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- ベンゼン環を組み替えるのがなぜ難しいのか
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ベンゼン環の組み替え（骨格編集）が「化学者の悲願」と言われるほど難しい理由は、一言でいうとベンゼ…
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- アンテナ測定「近傍界（Near-field）」と「遠方界（Far-field）…
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アンテナ測定において、**「どこで測るか（距離）」**は非常に重要です。電波はアンテナからの距離によ…
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- PCIe Gen3やGen4などへの対応方法 絶縁
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PCIe Gen3（8Gbps）やGen4（16Gbps）といった高速規格を産業機器で絶縁する場合、Gen1/Gen2時代とは比較…
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- Bluetooth 7 HDT の物理層パケット構造
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Bluetooth 7 で導入が予定されている HDT (High Data Throughput) モードは、従来の Bluetooth LE (Low …
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- MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）4port VNA
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のコンプライアンステストにおいて、**4ポート VNA（ベクトル・ネットワ…
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- AFR（Automatic Fixture Removal）操作手順
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AFR（Automatic Fixture Removal）は、校正キット（SOLTなど）が接続できない基板上の配線やテスト・フ…
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- DUTが導波管の場合のe-calの利用方法
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導波管測定（WR90等）において、同軸用の**ECal（電子校正モジュール）を活用する場合、そのままではイ…
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- MFA 低損失のパッシブミキサーを使用
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低損失のパッシブミキサーをフロントエンド（MFA:ミキサーファースト）に採用する場合、その「スイッチ…
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- PIMEL™シリーズ Asahi Kase
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PIMEL™（パイメル）シリーズは、旭化成株式会社が開発・製造している、世界的なデファクトスタンダード…
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- MEMS シリコンリング型共振子 共振特性評価
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MEMSシリコンリング型共振子の共振特性評価は、主に共振周波数 (f₀) と Q 値、そして電気機械結合係数 (k²…
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- Glass in Semiconductor
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「Glass in Semiconductors: The Next Inflection in Semiconductors」とは、半導体業界において、チッ…
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- 電力増幅器の高効率・広帯域化技術
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電力増幅器（PA）の高効率化と広帯域化を両立させる技術は、無線通信やレーダーなどの分野で非常に重要…
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- wi-fi7 高調波抑制技術
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Wi-Fi 7（IEEE 802.11be）は、最大46Gbpsという超高速通信を実現するために、320MHzの広帯域利用や4096-…
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- TGV（Through Glass Via）の具体的な加工法
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TGV（Through Glass Via：ガラス貫通電極）を形成するための加工法には、大きく分けて**「レーザー改質…
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- DONUT LAB全固体電池 「5分充電」を支えるインフラ（充電器）…
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DONUT LABが掲げる「5分充電（フル充電）」という驚異的なスピードは、電池側の性能だけでなく、それを…
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- センサーやメーターにWi-SUN FANを組み込むための開発キット
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Wi-SUN FAN（特に最新の1.1規格）をセンサーやメーターに組み込むための開発キットは、すでに主要な半導…
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- NanoVNA LiteVNA ADL5961
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NanoVNA や LiteVNA はまさに、ADL5961のような高度な集積チップが登場する前に、「既存の低価格チップ…
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