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- 三菱電機モビリティ USB4
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三菱電機モビリティ(2024年4月に三菱電機の自動車機器事業が分社化して発足)におけるUSB4への取り組み…
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- Ceyear 3674 VNAによる「第2高調波・第3高調波」測定
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Ceyear 3674 VNAによる「高調波」測定は「周波数オフセットオプション」により可能です。 高調波は、ベク…
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- プラズモン波束を用いた高忠実度な量子回路
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プラズモン波束(Plasmon Wave Packets)を用いた量子回路は、光子と電子の両方の利点を組み合わせた次…
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- ディッシュ・ネットワーク と SpaceX
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アメリカの衛星放送大手である**ディッシュ・ネットワーク(DISH Network)と、イーロン・マスク氏率い…
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- 二次元層状物質の人工ヘテロ構造
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二次元(2D)層状物質の人工ヘテロ構造(ファンデルワールス・ヘテロ構造)は、現代の材料科学において…
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- 磁性流体 高周波フィルタ
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高周波(RF)フィルタにおいて、磁性流体を用いた可変インダクタは、**「再構成可能な無線フロントエン…
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- UEQM のベクトル解析手法
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UEQM(Unequal Modulation)は、Wi-Fi 8 (802.11bn) において、伝搬環境の異なる各ストリーム(MIMO ス…
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- 疑似容量(Pseudo-capacitance)
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CNTやペロブスカイトの評価において、**疑似容量(Pseudo-capacitance)は、物理的な「電極への電荷の蓄…
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- VNA メカニカル校正 シム(Offset)
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VNA(ベクトル・ネットワーク・アナライザ)の校正において、ショート(Short)、シム(Shim / Offset)…
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- PICS(Passive Integration Connecting Substrate)技術
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PICS(Passive Integration Connecting Substrate)は、村田製作所(旧IPDiA社)が提唱する、シリコン基…
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- Hot TDR と S12
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Hot TDR (LNAを動作状態にして行うTDR測定) において、S12(逆方向伝達特性)を考慮することは、デバイ…
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- Fractional-Nの出力は位相連続で周波数が変化するか?
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結論から言うと、Fractional-N(分数分周)PLLの出力周波数を切り替える(変更する)とき、その出力の位…
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- XGモバイルプロモーションフォーラム (XGMF)
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XGモバイル推進フォーラム(XGMF:XG Mobile Promotion Forum)は、Beyond 5G/6G時代を見据えた次世代モ…
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- 212-Gb/s Driver-less SiPh Modulator
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「212-Gb/s Driver-less SiPh Modulator」は、データセンターや光ネットワークの次世代技術において非…
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- RF-SOI基板を採用したFEMをスマートフォンやゲーム機に実装
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Wi-Fi 7において、RF-SOI基板を採用したFEM(フロントエンドモジュール)をスマートフォンやゲーム機に…
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- Intel ガラスコアの導入理由
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Intelが2020年代後半(2026年〜2030年頃)にガラスコア基板の導入を急いでいる理由は、一言で言えば**「…
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- Si(シリコン)、SiO2(酸化膜)、および低誘電率(Low-k)膜
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極低温でのHF(フッ化水素)プラズマエッチングは、材料ごとに異なるユニークな反応特性を示します。 S…
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- 80TOPSを5W以下、エッジAIチップ
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「80 TOPSの性能を5W以下の低消費電力で実現する」というスペックは、現在のエッジAIチップ市場において…
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- DVB-S2Xの「スループット(伝送効率)」が具体的にどう変化する…
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大気ゆらぎ(ガンマ・ガンマ分布)とポインティングロス(ベックマン分布)が複合する環境下で、DVB-S2X…

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