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- Q/Vバンドで使われる高効率な GaN(窒化ガリウム)増幅器 の特性
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Q/Vバンド(40/50GHz帯)の衛星通信において、**GaN(窒化ガリウム)を用いた高出力増幅器(SSPA/HPA)*…
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- JESD204Cインターフェース
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JESD204Cは、最新の超高速データ・コンバータ(ADC/DAC)とFPGA/ASIC間を結ぶためのシリアル・インター…
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- マイクロ波磁場励起によるプラズマ発生
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マイクロ波磁場励起(特に電子サイクロトロン共鳴:ECR)によるプラズマ発生は、現代の半導体製造や材料…
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- 10Gリンク確立後のSQI(信号品質)評価
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10Gリンクが確立された後、通信が安定しているかを判断する最も重要な指標が SQI (Signal Quality Indic…
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- USB-VNAのようにポート間隔が狭い場合のアイソレーション確保
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潤工社(Junkosha)のような、高いシールド性能を持つ高品質・大口径のフェイズステータスケーブルが使…
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- PCIe 6.0 は 64 GT/s
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PCIe 6.0 の 64 GT/s という数字は、単なるスピードアップ以上の技術的限界への挑戦を意味しています。 …
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- CNT-TFT 遮断周波数 (fT) と 最大発振周波数 (fmax)
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CNT-TFTや高周波デバイスの性能指標である遮断周波数 (fT) と 最大発振周波数 (fmax) をVNAで測…
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- Glass in Semiconductor
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「Glass in Semiconductors: The Next Inflection in Semiconductors」とは、半導体業界において、チッ…
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- 電力増幅器の高効率・広帯域化技術
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電力増幅器(PA)の高効率化と広帯域化を両立させる技術は、無線通信やレーダーなどの分野で非常に重要…
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- Wavelength-tunable optical module MSA
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📡 Wavelength-tunable Optical Module MSA の解説 Wavelength-tunable Optical Module MSA(波長可変…
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- IOWNとNVIDIAの技術連携 AIデータセンター
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IOWNとNVIDIAの技術連携は、AIデータセンターが直面する二大課題、すなわち「爆発的な電力消費」と「デー…
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透明フレキシブル電波反射フィルムについてですね。これは、次世代通信(5G/6Gなど)の電波環境を改善す…
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アイシン(AISIN)の半導体戦略は、デンソーやAstemoとは異なる独自の進化を遂げています。特に「電動化…
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- 分子スピンを超伝導回路へ物理的に結合させる方法
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分子スピンを超伝導回路へ結合させるには、単に「近くに置く」だけでは不十分で、量子情報をやり取りで…
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- Auracast™ の普及
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2026年は、Bluetoothの次世代音声規格「Auracast™(オーラキャスト)」が、一部の技術好きのツールから…
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「モアレ光学(Moiré Optics)」は、vdW積層材料の物理学において現在最もエキサイティングなフロンティ…
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- 損失を最小化する「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」
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損失を最小化するための**「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」**は、急速充電器のように入力電…

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