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  • RF-SOIを採用した最新のFEM(フロントエンドモジュール)製品の…
    RF-SOIを採用した最新のFEM(フロントエンドモジュール)製品の動向は、2024年から2025年にかけて大きな…
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  • ガラスコア基板におけるABFの役割
    次世代のパッケージ基板として注目されている**「ガラスコア基板(Glass Core Substrate)」**において…
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  • SCM(ストレージクラスメモリ)「ストレージ化する半導体メモリ…
    ストレージクラスメモリ(SCM: Storage Class Memory) 「ストレージ化する半導体メモリ」 これは、従…
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  • 単一のプラズモンを読み出す技術
    プラズモン量子回路において、演算結果としての「単一のプラズモン」を読み出す技術は、回路の出口で**…
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  • 地上-衛星間光通信における大気ゆらぎの影響を克服する次世代誤…
    情報通信研究機構(NICT)と名古屋工業大学(名工大)は、JAXAと共同で、地上-衛星間光通信において大気…
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  • 強誘電体薄膜
    「強誘電体薄膜(Ferroelectric Thin Films)」について。 強誘電体とは、外部から電界をかけなくても…
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  • PCIe over Fiber(光ファイバー伝送)
    PCIe over Fiber(光ファイバーによるPCIe延長)は、電気信号を光信号に変換して伝送する技術です。PCIe…
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  • Wi-Fi 8 の極小 EVM ターゲットに与える影響 熱・電源ノイズ
    4x4 MIMO構成を採用する FastConnect 8800 のような統合チップにおいて、Wi-Fi 8が要求する極めて低いEV…
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  • H-MTD, RosenbergerからSMA/3.5mmへ変換するフィクスチャ
    IEEE 802.3ch (MultiGBASE-T1) のような高速通信(最大10Gbps)では、10GHzを超える帯域での測定が必要…
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  • 4portでのAFR(Automatic Fixture Removal)
    差動ライン(4ポート測定)におけるAFR(自動フィクスチャ除去)は、単一の配線(シングルエンド)より…
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  • 千歳技科大 技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)とは
    千歳科学技術大学(公立千歳科技大)と、**技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)**の関係およ…
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  • デジタル・アシスト 補正
    デジタル・アシスト(Digital-Assist)技術は、アナログ回路の物理的な限界や不完全性を、後段のDSP(デ…
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  • アウトフェージング増幅器の設計効率化
      💡 アウトフェージング増幅器の設計効率化   アウトフェージング増幅器(Outphasing Amplifie…
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  • MMF 1060nm モード分散最小
    💡 MMF 1060nm  「MMF 1060nm」は、光ファイバー通信、特に短距離・大容量伝送のための新しい技術分野…
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  • 光チップレット・実装技術
    光チップレット・実装技術は、半導体の高性能化と低消費電力化を同時に実現する次世代の集積化技術です…
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  • 無線・光融合基盤技術分野における中国との差
    🇨🇳 「無線・光融合基盤技術分野」における中国との差 無線・光融合基盤技術(Beyond 5G / 6G)の研究開…
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  • FD-SOI FET の構造的特徴
    FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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  • HAMRの次、将来技術HDMR(ドット記録)
    HDDの将来技術は、現在主流になりつつある**HAMR(熱補助磁気記録)**を基礎とし、そこに「ディスクの表…
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  • トレンチ型SiC-MOSFET、プレーナ型が抱えていた物理的な限界打破
    トレンチ型SiC-MOSFETは、従来のプレーナ型が抱えていた物理的な限界(JFET抵抗やセル密度の制約)を打…
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  • 農場でのセンサー収集、都市部でのインフラ監視
    農場でのセンサー収集と都市部でのインフラ監視。これらはWi-SUN FANの「広域性」「高密度」「マルチホ…
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