI (Signal Quality Indic…
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- USB-VNAのようにポート間隔が狭い場合のアイソレーション確保
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潤工社（Junkosha）のような、高いシールド性能を持つ高品質・大口径のフェイズステータスケーブルが使…
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- PCIe 6.0 は 64 GT/s
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PCIe 6.0 の 64 GT/s という数字は、単なるスピードアップ以上の技術的限界への挑戦を意味しています。 …
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- CNT-TFT 遮断周波数 (fT) と 最大発振周波数 (fmax)
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CNT-TFTや高周波デバイスの性能指標である遮断周波数 (fT) と 最大発振周波数 (fmax) をVNAで測…
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- Glass in Semiconductor
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「Glass in Semiconductors: The Next Inflection in Semiconductors」とは、半導体業界において、チッ…
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- 電力増幅器の高効率・広帯域化技術
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電力増幅器（PA）の高効率化と広帯域化を両立させる技術は、無線通信やレーダーなどの分野で非常に重要…
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