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- High QデバイスでE5100Aと最新VNAでの測定で共振周波数が40Hzほ…
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Q値が2000を超える高Q値共振デバイス(200 kHz)を測定する際、旧名機であるHP/アジレント E5100Aと最新…
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- 低電圧J級スタック型高効率増幅器
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「低電圧J級スタック型高効率増幅器」は、無線通信システムの送信機で求められる**「低電圧駆動」「高効…
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- Aloe Semiconductor Inc.
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**Aloe Semiconductor Inc.(米国企業)**は、シリコンフォトニクス(Silicon Photonics)を用いた光電融合…
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- RF-SOIを採用した最新のFEM(フロントエンドモジュール)製品の…
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RF-SOIを採用した最新のFEM(フロントエンドモジュール)製品の動向は、2024年から2025年にかけて大きな…
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- ガラスコア基板におけるABFの役割
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次世代のパッケージ基板として注目されている**「ガラスコア基板(Glass Core Substrate)」**において…
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- 極低温エッチング(Cryogenic Etching)
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ウエハーを極低温に冷却しながらHF(フッ化水素)プラズマを用いるエッチング技術は、次世代の半導体微…
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- 住友ベーク、京セラの半導体関連材料事業を買収
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住友ベークライトが京セラのケミカル事業(半導体関連材料)を買収するというニュース。 2026年1月22日…
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- ポインティングロス(衛星の揺れによる光軸ズレ)
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地上-衛星間光通信において、**ポインティングロス(Pointing Loss)**は、大気ゆらぎと並んで通信品質…
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- TFLN 光周波数コムへの応用
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薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)リング共振器を用いた**光周波数コム(マイクロコム)**は、現在フォトニ…
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- VNA 2cmの変換アダプタ(N-SMAなど)を使用する場合の誤差 4.5GHz
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4.5 GHzで2cmのアダプタとなると、RFの観点からは「無視できない領域」に突入しています。「ただのコネ…
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- 3GPP Release 19 VNAやVSGを用いた評価手法の変化
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3GPP Release 19で「再生ペイロード(Regenerative Payload)」が本格導入されたことに伴い、VNA(ベク…
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- HFM TDRによるインピーダンス・プロファイル評価
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MultiGBASE-T1(IEEE 802.3ch)のような超高速差動伝送では、周波数ドメインのSパラメータ(SDD11)だけ…
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- シリコンフォトニクス上の光変調器(MZ変調器など)の小型化
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シリコンフォトニクスにおける光変調器、特に**マッハ・ツェンダー変調器(MZM: Mach-Zehnder Modulator…
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- Joint Communications and Sensing (JCAS)
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Joint Communications and Sensing (JCAS)、あるいはISAC (Integrated Sensing and Communications) と…
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- AIとLLM 電磁システムとRFシステムに変革
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電磁(EM)システムおよび高周波(RF)システムの設計・開発領域は、従来の数値計算シミュレーション(H…
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- ベクトルネットワークアナライザ(VNA)とコネクタ・校正キット…
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✅ VNA + コネクタ/校正キットの応用例 1. 高周波基板の特性評価 用途:RF回路やミリ波アンテナ基…
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- Phase Coherency and Alignment
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「Phase Coherency and Alignment」(位相コヒーレンシーとアライメント)は、複数の信号やシステム間で…
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- ディープラーニングの学習と推論のほとんどは、浮動小数点数の…
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ディープラーニングの学習と推論のほとんどは、浮動小数点数(小数点を含む数値)の演算で行われます。 …
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- 低α(アルファ)線材料
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低α線とは、主に半導体素子の誤作動(ソフトエラー)を防ぐ目的で、α線の放出量を極限まで低く抑えた材…

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